Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami

摘要

W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H~+. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektrycznego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.