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砷化镓-镓铝砷双异质结激光器慢退化机理的初步分析

         

摘要

本文首先推论出GaAs-AlxGa1-xAs双异质结激光器和GaAs1-xPx发光管退化现象的相似性。然后,将后者的慢退化与作者对GaAs提出的结构缺陷模型联系起来,从而推测模型预料的深陷阱的非辐射复合,可能是引起双异质结激光器慢退化的一个重要因素。最后简单地讨论了影响慢退化的一些工艺因素。

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |1980年第1期|60-68|共9页
  • 作者

    邹元爔;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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