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声表面波移相器

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本文提出在压电基片上产生声表面波直接相移的一种新的声电移相器.介绍了与YZ-LiNbO3耦合的硅片气隙所引起的衰减及相滞与电阻率关系的计算结果.证明采用光生载流子和表面电阻率的场效应控制,可以利用硅电阻率的变化来控制声表面波的相位.实验结果证实,利用+30伏横向电压脉冲得到了180°相移.

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来源
《压电与声光》 |1979年第6期|39-42|共4页
作者
J.D.Crowley; 王大春;
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作者单位

海军研究实验室;

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正文语种 chi
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