0．50微米LDD　PMOS工艺研究

摘要

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。