退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陈大同; 李志坚;
不详;
MOSFET; 沟道; 离子注入; 阈电压; 模型;
机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:绝缘体上硅锗(SGOI)MOSFET上的短沟道双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)阈值电压的解析模型
机译:具有光晕或口袋注入的完全耗尽短沟道绝缘体上硅MOSFET的亚阈值表面电势和亚阈值电流的新分析模型
机译:短通道无结圆柱环绕门mosfets亚阈行为的解析模型
机译:碳化硅短沟道功率DMOSFET:优化设计
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:建模用于VLsI的短沟道mosfet
机译:用单个额外的掩膜注入操作制造双阈值电压的n沟道和p沟道MOSFET的方法
机译:用单个额外的掩膜注入操作制造双阈值电压的N沟道和P沟道MOSFET的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。