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罗葵;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:短沟道双材料栅极轻掺杂漏极MOSFET的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:考虑到源极和漏极周围沟道耗尽层深度的变化,短沟道MOSFET的阈值电压模型
机译:利用背栅衬底引起的表面效应对长沟道和短沟道全耗尽SOI MOSFET的阈值电压进行建模
机译:碳化硅短沟道功率DMOSFET:优化设计
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:建模用于VLsI的短沟道mosfet
机译:具有低阈值电压的短沟道沟槽功率MOSFET
机译:低阈值电压的短沟道功率MOSFET
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