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GaAs MESFET准二维动态大信号模型

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本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.

著录项

来源
《电子学报》 |2000年第8期|143-145|共3页
作者
王静; 邓先灿;
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作者单位

杭州电子工业学院CAE所,杭州,310037;

杭州电子工业学院CAE所,杭州,310037;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
大信号模型; 电荷控制法; 自升温效应; 准二维分析;

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