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光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

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摘要

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.

著录项

来源
《电子学报》 |2003年第5期|790-792|共3页
作者
张生才; 郑云光; 郭辉; 李树荣; 张世林; 郭维廉; 胡泽军; 夏克军;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
光电双基区晶体管; 反馈电流; 瞬态电流;

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