机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
McMaster University (Canada).;
机译:使用异质结双极晶体管和折射-Facet光电二极管的共享层集成制造基于InP的光电集成电路(OEIC)光接收器
机译:基于双极反型沟道场效应晶体管的二维电子气太赫兹检测器
机译:高温退火改善倒置型N沟道Gan金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道迁移率
机译:InGaP / GaAs / spl delta /掺杂异质结双极晶体管和掺杂沟道场效应晶体管的集成制造
机译:电子设备的新平台:N沟道有机场效应晶体管,互补电路和纳米线晶体管。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:Si基旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的旋转传输:在倒置通道中的旋转漂移效果,在N + -SI源/漏区中的旋转松弛