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张兴;
中国电子学会;
半导体集成电路;
机译:具有单轴应变(110)沟道的SOI FinFET的电子迁移率和短沟道器件特性
机译:具有高介电常数的短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的阈值电压模型
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:具有凹陷的S / D和沟道的Si上的深100nm以下Ge CMOS器件
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:具有SnO沟道层的聚合物铁电场效应存储器件具有记录空穴迁移率
机译:绝缘体上低于100 nm渐变沟道的全耗尽硅(SOI)的模拟和短沟道效应性能 ud ud
机译:sOI N沟道场效应晶体管,CHT-NmOs80,适用于极端温度
机译:具有增强型NMOS和凹陷型MOS的半导体集成电路器件,该凹陷型MOS具有N型沟道杂质区和在N型沟道杂质区下方的P型杂质层
机译:凹陷的沟道阵列晶体管以及包括凹陷的沟道阵列晶体管的半导体器件
机译:凹陷的沟道晶体管以及包括凹陷的沟道晶体管的半导体器件
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