半导体激光

摘要： 目的:比较4种不同根管处理方式对纤维桩修复过程中树脂水门汀与桩道牙本质壁之间粘接强度及微渗漏的影响。方法:收集60颗单根管前磨牙体外进行常规根管治疗,经桩道预备后随机分为A、B、C、D 4组。分别使用5.25%次氯酸钠、半导体激光、15%柠檬酸溶液、2%氯己定处理根管。每组随机选取三个样本,通过扫描电镜观察桩道牙本质壁的微观形态;每组剩余样本用树脂水门汀将平行纤维桩粘接于离体牙根管内,通过推出实验测试各组及组内根颈、根中、根尖1/3的粘接强度,冷热循环后通过染色法比较各组冠方微渗漏情况。结果:推出实验显示A、B两组的粘接强度最大,且两组之间未见显著性差异(P≥0.05),其余各组之间均有明显差异,且达到统计学意义(P<0.05);组内比较发现根颈1/3与根中1/3的粘接强度无明显差异,但均高于根尖1/3(P<0.05)。扫描电镜观察可见A、B组牙本质小管多为开放状态,C、D组可见牙本质碎屑,部分牙本质小管阻塞。微渗漏检测可见C组微渗漏长度最大,D组次之,B组及A组较小,且A、B两组之间未见明显差异(P≥0.05),其余各组之间均有差异,且达到统计学意义(P<0.05)。结论:4种根管处理方式均能不同程度去除玷污层;与其他组比较,5.25%次氯酸钠冲洗组和半导体激光组在粘接强度及冠方封闭方面更具优势。

摘要： 牙龈色素沉着(gingival pigmentation,GP)表现为牙龈出现黑色或棕褐色等深色色素沉着斑,多由黑色素细胞分泌的黑色素颗粒沉积于牙龈上皮引起,其影响因素分为外源性和内源性两大类,外源性因素包括重金属、纹身、吸烟或药物的使用,而内源性因素则与某些疾病有关。对GP进行临床分级有助于对治疗的必要性及预后进行合理评估,Dummett-Gupta口腔色素沉着指数是目前常用的分级方式,而将病因与临床表现结合起来形成的新的评级方式则可更为全面地描述患者情况。临床中需详细询问病史、完善检查以鉴别生理性GP与病理状态所致的GP。激光治疗是目前治疗效果较好、患者接受度较高且较为舒适便捷的治疗方式,包括半导体激光、Er:YAG激光、Nd:YAG激光等。本文就GP的形成因素、临床表现、治疗方法做一综述,以期为GP的临床诊治提供思路。

摘要： 近日,西安交通大学第一附属医院(以下简称"西安交大一附院")对外宣布,其与西安蓝极医疗电子科技有限公司(以下简称"蓝极医疗")联合研发的世界首台输出功率30W蓝激光手术设备正式获得国家药品监督管理局颁发的三类医疗器械注册证,并投入临床使用,实现了国产重大医疗器械在半导体激光领域自研、自制的重大突破。

摘要： 自1960年梅曼发明人类历史上第一台激光器以来,激光技术在经济、科技、军事等领域发挥着越来越重要的作用。半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心,涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术,历经六十余年发展,不仅在基础科学领域不断研究深化,科学技术水平不断提升,而且在应用领域上不断拓展和创新。半导体激光材料及器件的研究是当前激光技术研究领域的热点。

摘要： 目的探讨半导体激光联合30%超分子水杨酸治疗痤疮的疗效和护理效果。方法选取2019年10月至2021年4月在广州市皮肤病防治所就诊的100例痤疮患者,采用随机数字表法分为对照组与研究组,各50例。对照组男19例,女31例,年龄14~41(25.62±8.35)岁,给予半导体激光治疗;研究组男20例,女30例,年龄12~43(26.43±8.12)岁,给予半导体激光联合30%超分子水杨酸治疗。记录患者皮肤纹理特征变化、不良反应,并评估临床疗效及患者满意度;采用t检验、χ^(2)检验进行统计分析。结果治疗结束后,研究组色斑[(35.41±6.22)%比(40.16±9.37)%]、毛孔[(25.10±6.83)%比(29.65±8.40)%]、红斑[(21.05±8.42)%比(28.18±9.23)%]、紫质[(28.02±9.02)%比(32.60±10.67)%]计数均较对照组减少(t=2.986、2.972、4.035、2.318,均P<0.05);第2次治疗后研究组临床总有效率44.00%(22/50)均明显高于对照组24.00%(12/50),差异有统计学意义(χ^(2)=4.456,P=0.035),对照组与研究组治疗结束后2个月临床总有效率为54.00%(27/50)、78.00%(39/50),组间比较差异有统计学意义(χ^(2)=6.417,P=0.011);对照组与研究组痤疮总满意度为88.00%(44/50)、100.00%(50/50),组间比较差异有统计学意义(χ^(2)=8.542,P=0.004)。结论半导体激光联合30%超分子水杨酸治疗可显著改善痤疮症状,提高临床治疗效果和,同时应配合规范化护理措施,保障临床治疗效果和患者满意度。

摘要： 目的:探讨半导体激光在不同类型牙龈瘤临床治疗中的应用。方法:将34例牙龈瘤患者随机分为2组,其中研究组(n=19)采用波长980 nm的半导体激光治疗,并根据临床表现的不同进行瘤体照射或切除治疗,对照组(n=15)采用传统手术刀切除法治疗,比较2组患者术后疼痛程度。结果:所有患者愈合良好,术后患者无明显疼痛,研究组疼痛程度明显低于对照组,并且在观察期间内未发现明显的复发现象。结论:根据牙龈瘤临床表现的不同,运用不同模式的半导体激光进行治疗,术中出血量少、术后反应轻,具有较好的临床应用前景。

摘要： 目的:比较单独使用激素类药物和单独使用半导体激光与联合应用两者治疗牙龈扁平苔藓的临床疗效。方法:收集2017年6月~2019年6月牙龈扁平苔藓患者116例,根据其治疗方法分为三组,分别予曲安奈德口腔软膏涂抹于病损处(软膏组)、半导体激光局部照射(激光组)、先用半导体激光局部照射再用曲安奈德口腔软膏涂抹于病损处(联合组)。比较治疗前、治疗后1周、2周、1个月三组患者的病损面积、疼痛程度评分及症状体征评分。结果:治疗前,三组病损面积、疼痛程度评分及症状体征评分差异无统计学意义(P>0.05);治疗后,三组病损面积均缩小(P<0.05),疼痛程度评分及症状体征评分均降低(P<0.05),治疗后1周、2周和1个月,联合组病损面积均小于软膏组和激光组,疼痛程度评分及症状体征评分均低于软膏组和激光组,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:曲安奈德口腔软膏与半导体激光联合治疗牙龈扁平苔藓效果优于单独使用激素类药物和单独使用激光,可最大限度减轻患者症状,缓解疼痛,促进创面愈合。

摘要： 目的探讨不同输出功率对覆膜型激光光纤光热转换作用的影响,为光纤尖端光热转换后激光能量分布提供有效预测平台。方法建立光纤尖端输出功率及温差变化监测模型,光纤尖端进行光热转换前后使用红外成像测温仪器测量光纤尖端在不同的输出功率(100 mW、200 mW、300 mW、400 mW、500 mW、600 mW、700 mW、800 mW、900 mW、1000 mW)条件下的温差变化,使用功率计实时测量透过光纤尖端的剩余功率。结果光纤光热转换前后,光纤尖端形态和指示光斑形态有所不同。不同输出功率下的光纤尖端有明显的温差变化(P0.95,P0.95,P<0.01)。结论不同输出功率会影响覆膜型激光光纤光热转化作用程度,光纤尖端的温差变化和剩余功率与输出功率具有较好的线性相关性,可以作为临床中评估光纤光热转换作用的重要参数。

摘要： 目的探讨半导体激光在瘘道型根管再治疗中的临床效果。方法选择2021年1月至2021年8月本院收治的前牙需要根管再治疗的瘘道型根尖周炎患者124例,随机分为观察组和对照组各62例。观察组采用半导体激光处理后行常规热牙胶充填,对照组采用氢氧化钙糊剂进行消毒封药,1周后复诊,对于无急性炎症患者常规热牙胶充填,否则换药,直到无急性炎症后常规热牙胶充填,两周、1个月、3个月、6个月后复查,比较两组瘘道愈合时间、根尖阴影变化值及成功率。结果观察组治疗后两周、1个月患者瘘道愈合时间、根尖阴影变化值均短(少)于对照组(P0.05);观察组治疗后两周、1个月患者治疗成功率均高于对照组(P<0.05)。结论半导体激光用于瘘道型根管再治疗中能缩短操作及瘘道愈合时间,成功率较高,半导体激光根管消毒比氢氧化钙根管消毒更具有临床意义,值得推广应用。

摘要： 目的探讨半导体激光联合盐酸米诺环素治疗重度慢性牙周炎的临床效果及对炎性因子分泌的影响。方法选取2019年3月至2020年11月西安市中心医院口腔科收治的42例符合纳入标准的患者,按照随机数字表法分为单药组和联合组,各21例,单药组患者给予牙周基础治疗+盐酸米诺环素治疗,联合组患者在此基础上联合半导体激光治疗。治疗后3个月、6个月比较两组患者龈沟液中厌氧菌菌落数、探诊出血(bleeding on probing,BOP)、出血指数(bleeding index,BI)、牙周探诊深度(probing depth,PD)、附着丧失(attachment loss,AL)及炎性因子肿瘤坏死因子(tumor necrosis factorα,TNF-α)和白细胞介素-1β(interleukin-1β,IL-1β)的表达变化。结果治疗3个月后,联合组厌氧菌菌落数显著低于单药组,治疗后3个月、6个月,联合组BOP、BI、PD、AL和炎性因子TNF-α、IL-1β表达均低于单药组(P<0.05)。结论半导体激光联合盐酸米诺环素治疗重度慢性牙周炎短期效果更佳,可显著减少牙周致病菌,改善牙周水平,减少炎性因子的释放,提高重度慢性牙周炎临床疗效。

摘要： 目的:探讨针刀结合半导体激光治疗髌下脂肪垫损伤的疗效.方法:60例髌下脂肪垫损伤患者随机分为针刀激光治疗组(治疗组)和常规对照理疗组各30例,对患者治疗前与治疗30天后的下肢日常活动能力及患膝疼痛程度进行评定.结果:治疗后,两组患者的症状均有减轻,但治疗组在缓解疼痛、改善下肢功能方面明显优于常规治疗组(P＜0.01).结论:针刀对消除髌下脂肪垫损伤产生的粘连效果显著，配合半导体激光治疗及股四头肌肌力强化训练，不但能增强膝关节的稳定性，还可促进关节滑液循环，有助于改善关节软骨的营养，促进损伤部位的修复，获得满意而稳定的疗效.

摘要： 带状疱疹是以皮肤红斑水疱、伴有剧烈疼痛为特征的皮肤病,易在局部合并细菌感染,本文采用疱病清创贴敷术联合半导体激光局部治疗,明显减轻感染症状,加速疮面愈合结痂.并详细介绍了其护理方法、体会及调护。

摘要： 采用高功率半导体激光器对H13钢进行激光表面淬火。研究了淬火温度、激光的扫描速度和搭接率等工艺参数对H13钢表面硬度、硬化层的深度和硬度梯度的影响。结果表明，当淬火温度为1500°C，扫描速度为800mm／min以及搭接率为30％时，H13钢表面硬化效果最佳，即表面硬度最高，硬化层最深，硬度梯度较平缓。

摘要： 目的:观察Indocyanine Green (ICG)染色髓核组织后对980nm半导体激光消融髓核组织能力的影响.方法:选取新鲜山羊腰椎标本并制成脊柱功能单位(SFU)144个,随机分为空白组、蒸馏水组和ICG染色组,每组再根据给予能量不同随机分为5组.蒸馏水组与ICG染色组分别在髓核内注射100 μl蒸馏水与ICG,测定质量后应用980nm半导体激光器分别以70、210、350、490、630J的总能量对标本行连续脉冲式激光照射以汽化髓核组织,术后再次测定质量并计算照射前后标本质量差.结果:1、激光照射髓核组织消融量随能量增大而增多.空白组在70、210、350、490、630J的总能量时对髓核消融的消融量分别为0.0754±0.0046mg、0.1170±0.0306mg、0.1454±0.0410mg、0.1560±0.0058mg和0.1742±0.0429mg,能量组间比较,P＜0.01,蒸馏水组在各总能量下髓核消融量分别为0.0596±0.0110mg、0.0719±0.0228mg、0.1246±0.0293mg、0.1518±0.0079mg和0.2133±0.0513mg,能量组间比较,P＜0.01；ICG染色组在各总能量下髓核消融量分别为0.0699±0.0098mg、0.1067±0.0154mg、0.1978±0.0569mg、0.2224±0.0358mg和0.2626±0.0241mg,能量组间比较,P＜0.01.2、在较低总能量(E＜490J)照射下蒸馏水组消融量较其他两组少,而当总能量高于630J时,蒸馏水组消融量高于空白组,但仍低于ICG染色组.3、在相同激光能量照射下,总能量低于350J时,ICG染色组髓核消融量较空白组无明显差别,而当能量高于350J时染色剂组较空白组有显著性差异,P＜0.01.4、ICG染色髓核组织后,可以提高半导体激光器的汽化率,空白组为0.4mg/J,ICG染色后为0.5mg/J.结论:半导体激光消融髓核组织量随能量增大而增多；ICG可以提高半导体激光的汽化率,在总能量高于350J时ICG染色能够增强980nm半导体激光消融髓核组织的能力。

摘要： 目的:对经皮激光椎间盘减压术中的所用激光种类及其安全性问题进行了探讨，比较1064nm波长的Nd∶YAG激光和980nm波长的半导体激光对椎间盘髓核组织的生物热效应。方法:选取新鲜山羊完整脊柱80具,将其L6/7节段制作成脊柱功能单位标本80个,分为波长1064nm的Nd∶YAG激光组(A组)和波长980nm的半导体激光组(B组),每组40个标本,再按激光最终照射能量的不同各分为200J、400J、600J、800J、1000J 5个亚组,每个亚组8个标本，观察照射前后标本的质量差和照射过程中椎间盘周边的温度变化情况,操作结束后水平切开椎间盘观察汽化腔形态,并利用游标卡尺测量汽化腔的长、宽轴。结果:A、B两组照射后标本的质量减少量随能量的增大而增加；在相同的能量下,B组激光照射后标本的质量减少量大于A组,在能量分别为200J、400J时比较,P＜0.05,能量为600J、800J、1000J时比较P＜0.01,照射过程中椎间盘前缘、后缘、椎间孔内侧壁的温度升高值随激光能量的增加而升高；当以同一能量进行照射时,B组激光照射过程中椎间盘周边的温度升高值高于A组激光相同位点处的温度升高值(P＜0.01)，A组激光照射后肉眼观察汽化腔的形态大致呈圆形或卵圆形,B组激光照射后的汽化腔形态接近于椭圆形.相同能量照射时,B组激光的汽化腔长轴大于A组(P＜0.01)；能量为200J时,A组激光汽化腔的宽轴大于B组(P＜0.05),能量为400J时P＜0.01.能量由600J至1000J时两者无统计学差别(p＞0.05).结论:980nm波长的半导体激光对椎间盘髓核组织的消融能力优于波长1064nm的Nd∶YAG激光,而Nd∶YAG激光的安全性相对较高。

摘要： 目的:通过对髓核组织先行吲哚菁绿染色后再行PLDD，以期达到低能量安全消融髓核组织的目的。方法:选取新鲜山羊腰椎标本并制成脊柱功能单位(SFU)144个,随机选择24个行预实验,余120个随机分为空白组、蒸馏水组和ICG染色组,每组40个,再根据给予能量不同随机分为5小组.蒸馏水组与ICG染色组分别在髓核内注射100 μl蒸馏水或ICG,测定质量后应用980nm半导体激光器分别以总能量70、210、350、490、630J对标本行连续脉冲式激光照射以汽化髓核组织,术后再次测定质量,并计算照射前后标本质量差(髓核消融量).结果:髓核组织消融量随激光照射能量增大而增多,在70、210、350、490、630J的总能量时空白组的髓核消融量分别为0.0754±0.0046g、0.1170±0.0306g、0.1454±0.0410g、0.1560±0.0058g和0.1742±0.0429g,各能量组间比较P＜0.01；蒸馏水组的髓核消融量分别为0.0596±0.0110g、0.0719±0.0228g、0.1246±0.0293g、0.1518±0.0079g和0.2133±0.0513g,各能量组间比较P＜0.01；ICG染色组的髓核消融量分别为0.0699±0.0098g、0.1067±0.0154g、0.1978±0.0569g、0.2224±0.0358g和0.2626±0.0241g,各能量组间比较P＜0.01。在较低总能量(E＜490J)照射下蒸馏水组消融量较其他两组少,而当总能量达630J时,蒸馏水组消融量高于空白组,但仍低于ICG染色组。在相同激光能量照射下,总能量低于350J时,ICG染色组髓核消融量较空白组无明显差别,而当能量高于350J时染色剂组较空白组有显著性差异(P＜0.01)。空白组汽化率为0.4mg/J,ICG染色后为0.5mg/J。结论:半导体激光消融髓核组织量随能量增大而增多；ICG可以提高半导体激光的汽化率,在总能量高于350J时ICG染色能够增强980nm半导体激光消融髓核组织的效果。

摘要： 目的：探讨药物倒模术联合半导体激光治疗酒渣鼻的疗效及安全性.方祛：将140例酒渣鼻患者,采用信封法"双盲"随机分为两组,治疗组70例,口服皮肤病血毒丸,同时联合药物倒模术;对照组70例,口服皮肤病血毒丸,2组疗程均为1个月.以酒渣鼻的红斑、丘疹及毛细血管扩张程度来评价疗效.结果：治疗1个月后,治疗组和对照组有效率分别为85.7％及71.4％,2组有效率比较差异有统计学意义(P＜0.05),治疗组优于对照组.结论：药物倒模术联合半导体激光治疗酒渣鼻,具有效果显著,不良反应少等优点,值得临床推广.

摘要： 针灸作为中国传统中医的一大重要的组成部分,得到了世界上许多国家的认可,但是传统针灸存在着空气污染、效率低下、治疗专业性强、场所较为固定等不足.针对这些不足,本项目主要研制了一种便携式的、集针疗仪和灸疗仪的功能于一体的激光针灸治疗仪,有效地利用激光的生物效应代替传统针灸,从而达到治疗的目的.本装置可以满足家用小型的要求,用户可以轻松携带,在旅行中持续治疗.同时,多路输出激光信号使得用户可以同时对几个穴位进行针灸,有效地缩短了治疗时间,提高治疗效率,并且可以自行根据医生的方案设定治疗模式与疗程.

摘要： 通过推拿手法、半导体激光、玻璃酸钠关节腔注射三者结合治疗60例膝关节骨性关节炎,显效14例,占23.33％;好转41例,占68.33％;无效5例,占8.33％;总有效率为91.67％.

摘要： 带状疱疹是皮肤科常见病、多发病,其特征性皮损表现为红斑基础上的水疱,沿某一周围感觉神经呈带状分布,患者多伴有明显的神经痛.器官移植术后的病人需要长期服用免疫抑制剂,所以病人免疫功能低下,病毒易扩散,病情一般较重,采用半导体激光联合药物治疗器官移植术后带状疱疹, 疗效满意。

摘要： 本发明提供一种半导体光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第1杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第1杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。

摘要： 本发明提供一种半导体发光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第l杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第l杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。

摘要： 半导体激光元件具备：半导体层叠构造，其包含波导芯层，并具有分布反馈型激光器部和分布布拉格反射部，在所述分布反馈型激光器部中，所述波导芯层具有遍及光谐振器长度方向而连续的长度，并且在所述波导芯层的附近沿着该波导芯层而配置有衍射光栅层，在所述分布布拉格反射部中，所述波导芯层被离散地且周期性地配置，以形成衍射光栅；和电极，其用于向所述分布反馈型激光器部注入电流，所述分布反馈型激光器部使与所述衍射光栅层的周期相应的波长的激光振荡，在所述分布布拉格反射部中所述波导芯层所形成的衍射光栅被设定为具有包含所述激光的波长在内的阻带。由此，能够提供光输出高、且生产时的成品率良好的半导体激光元件。

摘要： 半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。

摘要： 本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备：DFB部，其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12)；DBR部，其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层(6)高的表面侧第二包覆层(7)；以及PD部，其层叠有背面侧第三包覆层(5)、对第一芯层(2a)所导波的激光的剩余部分进行吸收的由第二MQW结构构成的第二芯层(2b)、表面侧第三包覆层(8)以及第二接触层(14)。

摘要： 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R

摘要： 提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列(1)的侧面形成；和横向地彼此相邻地在半导体层序列(1)的主表面(12)上的隔热层(2)和金属的接触层(5)，其中隔热层(2)由电绝缘的多孔材料(9)形成。由此，在运行中产生的热量经由p型电极(5)引向热沉(20)并且避免构成二维的温度梯度。因此，反作用于在边缘发射器中的热透镜。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管和半导体激光二极管装置的方法。

摘要： 本发明提供半导体激光器模块、半导体激光器光源和半导体激光器系统。半导体激光器模块(1)具备射出激光(L)的半导体激光器(21)、以及与半导体激光器(21)光学耦合并将激光(L)进行导波而射出的光纤(3)，光纤(3)具有一个端面(4a)与半导体激光器(21)光学耦合的第一光纤(4)，以及一个端面(5a)熔接于第一光纤(4)的另一个端面(4b)并从另一个端面(5b)射出激光(L)的第二光纤(5)，第二光纤(5)包含弯曲部(7)，芯的截面积比第一光纤(4)的芯的截面积大且数值孔径(NA

摘要： 半导体激光元件具备：半导体层叠构造，其包含波导芯层，并具有分布反馈型激光器部和分布布莱克反射部，在所述分布反馈型激光器部中，所述波导芯层具有遍及光谐振器长度方向而连续的长度，并且在所述波导芯层的附近沿着该波导芯层而配置有衍射光栅层，在所述分布布莱克反射部中，所述波导芯层被离散地且周期性地配置，以形成衍射光栅；和电极，其用于向所述分布反馈型激光器部注入电流，所述分布反馈型激光器部使与所述衍射光栅层的周期相应的波长的激光振荡，在所述分布布莱克反射部中所述波导芯层所形成的衍射光栅被设定为具有包含所述激光的波长在内的阻带。由此，能够提供光输出高、且生产时的成品率良好的半导体激光元件。

摘要： 在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上具有能够减少反馈光的扰乱的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器中，在角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围时，角度α1为10度以上且25度以下的范围，角度β1为0度以上且5度以下的范围。在与外延面靠近的第一面附近的第一端面中，在m-n面内，第一法线矢量ENV1与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度α1的值(例如10度以上且25度以下的范围)。在基板背面附近的第一端面中，在m-n面内，第二法线矢量ENV2与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度β1的值(例如0度以上且5度以下的范围)。