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分子电子学

分子电子学的相关文献在1988年到2022年内共计185篇,主要集中在物理学、化学、无线电电子学、电信技术 等领域,其中期刊论文174篇、会议论文7篇、专利文献790979篇;相关期刊99种,包括潍坊学院学报、济宁学院学报、科学中国人等; 相关会议7种,包括中国核学会计算物理学会第七届年会学术交流会、第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会、第十三届全国原子与分子物理学术会议等;分子电子学的相关文献由298位作者贡献,包括王传奎、李英德、李宗良等。

分子电子学—发文量

期刊论文>

论文:174 占比:0.02%

会议论文>

论文:7 占比:0.00%

专利文献>

论文:790979 占比:99.98%

总计:791160篇

分子电子学—发文趋势图

分子电子学

-研究学者

  • 王传奎
  • 李英德
  • 李宗良
  • 邹斌
  • 刘德胜
  • 闫循旺
  • 刘云圻
  • 刘瑞金
  • 杨扬
  • 马勇
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

年份

    • 周玮
    • 摘要: 近年来,基于低维半导体结构材料量子力学效应的固态纳米电子、光电子器件与电路和基于单分子及大分子结构所特有性质的分子电子学受到了广泛的关注,关于它们的研究与发展极有可能触发新的科技革命。同样,在国内也有很多科研院校在这些领域开展了深入的研究,复旦大学芯片与系统前沿技术研究院就是其中的佼佼者。
    • 李瑞豪; 刘俊扬; 洪文晶
    • 摘要: 单分子器件电输运中的量子干涉效应是电子在分子独立的轨道能级内传输时因保持量子相干性,从而在不同能级之间发生相互干涉的现象.这种现象导致了电子在单分子器件内透射概率的增加或减小,在实验中体现为单分子器件电导值的升高或降低.近些年,利用量子干涉效应对不同的单分子器件进行调控在实验中被证实是有效的调控手段,如对单分子开关、单分子热电器件、单分子自旋器件等器件性能的调控.本文介绍了量子干涉效应的相关理论与预测、实验观测与证实,以及其在不同单分子器件上的调控作用.
    • 胡伟霖; 郭雪峰
    • 摘要: 随着电学器件的尺寸逐渐减小,分子电子学,即将单个分子作为电路的组成元件,逐渐成为一个前沿研究领域.在分子电子学领域中,这种单分子器件不仅为未来电路器件的微型化提供了潜在的解决方案,更是由于其独特的纳米尺度而蕴含着大量新奇的物理性质.本文在简要介绍单分子器件的构筑方法后,详细介绍了单分子器件在电学、磁学和量子方面的部分新奇物性以及相应的调控方式,并对单分子科学在器件制备方法、测试手段和机制研究等方面进行简要的总结与展望.
    • 曾凯; 林振超; 郑玉玲; 陈晓; 张彦
    • 摘要: 主要阐述了一种构筑石墨烯/分子/石墨烯结的方法。该方法的主要思想是在铜丝上沉积石墨烯后制备具有石墨烯纳米间隙的芯片,再利用目标分子锚定基团与石墨烯间的弱相互作用力“π-π stacking”将分子组装到石墨烯电极上,形成石墨烯/分子/石墨烯结。利用这种构筑分子结的方法,并基于机械可控裂结(MCBJ)技术,测量了3种芘与碳链连接位点不同的寡聚苯乙炔类(OPEs)分子的电导,发现3种分子OPE-2PY-1、OPE-2PY-2和OPE-2PY-3的电导值分别为1.66×10^(-5) G_(0)、2.40×10^(-5) G_(0)和1.23×10^(-5) G_(0)。
    • 夏蔡娟; 唐小洁
    • 摘要: 针对氮化多孔石墨烯纳米带(C2 N-h2D)性质单一,应用范围严重受限问题,设计了左右带宽比分别为WL:WR=1.5:1.0,WL:WR=2.0:1.0和WL:WR=2.0:1.5等3种非对称式锯齿型zC2 N-h2Ds结构.应用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合的第一性原理方法,研究了其电输运性质.结果表明:非对称式结构会显著改善C2 N-h2D纳米带的输运性能.3种非对称式结构都呈现出了优异的负微分电阻效应(NDR)和整流特性.其中WL:WR=1.5:1结构下的输运性能最优,其电流的峰谷比高达272.3;在施加偏压Ub=0.2 V时,最大整流比高达Rmax=17.824×103.为设计和制备基于C2 N-h2D纳米带的纳米级NDR器件和整流器件提供了一定的理论指导.
    • 林锦亮; 张雅敏; 张浩力
    • 摘要: 分子电子学旨在利用单个分子作为结构单元组装出功能电路以实现器件微型化.随着分子电子学的发展,各种功能器件被开发出来,很多独特的量子现象也被研究者所发现.这些突破得益于各种调控分子器件中电荷传输的刺激响应手段(例如静电场、磁场、光照、机械力和化学刺激)的运用.在众多调控方法中,利用静电场的调控方法以其独特的优势而备受关注,并且带来了许多新颖的发现.首先,和在所有电子器件中一样,静电场以非侵入的方式作用于单分子器件中.其次,不同于传统电子器件,在尺寸极小的单分子器件中施加电压可以产生极大的静电场,为调控电荷输运和催化单分子尺度化学反应等提供了必要条件.本文从常用的断裂结构筑技术展开介绍,总结静电场在调控分子-电极接触界面、分子构型和分子构象、单分子尺度化学反应、分子自旋态、分子氧化还原态、分子能级与电极能级等方面的应用.并对静电场调控在分子电子学领域内存在的一些挑战和潜在应用做了总结和展望.
    • 孙汉涛; 廖建辉; 侯士敏
    • 摘要: 在单分子结中,核心分子与电极之间的连接基团对器件的力学、电学特性有着重要影响.连接基团的力学强度影响着器件的稳定性而其电子耦合强度则影响着分子结的电导值和导电极性.两端带邻苯二胺基团的分子可以和石墨烯电极边缘的邻醌基团发生缩合反应,生成基于吡嗪连接的分子结.我们实验制备了基于吡嗪连接的石墨烯电极单分子场效应晶体管(FET)并研究了其电学性质.我们发现分子组装后器件的产率可以达到26%,证明了吡嗪连接基团用于构建石墨烯电极单分子器件的可行性.通过测量器件的电学性质,我们发现吡嗪连接与石墨烯电极之间的耦合强度对单分子场效应晶体管的导电极性有着决定性的影响.具体而言,弱耦合时器件为核心分子的最高占据轨道起主导作用的p-型FET而强耦合时器件为核心分子的最低空轨道起主导作用的n-型FET.
    • 宋沆; 胡勇; 李晓慧; 赵世强; 冯安妮; 刘俊扬; 杨扬; 洪文晶
    • 摘要: 量子干涉是单分子尺度电子输运中独特的尺度效应之一,有望解决分子器件在纳米尺度的高效调控问题,在单分子晶体管、高热电效率材料等领域具有重要作用,其相关的实验研究已成为近10年分子电子学研究领域的重要前沿.基于单分子电子学相关表征技术,对分子量子干涉效应进行直接的观测和外场调控,对于深入理解单分子尺度电子输运中的独特量子现象,并以此设计基于新奇物理化学效应的新型单分子器件具有重要意义.本文系统总结了近10年单分子尺度电子输运量子干涉效应的相关实验研究进展,对单分子尺度电子输运的独特量子干涉效应的理论基础进行了简要介绍,并对基于量子干涉效应的器件制备进行了展望.
  • 9. 温控/光控片上纳米裂结 北大核心 CSCD CSTPCD
    • 尹凯凯; 郭晨阳; 倪立发; 赵智凯; LEE Takhee; 向东
    • 摘要: 由于分子尺寸小、可化学合成、与生物组织兼容等显著优点,以有机小分子为核心的单分子器件引起了人们的广泛关注,单分子器件有望成为硅基电子器件的一个重要的互补发展方向.已报道构筑单分子电子回路的大部分方法程序繁琐,且无法在平面基底上实时调控电极间的间距.本工作采用机械切割结合电化学腐蚀的方法来制作纳米电极,通过控制施加在阴极和阳极之间的电压,并实时监测通过被腐蚀的金线的电流的大小,可以获得针尖状与分子大小匹配的纳米电极.进一步利用热胀冷缩的原理,采用比金的热膨胀系数小很多的材料作为基底,实现了环境温度对电极间距离的调控,即通过改变环境温度实现了可重复操作的电极间的连接及断开.在此温控基础之上,进一步实现了利用光强更为地精密调控电极间的距离,调控的精度可以达到原子级别.实验结果表明,我们制作的温控/光控片上纳米电极无需借助高精尖仪器,就可以实现对电极之间的距离的精密控制,其平面基底构型,为单分子电子器件的研究提供了有助于片上器件集成的新方法.
    • 刘天硕; 龙世川; 姚志轶; 师佳; 杨扬; 洪文晶
    • 摘要: 有机分子层的电输运特性是分子电子学研究的重要问题.镓铟合金电极技术具有成结率高、可靠性好及操作简便等优点,近年来已成为测量单分子层电输运的常用表征手段.本文介绍了镓铟合金电极技术的基本原理及测试方法,综述了该技术所带来的一些前沿成果,并对其目前存在的优势、缺点及未来发展前景进行了分析.
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