分子束

摘要： 对未知的好奇是人类的天性,也是推动科学发展最本真的动力。前沿基础科学,也往往会对人类社会产生深远的革命性影响。楼南泉院士在大连化物所辛勤耕耘了近60个春秋。这位资深科学家的名字与诸多“第一”联系在一起:领导筹建了国内第一个分子反应动力学实验室,填补了我国在该领域的空白;第一次代表中国化学家参加了在意大利举行的第七届国际分子束会议,并把中国人的分子反应动力学研究报告传递到国外。

摘要： 本文介绍F^-(H2O)+CH3I→[FCH3I]^-+H2O在交叉分子束碰撞能量0.3∽2.6 eV的配体交换动力学成像结果.产物的动能受到弱键结合配合物的稳定性的影响,大量水分子的内部激发不利于中间物有效的能量重新分配,随着碰撞增加,低动能受到抑制.在0.3 eV时,内部亲核取代非常重要,为形成I^-和I^-(H2O)的竞争性亲核取代途径提供了依据.

摘要： 本文使用交叉分子束方法研究了氟原子和振动激发态氘分子D2(v=1, j=0)的反应.使用受激拉曼抽运的方法制备了振动激发的D2分子.实验中未观测到来自于旋轨耦合激发态氟原子F*(2P1/2)与振动激发态D2分子的贡献.观测到来自于旋轨耦合基态氟原子F(2P3/2)和振动激发态D2的反应信号,相应的产物DF分子布居于v'=2,3,4,5振动态上.与振动基态反应F+D2(v=1,j=0)相比,振动激发态反应F+D2(v=1,j=0)生成的DF产物转动分布更“热”.获得了振动激发反应的四个碰撞能在0.32至2.62 kcal/mol范围内的微分反应截面.在最低的碰撞能0.32 kcal/mol下,所有振动态的DF产物都以后向散射为主.随着碰撞能的增加,DF产物的角分布逐渐从后向转移到侧向.测量了DF(v'=5)产物的前向微分散射截面随碰撞能变化的曲线.前向散射的DF(v'=5)信号出现于1.0 kcal/mol.在2.62 kcal/mol碰撞能下DF(v'=5)主要为前向散射.

摘要： 3D打印的应用以令人晕眩的速度增长。近来，一项新策略将塑料、3D打印和电镀结合，可轻松生成复杂的研发仪器，用于操控每个分子。研究人员Andeas Osterwalder采用3D打印，用塑料创建出了分子束分裂器，然后再电镀上镍，使仪器看起来细密精致，机械强度和导电性都能满足实验需求。

摘要： 本文报道了在分子束条件下制备振动激发态v=2的氘分子．使用受激拉曼泵浦的方案，一套单纵模激光系统用于将氘分子从（v=0,j=0）激发至（v=2，j=0）．用共振增强多光子电离技术对激发效率进行了测量，获得了25．2％的激发效率．测量了激发能量和相对激发效率之间的关系．随着斯托克斯激光能量增加，激发效率的增长趋于平缓；然而直至泵浦激光增加到60mJ时，激发效率仍然表现出线性增加的趋势．测量了在不同激光能量下的拉曼跃迁的光谱线形，观测到显著的动态斯塔克效应．在相对激发效率的三维曲面上观测到了单个峰，说明目前实验中发生的是受激拉曼抽运，而不是受激绝热拉曼通道过程．

摘要： 本书论述了分子束光谱（MB）和超冷分子光谱（UM）的理论和技术，用以解读复杂的双原子分子光谱，并以铷化钾（KRb）为例加以说明。碱金属双原子分子是最简单的分子，但是光谱学家在处理它们的光谱时仍然遇到困难。分子束和超冷分子光谱所提供的信息能有效地克服这些困难。碱金属双原子分子是在高温下生成，它有几十个振动态和几百个旋转态，因此光谱十分复杂。

摘要： 针对大学物理教材对奥托·斯特恩实验叙述的不足,分别从实验背景、实验内容、实验后期的发展状况以及对物理学发展的影响,对该实验进行了概述.

摘要： 自指纹应用到案件侦破以来，首先是人工比对，人工比对有很大的局限性，一是只对有重点嫌疑人的案件的指纹进行比对，二是只对少数重特大案件的指纹进行地毯式的比对，而且一般也是只限于对本地的十指指纹进行比对，而对外地的十指指纹进行比对的是少之又少。这就使案件串并和对那些流窜作案的犯罪分子束手无策。但是随着指纹自动识别系统在公安工作中广泛应用，并充分显示其在串并案件和破获流窜性案件等方面的优越性，这种局面就得到改善，并为案件的侦破工作提供了一个有力的杀手锏。

摘要： 研究表明PMMA在高温下主要分解为单体MMA,MMA再进一步发生燃烧反应,进而生成最终产物,因此可通过对MMA的燃烧研究间接推断PMMA的燃烧机理。利用分子束取样技术和同步辐射真空紫外光电离研究了低压条件下,MMA/O/Ar预混贫燃燃烧过程,分析了主要生成物碎片的生成机理,结果显示H、OH、HC=C-C=O、HC=C-CH4种自由基是燃烧持续进行的关键因素,为合理应用PMMA作为固体火箭推进剂和炸药组分提供了参考。

摘要： 本文介绍分子束技术与表面电子谱气体质谱技术相结合,形成分子束一表面散射谱,利用它来揭示表面吸附,脱附,催化,腐蚀,能量适应等宏观气体一表面作用过程,通过对散射产物的分析可了解气体与表面作用的微观过程.

摘要： 该文第一次报告了在分子束条件下，研究Ar＋NH碰撞离解反应。

摘要： 该文报导了应用表面磁光克尔效应谱仪（SMoKE）研究对在GaAS（001）表面分子束外延的co膜磁学性质随膜厚度变化的实结果。研究人员发现，当生长温度为150°C时，co膜的矫力厚度的变化可以分为二个阶段，在1.5-6nm这一阶段中，Co随着一度的增加由最初的几乎为零迅速增大，在6nm到最大值；接下来，当co膜厚度大于6nm时，随着厚度的进一步增大，矫顽力并下继续增大，反而下降。另外，还对克尔信号随厚度的变化进行了测量。对GaAs表面外延co膜性质随厚度的变化进行了初步的研究。

摘要： 该文报导了在分子束条件下传能反应ＣＯ（ａ，ｖ’）＋ＮＯ（Ｘ）→ＣＯ（Ｘ）＋ＮＯ（Ａ，Ｂ，ｖ）的最新研究结果，包括在反应物ＣＯ（ａ）的不同振动分布下，产物ＮＯ（Ａ，ｖ）和ＮＯ（Ｂ，ｖ）的分支比γ／β和它们各自的振动布居。

摘要： 本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了降低背景电子浓度的有效途径。研究了InN的p型掺杂,利用多种方法证明了InN的p型电导。

摘要： 自从2001-02年实验证明氮化铟(InN)室温下的禁带宽度约为0.7 eV，而不是以前认定的1.9 eV以来，关于InN的研究成为国际上氮化物研究的一个重要方向。其窄禁带的实验确认，使得Ⅲ族氮化物及其合金(InN-GaN-AIN)的带隙可以在0.63～6.2 eV之间调节，发光区域涵盖了紫外到红外的一个相当宽的范围，大大拓宽了氮化物光电器件的应用范围，比如说InGaN的带宽完全覆盖了太阳光谱的范围，因而可以利用氮化物单体系材料来制作高效率的太阳能电池;再比如，利用InN基量子阱材料有可能实现在光通讯波段的激光器件。

摘要： Heusler合金是一种半金属材料，理论上预言其自旋极化率在费米面附近能达到100％，而且许多Heusler合金具有很高的居里温度，因此被普遍认为是一种极具应用潜力的自旋电子学材料。本研究利用MBE在GaAs(001)衬底上外延生长了Heusler合金Co2FeAl薄膜，得到了质量较高的单晶样品，掌握了合适的生长参数。

摘要： 本文简单地介绍了建立一套离子速度成像装置后进行了分子光解反应动力学的实验研究.通过探测NH的母分子离子,研究了分子束的性质,另外对硫化氢、硫醇等系列分子进行了光解动力学研究.

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法，通过加热蒸发材料(5)、使该蒸发材料(5)熔融后蒸发，产生用于在固体表面上生长薄膜的蒸发分子。该分子束源装置具有装有蒸发材料(5)的坩埚(1)和加热装在该坩埚(1)中的上述蒸发材料(5)的加热单元，把由热和化学稳定且比上述蒸发材料(5)的导热率高的热解氮化硼(PBN)组成的导热介质与上述蒸发材料(5)一起装在上述坩埚(1)中。

摘要： 本发明公开了一种三状态分子束外延用束源炉快门，在具备束流开启与束流关断两种状态的基础上，新增第三种束源炉保护状态，处于束源炉保护状态的快门可以有效阻挡冷屏内壁上吸附的材料碎片掉落入束源炉中，具有可以保护束源炉内源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性、降低设备维护时间、提高设备生产效率等优点。

摘要： 本发明公开了一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备，包括腔室，源炉，第一快门和第二快门；源炉的炉口朝向腔室内设置，第一快门和第二快门向腔室内延伸，且第一快门和第二快门至少部分露出于腔室外壁；通过在腔室外操作第一快门，可将第一快门调整至完全遮挡源炉的蒸发路径的第一位置或者完全离开蒸发路径的第二位置；通过在腔室外操作第二快门，可将第二快门调整至覆盖源炉3炉口正上方的第三位置或者靠近源炉3炉口加热器的第四位置。根据本公开的双快门源炉系统能够保护源炉内的源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性。

摘要： 本发明提出了一种分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法。分子束外延系统用于在衬底上外延生长至少一种外延物质，分子束外延系统包括：束流源、第一加热组件和第二加热组件，束流源用于向衬底发射外延物质，第一加热组件设于衬底的生长面的背面，用于从背面加热衬底；第二加热组件设于衬底的生长面的正面，用于从正面加热衬底。根据本发明的分子束外延系统，可以通过第一加热组件和第二加热组件对衬底进行加热，使衬底快速达到目标温度。减少工艺时间，减少较高温度对材料表面的影响，提高了分子束外延生长质量，可适用于分子束外延生长材料生长参数差异性较大材料的超晶格结构、异质结结构的材料当中。

摘要： 一种用于薄膜堆积的分子束源，其通过针形阀调节每小时排放的分子束的量，使之保持恒定而不用考虑坩锅内剩余的薄膜元件形成材料量的降低，其包括用于加热坩锅31和41内的薄膜元件形成材料“a”和“b”的加热器32和42，以及用于调节在坩锅31和41内生成的薄膜元件形成材料“a”和“b”分子的排放量的阀33和43。并且，它还包括控制装置，该装置通过关于分子束的量的反馈信息利用伺服电动机36和46调节阀33和43的开口度，该反馈信息利用检测向成膜表面排放的分子束的量的膜厚测量仪16和26获得；供应电力以将加热器32和42加热的加热电源；以及控制装置，该装置依据关于分子源的量的信息和关于阀开口度的信息调节供应至加热电源的电力。

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法，通过加热蒸发材料(5)、使该蒸发材料(5)熔融后蒸发，产生用于在固体表面上生长薄膜的蒸发分子。该分子束源装置具有装有蒸发材料(5)的坩埚(1)和加热装在该坩埚(1)中的上述蒸发材料(5)的加热单元，把由热和化学稳定且比上述蒸发材料(5)的导热率高的热解氮化硼(PBN)组成的导热介质与上述蒸发材料(5)一起装在上述坩埚(1)中。

摘要： 本申请涉及一种分子束流限制装置及分子束外延设备，所述分子束流限制装置包括：源炉挡板，设置于衬底的一侧，用于实现自阀控源炉喷射至所述衬底的过压分子束流的开关状态；束流限制器，设置于所述源炉挡板和所述衬底之间，用于阻挡所述源炉挡板未能阻挡或反射的所述过压分子束流，还用于将所述过压分子束流经由所述束流限制器入射至所述衬底表面。束流限制器和源炉挡板的共同配合，实现对阀控源炉出射的过压分子束流进行限制的同时，还将过压分子束流引流至衬底上，尽可能降低暂存在生长腔室内的过压分子束流，进而实现过压分子束流开关状态的快速切换，提升分子束外延材料的结晶质量。

摘要： 本申请涉及一种分子束流限制装置及分子束外延设备，所述分子束流限制装置包括：源炉挡板，设置于衬底的一侧，用于实现自阀控源炉喷射至所述衬底的过压分子束流的开关状态；束流限制器，设置于所述源炉挡板和所述衬底之间，用于阻挡所述源炉挡板未能阻挡或反射的所述过压分子束流，还用于将所述过压分子束流经由所述束流限制器入射至所述衬底表面。束流限制器和源炉挡板的共同配合，实现对阀控源炉出射的过压分子束流进行限制的同时，还将过压分子束流引流至衬底上，尽可能降低暂存在生长腔室内的过压分子束流，进而实现过压分子束流开关状态的快速切换，提升分子束外延材料的结晶质量。

摘要： 本实用新型公开了一种分子束外延系统的束流遮挡装置，包括安装座，所述安装座的上侧壁固定连接有电机，所述电机的驱动端固定连接有圆盘，所述圆盘的上侧壁偏离圆心处固定连接有连接柱，所述连接柱的外壁转动连接有转杆，所述安装座的右端上侧壁固定连接有立板，所述立板上滑动插设有移动杆，所述移动杆的左端和转杆的端部转动连接。本实用新型通过移动杆左右移动过程中，使移动杆上的抵杆不断地与梯形块挤压接触，使抵杆抵杆不断的向上移动，从而带动移动杆、安装板和挡板不断的进行摆动，通过挡板摆动实现蒸发源束流的开关，本实用新型的分子束外延系统的束流遮挡装置具有结构简单、可靠和动作反应快的优点。

摘要： 本实用新型涉及一种分子束外延系统的束流遮挡装置，属于分子束外延设备技术领域。该分子束外延系统的束流遮挡装置包括步进电机、电机安装座、曲柄、连杆、摇杆组件、法兰、波纹管和挡板组件，电机安装座包括制为一体的安装底座和连接板，连接板通过支撑杆与法兰固接，摇杆组件的一侧与法兰铰接，波纹管的一端与法兰固接，波纹管的另一端设有尾端盖，尾端盖与摇杆组件的一侧固接，连杆的一端与曲柄铰接，连杆的另一端与摇杆组件铰接，挡板组件与尾端盖的一侧固接。本实用新型通过步进电机的转动带动曲柄旋转，曲柄将运动传递至摇杆组件，摇杆带动与之相连的波纹管及螺杆摆动从而带动挡板组件摆动，其结构简单可靠、动作反应快、挡板之间互不干涉。