光电性质

摘要： 采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅。通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的微观结构和杂质的分布特点。低温电子顺磁共振(EPR)结果表明,磷、硼杂质可以改变纳米硅的表面化学结构并充分钝化表面处的非辐射复合缺陷。Hall效应测试发现磷和硼杂质可替位式地掺入到纳米硅的内部,且磷杂质具有更高的掺杂效率;通过改变磷硼杂质的掺杂比例可以调控纳米硅的导电类型和载流子浓度。在小尺寸磷/硼共掺杂纳米硅中获得了1 200 nm处满足光通信波段的近红外发光,并通过调控磷的掺杂浓度实现了近红外发光的增强。通过时间分辨荧光光谱测试,结合EPR结果探讨了磷掺杂对纳米硅内部辐射复合和非辐射复合过程的调控使1 200 nm发光增强的物理机制。

摘要： 二维单层MoSi_(2)N_(4)具有优异的载流子输运能力与出色的化学稳定性,受到了广泛关注,但其光电性质与外加平面应变间的内在关系尚未展开深入探讨。本研究采用平面波超软赝势方法探索了平面应变对二维单层MoSi_(2)N_(4)能带结构和光电性质的影响,发现单层MoSi_(2)N_(4)为间接带隙半导体,其价带顶由Mo4d轨道和部分N2p轨道杂化而成,导带底则均由Mo4d轨道组成。在拉应变作用下,单层MoSi_(2)N_(4)的带隙逐渐变窄且光生载流子的有效质量不断减小;在压应变作用下,其带隙逐渐变宽,光生载流子的有效质量缓慢增大。值得注意的是,当压应变ε=-2.8%时,体系由间接带隙转变为直接带隙。单层MoSi_(2)N_(4)的光学吸收表现出明显的各向异性,且在平面应变作用下光吸收带边发生了不同程度的移动,有效地拓展了体系的光谱响应范围,有利于提升光电特性。这可为进一步研究二维单层MoSi_(2)N_(4)在新型可调谐纳米光电器件领域的应用提供理论指导。

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Cd掺杂对β-Ga_(2)O_(3)物理性能的影响。通过建立β-Ga_(2)O_(3)模型,用Cd原子替代部分的Ga原子后构建了不同Cd掺杂量模型(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)(x=12.5%、25%、50%),然后对不同的掺杂模型进行了几何结构优化,获得了稳定的晶格结构和晶格参数,并对它们的能带结构、态密度以及光学性质等进行了分析。计算结果表明,Cd掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)晶胞体积增大,稳定性减小。随着Cd掺杂浓度的增加,(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)体系的带隙表现出先减小后增大的趋势;并且随着Cd掺杂量的不同(12.5%、25%、50%),掺杂体系(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的材料性质发生了变化,由β-Ga_(2)O_(3)的间接带隙材料先变为直接带隙材料(Cd浓度为12.5%、25%),然后又变回到间接带隙材料(Cd浓度为50%)。此外,掺入Cd后降低了体系在一定能量范围内(6~25 eV)的吸收系数和反射率,从而提高了透光率。以上研究表明,选择合适的掺杂浓度可以实现光电性质丰富可调的(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)合金材料。

摘要： 以铯铅氯为代表的全无机金属卤化物钙钛矿因为优异的光电性质与缺陷容忍度成为发展高性能光伏和光电子器件的重要候选材料.然而,较差的结构稳定性成为限制其商业化应用的瓶颈问题.本文提出范德瓦耳斯集成薄层的氧氯化铋(BiOCl)在铯铅氯钙钛矿(CsPbCl_(3))表面形成范德瓦耳斯异质结,结合第一性原理计算与从头算分子动力学模拟系统研究了BiOCl/CsPbCl_(3)范德瓦耳斯异质结的环境稳定性以及界面效应对其光电性质的影响.计算结果表明,范德瓦耳斯集成BiOCl在CsPbCl_(3)的表面能够极大地改善其环境稳定性,这源于高稳定的BiOCl层隔绝了水和氧分子与钙钛矿晶格的反应.并且,两种不同终端的BiOCl/CsPbCl_(3)范德瓦耳斯异质结显示Ⅱ型的能带结构,这有助于促进载流子分离;但是,CsCl_(3)终端的异质结表现出比PbCl终端异质结更大的能带带阶,导致CsCl_(3)终端的异质结具有更高的开路电压和更低的暗电流.由于BiOCl和CsPbCl_(3)不同的禁带宽度使得异质结在可见到紫外光区域都显示出较高的光学吸收系数.本工作为提高CsPbCl_(3)钙钛矿材料的结构稳定性以及在高性能光电器件的应用提供了一个新的思路和理论基础.

摘要： 有机-无机杂化钙钛矿具有带隙连续可调、可低成本溶液加工、电荷传输性能优异等优点,其太阳电池光电转化效率在短短十年间已经超过25%。然而,目前人们对高品质钙钛矿薄膜制备过程中的结晶行为认识不足,高质量晶体可控制备存在巨大挑战,阻碍了钙钛矿光伏的产业化发展。基于同步辐射X射线散射技术,作者团队系统地研究了三维有机-无机杂化钙钛矿MAPbI_(3)和FAPbI_(3)、二维有机-无机杂化钙钛矿Ruddlesden-Popper(RP)型(BA)_(2)(MA)_(3)Pb_(4)I_(13)和层间阳离子交替(ACI)型(GA)(MA)_(3)Pb_(3)I_(10)、以及全无机钙钛矿CsPbI_(2)Br5种体系的成膜结晶动力学过程,揭示了钙钛矿结晶原位生长过程的相变机制和各种相的演变动力学,对相应的观测方法、研究成果进行了总结评述,希望促进钙钛矿结晶动力学机制方面的原创性研究,推动钙钛矿光电技术的发展。

摘要： 为改善席夫碱铂(Ⅱ)配合物因聚集猝灭引发的性能低下问题,在其外围引入大位阻苯基基团,合成了两种新型席夫碱铂(Ⅱ)配合物SPtA和SPtB,对其进行^(1)H NMR、^(13)C NMR、HRMS表征,并选取SPtB作为掺杂客体材料,采用真空蒸镀法制备了一系列器件进行光电性质研究。结果表明,SPtA和SPtB的热分解温度分别为395°C和420°C,最大发射波长均为632 nm,光致发光量子产率(PLQY)分别达到45%和47%。通过对发光层结构的优化,以4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1'∶3',1''-三联苯]-3,3''-二基]二吡啶(TmPyPB)作为混合主体,发光层厚度为30 nm,SPtB的掺杂浓度为3%(质量分数)制备的器件获得了10.5 cd/A的最大电流效率,7.2 Im/W的最大功率效率和9.6%的最大外量子效率(EQE)。该器件的最大发射波长为630 nm,CIE坐标为(0.64,0.35),为高色纯度的红色磷光OLED器件。研究表明,在席夫碱铂(Ⅱ)配合物的外围引入大位阻苯基,可起到减少分子聚集的作用,提升分子性能。

摘要： 本文采用基于非平衡态格林函数-密度泛函理论的第一性原理方法,计算了单层WSe_(2)的光电性质.计算结果表明:在小偏压下,几乎整个可见光范围内都能产生较强的光响应,且光响应与偏振角θ呈现完美的余弦关系,与唯象理论相符合.锯齿型和扶手椅型WSe_(2)纳米器件均在光子能量为2.8 eV(443 nm,对应于可见光)时,能产生较大的光响应;利用能带结构和态密度分析了产生较大光响应的原因,其主要来自第一布里渊区高对称点X处的电子受激跃迁.此外,WSe_(2)纳米器件还具有较强的各向异性和较高的偏振灵敏度;这些结果可为WSe_(2)在光电子器件中的应用提供重要的理论参考.

摘要： 卤化物钙钛矿材料由于其优异的光电性质成为近几年的研究热点之一。钙钛矿太阳能电池的光电转换效率在短短几年内已超过25%,钙钛矿材料在光电二极管、光电探测器、激光器等光电器件中也表现出良好的应用前景。钙钛矿材料及器件性能和稳定性的进一步提高是研究人员重点关注的问题。各种改善钙钛矿材料的光电性质和稳定性的策略也被不断提出,如薄膜结晶控制、界面改性/缺陷钝化、组件工程、添加剂工程等。近年来,应变工程被发现可有效改善钙钛矿材料的光电性质和器件性能,为钙钛矿材料器件性能的优化提供了新的研究视角。本文从应力应变的基本概念入手,介绍了如何测量和评估钙钛矿材料的残余应力和应变、残余应力和应变如何影响钙钛矿材料的器件性能,以及总结了对钙钛矿材料施加应力和应变的策略,最后本文对应变工程改善钙钛矿材料的器件性能这一新的研究视角做出展望。

摘要： 结合Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜的基本概念,对Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜的制备流程展开分析.利用反射光谱、透射光谱、电阻测量等,对Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜的光电性质表征进行简单的研究,继而通过该复合薄膜光电特性的明确,突出Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜的研发及应用价值.

摘要： 甲脒铅碘钙钛矿(FAPbI3)因其优异的光电性能而成为新兴太阳电池最具潜力的候选材料,但是稳定性较差成为制约其发展的主要瓶颈.通过离子掺杂可以有效地改善FAPbI3的稳定性,如通过共掺杂Cs+和Br–形成FA1–xCsxPbI3–yBry钙钛矿材料,其耐热及耐水稳定性得到显著改善.本文利用第一性原理计算了FA1–xCsxPbI3–yBry(x=0.125,y=0—0.6)体系的几何结构、电子结构和光学性质.通过分析发现Cs+和Br–的掺入使得体系能量降低,FA0.875Cs0.125PbI2.96 Br0.04最稳定.利用等效光学导纳法模拟计算了平面结构钙钛矿太阳电池的吸收率、载流子收集效率、外量子效率、短路电流密度、开路电压和伏安特性.对于FA1–xCsxPb I3–yBry钙钛矿太阳电池,当x=0.125,y=0.04,厚度为0.5—1.0μm时,电池的短路电流密度均为24.7 mA·cm–2,开路电压为1.06 V.结果表明Cs+和Br–的共掺杂在没有降低电池短路电流的同时提高了体系的稳定性,可为实验上制备高效稳定的钙钛矿太阳电池提供理论参考.

摘要： 有机共轭分子在凝聚态下存在着显著的分子间相互作用(如偶极作用、电子耦合、电荷转移等),体系的光学、半导体等光电性质敏感地依赖和受控于分子间的排列方式及其所调控的分子间相互作用模式.因此,研究有机共轭分子在特定的动力学条件下自发形成的聚集结构,并分析化学结构及其所控制的电子效应和分子空间结构特征与超分子结构之间的制约作用,以及超分子结构,主要体现为分子间排列方式,对光电性能的调控作用成为了超分子化学领域的重要研究内容. 首先，研究了氮杂稠环芳香四酞亚胺分子在特定的溶剂中形成的高度有序J-聚集结构。之后进一步系统的考察了这种J-聚集体形成的动力学过程。研究发现，对特定的分子结构而言，在形成热力学更加稳定的J-聚集体结构之前，首先形成了动力学有利的H-聚集的亚稳态结构。实验数据显示，这一复杂聚集过程的出现是因为分子可以通过两种相互竞争的分子排列方式形成结构不同的超分子组装体，动力学有利的H-聚集体和热力学稳定的J-聚集体。并且，H-聚集体呈现出三维尺度较为均匀的纳米颗粒，而J-聚集体则形成了各项异性生长的单纳米分子线结构。这些结果对分析化学结构、超分子结构和光电性质三者之间多重调控制约关系，以及更有效地设计开发和应用有机共扼分子的光电功能具有重要意义。

摘要： 二酰亚胺衍生物(简称PDI)是一类重要的非富勒烯有机小分子受体材料,其具有高光/热稳定性,高电子迁移率和易于化学修饰等特点.对苝酰亚胺分子结构的有效修饰是开发高效有机半导体材料的主要途径.在PDI母核的湾位（bay-position）或邻位（ortho-position）引入官能团可以有效调控PDI分子的LUMO能级。但是，在湾位引入官能团会因为空间位阻使分子平面结构发生扭曲。PDI母核邻位的选择性功能化可以在不影响分子平面结构的前提下改善PDI 的溶解度、光电性能和聚集态形貌，因此具有更为广阔的研究前景。C-H键活化和高效转化不仅具有原子经济性和步骤经济性两大优势，而且可以克服步骤繁琐的传统官能团化方法所不能避免的底物官能团兼容性问题。因此，其近年来在具有复杂骨架的各类功能有机分子的后期修饰中表现出巨大的应用价值。最近，我们利用酰胺羰基作为导向基团辅助过渡金属催化PDI邻位C-H键的选择性功能化，合成了一系列邻位取代以及邻-湾位选择性扩环的PDI衍生物，并对它们的光电性质和自组装行为进行了初步的研究。

摘要： 本文讲述了ITO-Si界面层模拟模型的建立，分析了界面层光电性质的模拟探索，总结了模拟结果对ITO-Si异质结光伏性能的预测，a-SiOx(In)是一种宽禁带具有良好的隧穿和钝化功能的半导体材料，此种单结太阳电池在表面制绒、背钝化后，模拟开路电压可到0.711V，短路电流可达41.28mA/cm2，转换效率81.58%，填充因子23.96%等方面的结论。

摘要： 利用化学气相沉积,在玻璃衬底上生长了SnO2掺氟(FTO)薄膜.X射线衍射测试(XRD)显示所得的FTO薄膜具有四方相结构.通过掺氟可以提高SnO2的电学性质,但掺氟同时也会影响SnO2薄膜的晶体质量,进而导致光学性质的损失.在这项研究工作中,在生长FTO薄膜时引入了SnxSi1-xO2缓冲层,并研究其对FTO薄膜光电性质的影响,发现通过引入SnxSi1-xO2缓冲层,可以较大程度降低FTO薄膜表面粗糙度,并同时保持较好的电学性质.

摘要： 纳米晶体界面的光生电荷生成、分离与传输是太阳能电池的能量转换核心.本文通过一定方法制备α-Fe2O3/Cu4Bi4S9(α-Fe2O3/CBS),α-Fe2O3/Cu4Bi4S9-reduced grapheme oxide(α-Fe2O3/CBS-RGO)两种异质结及其太阳能电池.α-Fe2O3/RGO-CBS异质结比α-Fe2O3/CBS异质结拥有更强的表面光电压相应强度和更加融合的表面光电压响应区间,而且α-Fe2O3/CBS-RGO和α-Fe2O3/CBS太阳能电池的最大光电转换效率分别为6.8％和3.1％.通过对α-Fe2O3/CBS和α-Fe2O3/CBS-RGO两种异质结的SPVS、EFISPS和I-V特征曲线的定性定量分析,本文充分研究了RGO作为传输介质界面紧密程度、能带匹配、电荷迁移率等因素对太阳能电池光电性质的影响,促进太阳能电池的发展和在实际中的应用,进一步提升了新能源技术的应用.

摘要： 目前,兼具发光和半导体性能的光电材料在有机激光器、有机发光场效应等方面具有潜在应用,因此受到了众多的关注.但是如何制备这类多功能材料仍具有挑战.围绕这方面,发展了利用十字交叉型共轭给受体分子结构来调节分子的堆积,从而制备兼具发光和半导体性能光电材料.例如,合成了一种十字交叉型共轭给受体分子,该分子表现出较好的半导体性能,其薄膜在空气中的迁移率达到0.0015cm2V-1s-1.

摘要： 近年来,基于一种新原理的有机发光材料"热活性延迟荧光"(TADF)材料引起了广泛关注,这种材料通过热激发将三重态激子反系间穿越转化为单重态激子发光,理论内量子效率可达100％,在应用方面有望发展成为低成本、高性能的OLED材料。本文简要综述了TADF的原理、材料与分子结构设计的原则和光电性质以及近年来材料与器件的发展状况.重点介绍了两种不同类型的TADF材料以及它们各自的应用.最后对TADF的发展进行了总结和展望.

摘要： 纤锌矿ZnO由于其独特的性质而在光电器件领域具有极大的应用潜力,与未掺杂ZnO相比,氢处理后ZnO呈现出优良的光电性能.本文借助于霍尔、拉曼散射、光致发光及电致发光测试技术,系统研究了氢等离子体处理以及随后的高温退火过程对ZnO薄膜及纳米材料光学及电学性质的影响.

摘要： 金刚石膜是金刚石家族中重要的成员,其制备方法(主要为化学气相沉积,CVD)和性质及应用,都不同于天然及高温高压合成的其他种类的金刚石,体现自己独特的重要价值,在半导体器件、光学及微波窗口、热沉、生物医学、切削工具等方面获得广泛的应用,为多个领域起到其他材料不可替代的作用.本文重点介绍金刚石研究领域的新研究方向,即金刚石膜与其他纳米结构半导体材料形成异质结及其光电性质研究,及新型二维金刚石纳米膜的进展,探索金刚石领域的新结构和新应用.

摘要： 本文合成了合成了一种meso-位二取代含四氮唑基锌卟啉,利用红外,紫外,核磁氢谱等手段对其结构进行表征,并分别对其光电性质进行了研究.

摘要： 具有光电转换性能的杂多配合物与有机染料杂化的有序薄膜材料，涉及硼钨钴杂多配合物和结晶紫杂化薄膜的制备及其光电转换性质的评价，属于太阳能电池光电转换材料领域。硼钨钴杂多配合物和结晶紫杂化薄膜由[BW11Co(H2O)O39]7‑阴离子和结晶紫阳离子通过静电自组装得到，所制备的3层薄膜作为工作电极在0.1mol/L Na2SO4溶液中，在100mW/cm2的白光照射下，零偏压以及外加偏压为‑0.3V(vs SCE)所产生的光电流密度分别达到8.22μA/cm2和14.93μA/cm2。所制备的薄膜在太阳能电池工作电极的开发方面有潜在的应用前景。

摘要： 本发明提供了一种具有可持续光电导性质SrTiO3材料，还提供了一种制备具有可持续光电导性质SrTiO3材料的方法，制得的SrTiO3材料受到光照时可进入并保持在低阻态，对其加热可恢复至高阻态，其可在全氧化物新型光电信息转换功能元件中作为光电信息转换材料。本发明通过软化学还原方法在较低的温度下便可在SrTiO3晶体中引入氧空位和负价氢元素，从而在SrTiO3中形成光化学活性导电间隙态，既能大大降低反应温度，节约能源，又缩短了整个合成过程的时间，且最终获得的SrTiO3晶体材料具有可持续光电导性质，导电性均匀，时间保持性优异，具有更大的高低阻态开关比，促进了基于全氧化物新型光电信息转换功能元件的开发。

摘要： 本发明涉及一种具有三维晶面结性质的二氧化钛光电极及其制备和应用，该二氧化钛光电极以钛网为钛源，以盐酸为形貌控制剂，以过氧化氢为氧化剂，通过气相水热方法在钛网基底上原位生长顶端{111}晶面暴露的一维直立金红石TiO2纳米棒；再通过二次水热于纳米棒外生长{101}、{111}纳米片，形成三维晶面结结构(Facet Junction，简称FH)，通过调节水热反应时间和溶剂比例，优化纳米片生长密度和暴露比例，制备得到的FH‑{111}TiO2/Ti光电极可应用于双酚A(BPA)废水的深度去除。与现有技术相比，本发明的光电极具有三维晶面结性质的二氧化钛光电极({111}/{101}、{111}/{110}、{110}/{101})，具有高电荷分离能力和高效光电催化氧化能力，在20～60min内对双酚A表现出100％去除。

摘要： 具有光电转换性能的杂多配合物与有机染料杂化的有序薄膜材料，涉及硼钨钴杂多配合物和结晶紫杂化薄膜的制备及其光电转换性质的评价，属于太阳能电池光电转换材料领域。硼钨钴杂多配合物和结晶紫杂化薄膜由[BW11Co(H2O)O39]7‑阴离子和结晶紫阳离子通过静电自组装得到，所制备的3层薄膜作为工作电极在0.1mol/L Na2SO4溶液中，在100mW/cm2的白光照射下，零偏压以及外加偏压为‑0.3V(vs SCE)所产生的光电流密度分别达到8.22μA/cm2和14.93μA/cm2。所制备的薄膜在太阳能电池工作电极的开发方面有潜在的应用前景。

摘要： 本发明属于半导体材料领域，特别是具有光电性质氢键诱导有机共晶，共晶是由结构式(i)、(ii)、(iii)、(iv)中的任两个分子结合而成，结构如下式表示：其中R是任何一种易于形成氢键的适宜的基团，X是杂原子N、S、O、Se。本发明提供的具有光电性质氢键诱导有机共晶，合成方法简便，步骤少，产率高，不仅具有好的固态发光效率，还兼具较高的载流子传输性质，在光电器件领域具有很好的研究价值与应用前景。

摘要： 本发明公开了一种模拟叶绿素在植物体内的堆积方式并用探针台研究其光电性质的方法。该方法包括如下步骤：将叶绿素溶于乙腈溶剂中，得到叶绿素溶液；（2）将叶绿素溶液滴涂在硅片上，或者将叶绿素溶液与水混合静置后再滴涂在硅片上，待溶剂挥发完后，用贴金膜的方法制作光开关器件；（3）在探针台上检测光开关器件分别处于光照和无光照条件下电流随时间变化的响应曲线。该方法得到了呈片状或线状堆积的叶绿素，通过模拟植物体内叶绿素的堆积方式，能直接有效地研究叶绿素的光电性质，从光响应曲线可以看到，线状单晶的响应要比片状单晶好，通过研究叶绿素在植物体内的堆积方式及其光电性质可以为人工模拟光合作用，开发新能源提供依据。

摘要： 本发明属于染料敏化太阳能电池技术领域，具体公开了一种不同空间结构的镓咔咯基染料敏化剂光电性质的预测方法，选择需要预测光电性质的镓咔咯基染料敏化剂；构建分子结构；用密度泛函理论方法进行结构优化，分析染料敏化剂分子的基态结构、前线分子轨道和能级；再使用含时密度泛函理论方法，分析染料敏化剂分子的分子内电荷转移性质，进而预测染料敏化剂分子的光电性质。该预测方法能有效避免其它物质干扰，得到镓咔咯基染料敏化剂轨道能级值、分子内电荷转移性能等，再依据理论值预测出系列镓咔咯基染料敏化剂的光电性质。

摘要： 本发明公开了卟啉格子化分子光电性质的预测方法，首先用chemdraw画出分子的化学式，接着导入chemdraw3D进行第一步的结构优化，之后投入服务器进行计算，计算完成后将log文件拖入Gaussview09查看分子的基态结构，再采用密度泛函理论中的B3LYP方法对分子进行结构优化，优化时采用6‑31G(d)基组，接着多方比较不同卟啉堆积分子的基态结构，前线分子轨道，IPa，EAa和重组能；分子的重组能越低，光电性质越好，研究发现堆积距离以及连接方式会对卟啉格子化分子的重组能会产生明显影响，堆积距离的影响相对更为显著，这就为寻找空穴和电子重组能较低的合适分子提供了有效思路。

摘要： 本发明属于半导体材料领域，特别是具有光电性质氢键诱导有机共晶，共晶是由结构式(i)、(ii)、(iii)、(iv)中的任两个分子结合而成，结构如下式表示：

摘要： 本实用新型公开了一种光电性质测量装置，包括金属底座，金属底座的圆柱腔体上设置有检测光孔和导线引出洞孔，在金属底座内设置有螺纹孔洞；在金属底座内安装有若干组夹持组件，所述夹持组件包括样品夹持金属台座、金属垫片和金属螺柱，待测样品安装在样品夹持金属台座内且待测样品的下端面与金属垫片的尖端触头相接触，金属垫片安装在样品夹持金属台座下部，样品夹持金属台座的下端安装在金属螺柱上端，金属螺柱的下端安装在螺纹孔洞内。本实用新型能实现不同形状样品的夹持和测试，能实现样品正面和侧面的光电性质测试，变换样品放置方式可以实现所有待测面的光电性质的测试，而且结构简单、使用方便，具有性能稳定和成本低的优点。