介电材料
介电材料的相关文献在1988年到2023年内共计791篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、化学工业
等领域,其中期刊论文134篇、会议论文29篇、专利文献626866篇;相关期刊81种,包括吉林化工学院学报、材料导报、功能材料等;
相关会议27种,包括综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会、中国化学会第十二届全国氟化学会议、第九届高功能氟硅材料和涂料市场开发及应用技术研讨会等;介电材料的相关文献由1497位作者贡献,包括章功国、宋伟红、陈国栋等。
介电材料—发文量
专利文献>
论文:626866篇
占比:99.97%
总计:627029篇
介电材料
-研究学者
- 章功国
- 宋伟红
- 陈国栋
- 荆建芬
- L·科索斯基
- R·弗莱明
- 刘侠侠
- 卢星华
- 李峰
- 李露
- 袁启斌
- 陶玉红
- 陈国华
- 于淑会
- 姚颖
- 孙蓉
- 戴挺
- 王兴松
- 罗翔
- 许飞云
- 初宝进
- 宋成兵
- 宋志棠
- 张蕾
- 苏民社
- 董丽杰
- 陈亚杰
- K·M·克里什纳
- L·马塔尼
- 周锋子
- 李立本
- 王鸥
- 穆拉利·塞瑟马达范
- 胡玲
- A·K·博霍里
- J·吴
- S·M·N·巴特
- S·拉马钱德拉帕尼克
- 伊恩·杰里·陈
- 信家豪
- 刘卫丽
- 刘淑芬
- 卡尔·爱德华·施普伦托尔
- 周万丰
- 孙凯
- 季尚伟
- 宇佳·翟
- 尹先升
- 崔寿永
- 康凯
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曲绍宁;
汪叶舟;
刘继龙;
陈昭伟;
尹训茜;
王忠卫
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摘要:
采用Stober法对高介电常数陶瓷填料钛酸钡(BT)进行改性,得到二氧化硅(SiO_(2))包覆BT(BT@SiO_(2))填料,并采用溶液浇铸法制备具有高介电储能性能的聚醚酰亚胺(PEI)/BT@SiO_(2)复合材料薄膜,研究了复合材料薄膜的表面结构、结晶行为、介电性能、储能性能等。X射线衍射(XRD)及透射电子显微镜结果表明,SiO_(2)成功包覆在BT粒子的表面,制备了具有“核-壳”结构的BT@SiO_(2)填料;扫描电子显微镜、XRD结果表明,BT@SiO_(2)填料在PEI基体中分散均匀,SiO_(2)层增强了填料的分散性;介电性能、储能性能测试结果表明,高介电常数BT@SiO_(2)填料的引入有效增强了PEI复合材料的介电常数,降低介电损耗。当BT@SiO_(2)填料的体积分数为0.2%时,PEI复合材料的特征击穿强度达到最大值468 MV/m,相对纯PEI提高了16%,在电场强度为400 MV/m的条件下,其放电能量密度为4.1 J/cm^(3),相对纯PEI提高了192%,充放电效率为72%。
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姜明;
程战;
赵丹;
张雷;
徐东
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摘要:
采用改进的溶胶凝胶法制备Mg掺杂的CaCu_(3-x)Mg_(x)Ti_(4)O_(12)(x=0、0.05、0.1、0.15和0.2,摩尔分数,%)薄膜。对掺Mg的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)薄膜的微观结构和电性能进行研究。与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜的晶粒尺寸较小。此外,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有高介电常数和出色的频率稳定性。同时,Mg掺杂可以减少CCTO薄膜在10^(4)~10^(6) Hz频率范围内的介电损耗。结果表明,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有良好的电学特性,x=0.15和x=0.1的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数分别提高到7.4和6.0。
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潘鹏晖;
吉鹏飞;
林根;
董希明;
赵晋晖
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摘要:
对单脉冲飞秒激光加工熔融石英进行了理论和实验研究,在追踪自由电子密度、温度和激光强度时空分布的基础上,量化了飞秒激光辐照熔融石英的电子动力学及瞬态材料光学和热物理的演变过程.通过将理论预测的烧蚀阈值、深度及轮廓,和实验结果进行比较,发现了理论预测结果与实验测量结果较好吻合,验证了本文所提出的理论模型的有效性.并进一步通过理论模型,揭示了在不同飞秒激光能量密度(也称“激光通量”)和脉冲持续时间(也称“脉冲宽度”)的辐照下,光致电离和碰撞电离中的自由电子弛豫时间演变规律,发现了自由电子弛豫时间对材料光学性质的演变和飞秒激光能量吸收过程起着至关重要的作用.理论模拟和实验测量均发现激光能量密度对烧蚀坑的形状有很大影响,即在激光能量密度略高于烧蚀阈值时烧蚀体积与激光能量密度呈线性关系.相较于皮秒激光而言,在飞秒激光辐照下烧蚀体积随着激光能量密度的增加而增大更为明显.因此,本文提出在略高于烧蚀阈值时可获得较高的加工效率,而在远高于烧蚀阈值时可获得良好的可重复性加工.
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摘要:
2021年7月27日,埃万特宣布将PREPERM^(TM)低介电损耗的热塑性材料添加到其不断扩大的材料体系中,以满足新兴的5G应用市场的需求。依赖于5G技术的各种设备正在电信、消费电子、汽车和医疗保健等领域不断创新,反过来,这些设备的性能发挥又仰赖于在5G高频段、毫米波(mmWave)频率下具有低信号损失的材料。这些高频介质材料可为天线、基站、谐振器、透镜、汽车雷达、互联网设备以及直接服务于终端用户的设备(例如路由器和调制解调器)提供更快、更可靠的连接。
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摘要:
埃万特于2021年7月27日宣布将PREPERM TM热塑性低损耗介电材料添加到其不断扩大的材料体系中,以满足新兴的5G应用市场的需求。依赖于5G技术的各种设备正在电信、消费电子、汽车和医疗保健等领域不断创新,反过来,这些设备的性能发挥又仰赖于在5G高频段、毫米波频率下具有低信号损失的材料。这些高频介质材料可为天线、基站、谐振器、透镜、汽车雷达、互联网设备,以及直接服务于终端用户的设备(例如路由器和调制解调器)提供更快、更可靠的连接。
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朱润强
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摘要:
随着经济的发展,人们对于能源的需求十分广泛,可供使用的材料也更加齐全.介电材料,又称电介质.介电复合材料是指多种介电材料组合在一起构成的材料.介电复合材料的种类有很多,其中高介电常数聚合物为人们的生产和生活带来很大的便利,可以用来制作高容量高品质的电器,由于它的优良性能,这种介电复合材料受到人们的广泛关注.
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沈忠慧;
江彦达;
李宝文;
张鑫
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摘要:
介电电容器具有超高功率密度、低损耗以及高工作电压等优点,是广泛应用于电子电力系统的关键储能器件.铁电聚合物是发展高储能密度电介质薄膜材料的理想选择,而基于铁电聚合物的纳米复合材料则兼具了聚合物的高击穿场强、柔性、易加工等特点以及陶瓷的高介电性能,是近年来电介质储能材料研究的前沿与热点.本文首先介绍了铁电聚合物材料的制备、铁电性能以及极化特性的调控方法,随后总结了铁电聚合物纳米复合材料中纳米填料、复合结构以及界面三个关键调控策略对复合材料介电与储能性能的影响,并探讨了基于相场方法的纳米复合材料中介电与储能特性的微观机制研究,最后对高储能密度铁电聚合物纳米复合材料现存问题以及未来发展方向进行了总结与展望.
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董久锋;
邓星磊;
牛玉娟;
潘子钊;
汪宏
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摘要:
介电储能电容器以其充放电速度快、功率密度高等优点,在现代电子和电力系统中得到了广泛应用.目前,与可再生能源相关的新兴产品,如混合动力汽车、并网光伏发电和风力发电、井下油气勘探等,对于介电储能电容器的高温储能性能提出了更高的要求.本文总结了近年来关于聚合物及其纳米复合电介质材料的高温介电储能研究中的代表性研究进展,为该领域科研工作者进一步研究提供参考.首先介绍了电介质材料储能的物理机理,并对电介质材料的几种电导机制进行了总结和分析;接下来介绍了目前提高聚合物基电介质材料高温储能性能的几种方法,包括纳米复合改性和相关的层状结构设计,以及高分子聚合物的分子结构设计和化学交联处理等;最后对聚合物基电介质材料在高温储能应用领域中尚待解决的科学技术问题进行了讨论,并展望了未来可能的研究方向.
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张明;
栾小燕;
周亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会》
| 2013年
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摘要:
本文介绍了一种新型大电流脉冲调制器件——双间隙伪火花开关,它利用介电材料沿面放电进行触发,双间隙导通脉冲大电流,可以用来调制不低于50kV、50kA的脉冲.本文就双间隙伪火花开关沿面放电的三种触发材料进行了相关研究,确定了氮化铝-碳化硅材料具有优良的触发性能与机械性能,解决了触发单元成品率较低的问题,实现了双间隙伪火花开关的产品化.
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李俊杰;
谭少博;
张志成
- 《中国化学会第十二届全国氟化学会议》
| 2012年
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摘要:
本文通过对聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]改性接枝聚甲基丙烯酸乙酯(PEMA)侧链,成功实现了含氟聚合物在高电场中的反铁电行为.采用典型的ARGET-ATRP反应,以P(VDF-TrFE-CTFE)为原料,通过控制聚合时间,得到了不同PEMA含量的接枝共聚物.结构表征说明,接枝共聚物P(VD)F-TrFE-CTFE)-g-PEMA具有与P(VDF-TrFE)(80/20)相同的晶型结构,即单一的β晶型,同时结晶度和晶粒尺寸显著减小.电滞回线研究结果表明,随着PEMA含量增加,D-E曲线由典型的铁电性矩形回线逐渐向双螺旋回线转变,即新型的反铁电特征;同时,这种反铁电性即使在电场>400MVv/m亦得到了很好的保持.与具有相同TrFE组分P(VDF-TrFE)相比,P(VDF-TrFE-CTFE)-g-PEMA(22wt%)接枝共聚物的释放能量密度增大(最高为14J/cm3),且能量损耗显著降低(30%).这种高电场中的反铁电行为主要归于非晶PEMA链段对P(VDF-TrFE)结晶过程的阻碍和电场中晶粒取向运动的限制作用.研究结果对新型的高储能低损耗电容器介电材料具的理论研究和设计制各具有重要的指导煮义。
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李苗;
张道范;
王皖燕;
陈小龙
- 《第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会》
| 2009年
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摘要:
随着世界电子信息产业的迅速发展,新型电子元器件的发展方向呈现多元化,而电子元器件的小型化、片式化一直是主要方向发展之一。不论是手机,计算机,还是其他的电子产品,集成电路都是其中重要的组成部分。而作为集成电路板上的重要元件——电容器,它在电路中起到了储能、抗干扰、旁路、耦合等重要的作用,器件的小型化使得大容量成为电容器的发展方向之一。大容量就要求电介质具有高的介电常数。近年来,介电材料CaCu3Ti4O12(CCTO)因其具有非常高的介电常数(~104)以及在室温范围内较好的温度稳定性而得到了大家的普遍关注。然而它的介电损耗却比较大,在室温1kHz的测试条件下约为0.1,不利于实际的应用。此外,它的介电响应具有着较大的频率和电压依赖性,这对于要求对于频率和电压波动稳定的电路中是不允许的。本文制备了Eu2/3Cu3Ti4O12(ECTO)和Tb2/3Cu3Ti4O12(TCTO)两种材料以作研究。
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