非晶硅薄膜

摘要： 作为太阳能发电系统的核心组成部分,太阳能光伏面板可分为三代:a)晶体硅光伏面板,包括单晶硅光伏面板和多晶硅光伏面板;b)薄膜光伏面板,包括非晶硅薄膜光伏面板、碲化镉(CdTe)薄膜光伏面板、铜铟硒(CIS)薄膜光伏面板、铜铟硒化镓(CIGS)薄膜光伏面板;c)新兴技术光伏面板,包括聚光(CPV)光伏面板、染料敏化光伏面板、有机光伏面板、混合光伏面板。

摘要： 众所周知,能源驱动城市发展,然而随着传统能源日渐枯竭以及全球环境污染逐日加剧,人类迫切需要寻找新型可再生能源以驱动城市发展.因此,发展可再生能源已成为我国能源结构转型和缓解气候恶化的关键途径.科学研究表明,太阳能发电是一种清洁可再生的能源利用方案,具有"取之不尽,用之无竭"的优点.目前已商用化的晶体硅太阳能电池的光电转化效率最高,但受材料纯度和制备工艺的限制,晶体硅太阳能电池很难在提高光电转化效率的同时降低生产成本.于是,硅基薄膜太阳能电池的问世无疑是一道曙光——薄膜太阳能电池只需几微米的吸光层就能实现高效率光电转换,可以在降低生产成本的同时提高光电转化效率,具有生产成本低、硅材消耗少、光电转换效率高的无可比拟优势.

摘要： 非晶硅薄膜太阳能电池凭借其薄膜特性、综合发电能力强、与玻璃结合外观漂亮等优点,在BIPV领域有着广阔的发展空间.尤其是透光组件的出现为光伏建筑的发展增添了新品种,其半透明性不仅可以满足建筑采光的需求,同时与建筑的结合更为紧密.研究在一定环境下,彩色细线条透光组件和背电极透光组件的发电性能.结果表明,在晴天直射强光和阴天弱散射光环境下,彩色细线条透光组件的发电量远高于背电极透光组件的发电量.

摘要： 日本国立材料科学研究所（NIMS）宣称,纳米多孔非晶硅薄膜阳极展现了出色的循环稳定性,在充放电100次后,其锂离子存储容量甚至能够达到2962mA·h/g（2.19mA·h/cm^2）.

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,以硅烷和氢气为反应气源,通过改变射频功率、硅烷浓度来制备氢化硅基薄膜材料。研究了沉积参数的变化对硅基薄膜材料微结构的影响。通过红外吸收谱、紫外可见光谱以及X射线衍射谱对样品材料进行表征。实验结果表明,随着射频功率的增加,薄膜中氢含量也相应地增大,而光学带隙表现出先增大后减小的规律。当硅烷浓度逐渐降低时,薄膜材料的光学带隙相应地降低,并从非晶硅薄膜逐渐向微晶硅薄膜材料转变,且薄膜材料在(111)方向的晶粒尺度达到了10.92 nm。实现了在高沉积压强、大射频功率、低硅烷浓度条件下可以有效优化改善硅基薄膜质量。

摘要： 目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜(Amorphous Silicon Film)。利用高温退火炉脱氢后进行准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA),完成非晶硅到多晶硅的转变。通过扫描电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析,后续完成薄膜晶体管后利用I-V测试机台对器件特性进行测试。结果随着非晶硅薄膜厚度的增加,准分子激光晶化的最优能量密度(Optimal Energy Density,OED)以及工艺窗口(OED Margin)均增加,当膜层厚度大于等于47 nm时,OED Margin均为25 mJ/cm^2。当膜厚为47 nm时,多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.64,也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射率为4.5时,形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.45,远优于折射率为4.38时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折射率为4.5的非晶硅薄膜形成未掺杂的LTPS TFT(PMOS)迁移率为120.6 cm^2/(V?s),阈值电压为-1.4 V,关态电流为53 pA;折射率为4.38时的迁移率为112.4 cm^2/(V?s),阈值电压为-2.0 V,关态电流为71 pA。结论当非晶硅膜厚为47 nm时,准分子激光晶化的OED Margin以及晶化后的多晶硅晶粒尺寸均处于较优的水平。另外,提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。

摘要： HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构,从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。这种类型结构的电池可以在较低温度下(<250°C)制造,具有良好的光照稳定性和温度稳定性,成本低而且效率高,目前效率达到26.7%。文章简述了HIT太阳能电池的结构和工作原理,并且总结了HIT电池的研究和应用现状。除此之外,还分析了提高HIT太阳能电池效率的方法以及HIT电池广阔的应用前景和巨大的商业化潜力。

摘要： 在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化p型非晶硅薄膜,研究了不同射频功率对氢化p型非晶硅薄膜性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱,并利用台阶仪测试出薄膜的厚度.结果表明,p型非晶硅薄膜的透过率与射频功率密切相关,p型薄膜的电导率呈现出先增大后减小规律,在射频功率达到150W时,薄膜的电导率达到4.46×10-3S/cm.

摘要： 目的：对非晶硅薄膜太阳能电池行业职业病危害特征及其防护效果进行分析,为职业病危害防控提供依据.rn 方法：通过职业卫生学调查和职业病危害因素检测等方法,对该行业在生产过程中产生的职业病危害因素及危害程度、防护设施及其效果和应急救援设施等进行评价.rn 结果：该行业存在磷化氢、乙硼烷和矽尘等严重的职业病危害因素,工作场所各类职业病危害因素均符合国家职业卫生标准.rn 结论：该行业属职业病危害严重的项目,但机械化、自动化和密闭化程度高,现行的职业病防护设施及其防护效果符合卫生要求.鉴于该行业工作场所在生产过程中有可能突然逸出大量有害物质,需定期对其进行危险性评价和实行危险度的管理.

摘要： 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析。结果表明：采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。由正交实验表的分析结果得知，对透过率影响最大的是气体总压；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率为30W、气体总压为100Pa、氢与硅烷氢的比例为5％、沉积时间5min、退火温度为300°C、退火时间45min，非晶硅薄膜的光透过率93.18％，电阻率为13.238 kΩ·cm。

摘要： 非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本研究采用射频磁控溅射(RF-MS)法在不同温度下制备了非晶硅(a-Si)薄膜，以研究衬底温度对硅薄膜光学带隙的影响。研究表明a-Si薄膜光学带隙与内部缺陷、悬挂键和杂质等密切相关。衬底温度变化会显著影响a-Si薄膜内部缺陷和悬挂键的形成，进而改变其结构及性能。

摘要： 介绍了目前人们对非晶硅表面钝化本质的认识在半导体物理方面多限于钝化后硅片少子寿命的提高以及由此推算所得表面复合速率的大小,认为这还不能清晰解答钝化作用的本质,因为钝化薄膜的作用包括对悬挂键的减少以及表面固定电荷的变化等多种机制.

摘要： 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.rn 研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材料微结构的角度分析了钝化材料如何影响钝化效果.太阳电池中本征非晶硅层应厚度适中,保证电池同时具有高开路电压和填充因子.

摘要： 本文旨在优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n 型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i a-Si:H 薄膜工艺,得到更好的钝化效果.实验研究了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n 型Cz 硅片(40*40mm)上用WT-2000PV(微波反射光电导衰减法(WMPCD))测试得到的硅片平均少子寿命值在800us 以上,局部在1500us 以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片的体少子寿命为2ms,则S<5.6cm/s.

摘要： 本文结合青海都兰30MWp并网光伏电站项目,分别采用多晶硅与非晶硅薄膜太阳能电池板进行方案设计.通过对比两种方案的发电量、占地面积、经济性对比等指标得出,在大型并网光伏电站中,目前非晶硅薄膜电池的经济性已经与多晶硅电池接近,但其制造技术仍有待进一步提高.通过以上对比，可以看出，在该工程中:rn (1)非晶硅薄膜电池具有受温度影响小、弱光性好等优点，即使考虑到制造工艺相对不成熟、低压线损大等因素，其首年表现仍然要优于传统多晶硅电池。rn (2)非晶硅电池的衰减有两种机理:初期的光致衰减和长期的老化衰减。rn (3)用硅量少是非晶硅电池成本优势的主要原因，但也使得非晶硅的价格受硅料价格影响较小。rn (4)由于转换效率远低于多晶硅电池，非晶硅电池方案的占地面积大大高于多晶硅电池，进而引起征地面积、土建工程量和电气设备数量的增加，在大型并网光伏电站中，这些缺点在很大程度上抵消了非晶电池本身的价格优势。

摘要： 设计了一种由非晶硅和多晶硅两种材料结合而成的太阳能电池薄膜,在电池表面采用光吸收系数高的非晶硅薄膜,在电池内部采用转换效率高的多晶硅薄膜.这种结构兼顾了短波段太阳光谱在材料表面被吸收、长波段太阳光谱在材料内部被吸收的情况,具有良好的光吸收率和光电转换效率,并且膜的总体厚度为微米量级,需要的硅材料少,成本低,可以满足电池的高效低成本要求.

摘要： 太阳能十储能装置的联合供电模式能保证临近空间飞艇的长时滞空,由此,要解决的首要问题是选择何种类型的太阳能电池.针对此问题,本文首先总结了太阳能电池在国内外典型临近空间飞行器上的应用情况;其次,分析了对太阳能电池工作特性有较大影响的环境因素,并结合飞艇的蒙皮特性,形成了太阳能电池的选型依据;之后,针对飞艇用太阳能电池,还就国内可获各类柔性薄膜太阳能电池产品的性能进行了比较,得到了铜铟镓硒和非晶硅类薄膜太阳能电池的综合性能相当的结论;最后,指出了将薄膜太阳能电池应用于临近空间飞艇上亟待解决的太阳能电池与柔性蒙皮的可靠连接、连接处的热控措施、太阳能电池阵列在柔性蒙皮上的装配几个关键技术,为后续研究提供了方向.

摘要： 一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖。由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上，而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖从电极板体上拆卸，然后将边缘端盖上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应盒的利用率，并提高镀膜质量。

摘要： 一种非晶硅薄膜的晶化以及多晶硅薄膜的制造方法和装置，用高能量密度的电子束作用到非晶硅薄膜上，控制电子束加速阳极电压和束流，使非晶硅融化层与玻璃基板保持极高的温度梯度，当电子束截止后，非晶硅熔化层逐渐冷却，并晶化。该装置主要包括：电子光学系统、计算机控制系统、工件室及置于工件室内的工件控制台。阴极置于负高压，非晶硅接地，电子束逐行扫描，电子束扫描的后一行与前一行的重复率可以达到99％以上，扫完一场后，截止电子束，移动工件控制台，然后再扫描下一场，如此反复。工件室可以是真空室也可以处于大气状态或一定气氛中。若在大气或惰性气体环境下，工件室与电子光学系统间有电子束引出窗。

摘要： 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200°C左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450°C下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N

摘要： 本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成前电极，所述前电极为掺杂氧化锌透明前电极；在所述前电极上形成接触层，所述接触层的形成材料为锗化物；在所述接触层上形成PIN结层；在所述PIN结层上形成背电极。相应的，本发明还提供了一种非晶硅薄膜太阳电池。本发明提供的制备方法在前电极和PIN结层之间插入一层厚度较薄的锗化物，可有效防止氧和锌进入非晶硅薄膜电池中，从而改善非晶硅薄膜的质量，提高电池的光电转换效率。

摘要： 一种多片沉积PECVD非晶硅薄膜反应盒的电极板，电极板体用于承载PECVD基片的侧表面外形轮廓不大于PECVD基片的外形轮廓，电极板体前后两端分别通过活动连接装置安装有边缘端盖。由于PECVD基片将电极板体侧表面覆盖住，因此镀膜工艺中会将膜层镀到两侧的两个边缘端盖上，而电极板体不会附着镀膜层。当镀膜工艺完成后，将边缘端盖从电极板体上拆卸，然后将边缘端盖上的膜层进行清洗，清洗完毕后再安装到原电极板体上。因此可以减少硅粉在反应盒电极板和镀膜芯片的附着，有效增加反应盒的使用次数，降低清洗清洁的劳动强度，提高反应盒的利用率，并提高镀膜质量。

摘要： 本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中，PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷，提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法，能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法，该方法包括：将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中，对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积；对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。

摘要： 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。其主要技术方案是：首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝，并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。

摘要： 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。

摘要： 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200°C左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450°C下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N

摘要： 一种非晶硅薄膜的晶化以及多晶硅薄膜的制造方法和装置，用高能量密度的电子束作用到非晶硅薄膜上，控制电子束加速阳极电压和束流，使非晶硅融化层与玻璃基板保持极高的温度梯度，当电子束截止后，非晶硅熔化层逐渐冷却，并晶化。该装置主要包括：电子光学系统、计算机控制系统、工件室及置于工件室内的工件控制台。阴极置于负高压，非晶硅接地，电子束逐行扫描，电子束扫描的后一行与前一行的重复率可以达到99％以上，扫完一场后，截止电子束，移动工件控制台，然后再扫描下一场，如此反复。工件室可以是真空室也可以处于大气状态或一定气氛中。若在大气或惰性气体环境下，工件室与电子光学系统间有电子束引出窗。