抛光

摘要： 背景:临床上冠修复体表面抛光处理可有效减少色素沉着及菌斑黏附,且能够降低对颌牙的磨耗。目的:研究不同抛光处理对全氧化锆修复体表面粗糙程度和细菌黏附的影响。方法:制作30个的全氧化锆试件,尺寸为10 mm×10 mm×2 mm,随机分为5组(n=6):对照组(单纯上釉处理)、抛光组(绿色碳化硅砂石、Shofu瓷抛光Kit、Ceramaster Polisher抛光)、抛光膏组(绿色碳化硅砂石、Softcut PA、Shofu瓷抛光Kit、UltraII金刚砂抛光膏)、精细抛光组(绿色碳化硅砂石、Softcut PA、Shofu瓷抛光Kit、Ceramaster Polisher抛光)、多步精细抛光组(绿色碳化硅砂石+白色氧化铝砂石、Softcut PA+Softcut PB、Shofu瓷抛光Kit、Ceramaster Polisher抛光)。测试各组试件处理后的表面粗糙度值和表面形态及表面变形链球菌黏附情况。结果与结论:①5组试件的表面粗糙度值由高到低为:抛光组、抛光膏组、多步精细抛光组、精细抛光组、对照组,抛光组粗糙度值高于其他4组(P<0.05),抛光膏组粗糙度值高于对照组、精细抛光组、多步精细抛光组(P<0.05);②扫描电镜下可见,对照组试件表面较平整未见明显划痕;精细抛光组、多步精细抛光组与对照组相似;抛光膏组试件表面的划痕深且伴有小颗粒;抛光组表试件面最不光滑,可见明显的划痕和深沟槽以及许多不规则颗粒状的突起;③5组试件表面细菌黏附量由高至低依次为:抛光组、抛光膏组、多步精细抛光组、精细抛光组、对照组,抛光组细菌黏附量显著高于其他4组(P<0.01);④结果表明,Shofu的精细抛光和多步精细抛光方案均能有效提高全氧化锆试件表面的光洁度,减少表面细菌黏附,效果堪比上釉。

摘要： 针对曲轴抛光后曲轴轴颈油孔下凹问题、曲柄销轴颈刹车印问题、圆角粗糙度超差问题、止推面粗糙度超差问题,通过分析抛光臂、抛光瓦与曲轴的受力和运动关系,找出质量问题根本原因,并针对性设计不同结构的抛光瓦解决相应质量问题。为同类产品的相似技术问题提供一套有效分析路径和改进措施。

摘要： 小口径非球面光学透镜具有优良的光学性能和广阔的应用前景,但其常用的碳化钨模具由于高硬度的材料特性,加工和抛光难度较大.为获得高质量、高精度的小口径非球面透镜,利用磁场辅助的抛光方式对其碳化钨模具进行加工:首先,通过一系列单因素试验选出合适的金刚石微粉粒度和抛光液成分配比,再采用正交试验探究多种工艺参数对抛光效果的影响规律,确定最佳工艺参数组合.结果表明,使用该组工艺参数抛光可以使检测点的粗糙度由10.3 nm降至3.2 nm,刀纹痕迹明显变浅甚至消失.因此,磁场辅助的抛光方式能够有效改善模具表面的波纹度和粗糙度,对于小口径非球面光学元件的加工具有一定的参考意义.

摘要： 硬脆材料具有膨胀系数低、强度高以及化学性质稳定等优点,被广泛应用于航空航天、光学器件和集成电路等重要领域。但其因高硬度、低韧性,在加工过程中极易发生脆性断裂,影响加工效率和表面质量。因此,实现硬脆材料的高效去除以获得低损伤的加工表面是当前硬脆材料加工面临的主要难题。研磨抛光加工是实现硬脆材料表面平坦化的常用加工方式,可以在保证较高材料去除率的同时获得纳米级的表面粗糙度。研磨加工时,工件材料在磨粒的切削、耕犁、挤压及划擦作用下被去除,该方式作用下的材料去除率较高,但容易造成严重的亚表面损伤。因此在后续的抛光加工中,通常利用化学抛光液与工件材料之间的化学反应来进一步消除损伤,提升表面加工质量。然而,研磨抛光工艺的加工系统复杂,影响因素众多,为了合理地调控加工工艺参数,需要对材料去除机理进行深入的研究。目前硬脆材料研磨抛光加工的材料去除机理大体可分为机械作用和化学-机械协同作用两个方面。其中机械作用下的材料去除形式表现为塑性域去除和脆性去除,化学-机械协同作用下的化学反应类型又可分为由摩擦作用引起的固相化学反应以及由化学抛光液导致的化学成键与断裂。本文介绍了硬脆材料平面研抛的常用加工方法,从机械作用和化学-机械协同作用两个角度综述了硬脆材料平面研抛的材料去除机理,指出了现阶段研究中存在的问题并对未来的研究方向进行了展望。

摘要： 针对滚动轴承空心滚子内孔去氧化皮的难题,采用粒度为46,220目的碳化硅黏弹性流体磨料,对挤压轧机轴承的空心滚子进行去除内孔氧化皮试验,结果表明:利用磨料流加工方法可以有效去除空心滚子内孔的氧化皮;在相同的磨料流加工参数下,采用不同粒度的碳化硅磨粒可获得不同的加工表面,加工表面应与所用的碳化硅磨粒相匹配,氧化皮较厚的加工表面应分阶段进行加工,以便实现良好的氧化皮去除效果。

摘要： 流体动压抛光基于流体剪切效应可实现非接触微去除,可获得粗糙度1 nm以下的超光滑表面,在先进光学及微电子材料加工领域有很好应用前景。基于球体弹性发射加工方式设计流体驱动抛光球,通过Fluent软件对抛光区流场仿真,分析了流体速度以及工件表面压力和剪切力分布,从抛光间隙、工具球直径及主轴转速等3个参数探究其对工件表面所受最大压力和剪切力的影响规律。设计单因素抛光试验进行参数优选,并开展小口径(20 mm×20 mm)抛光试验,工件表面粗糙度RMS从16.939 nm下降至2.467 nm的结果,初步实验表明该加工方式在光学元件的应用具有可行性。

摘要： 酒店用全棉本色毛巾和染色毛巾采用生物酶进行前处理和染色后皂洗处理。对比生物酶工艺与正常工艺对毛巾质量的影响。结果表明:在合适的温度、用量、时间和pH等条件下,生物酶工艺保证了毛巾的染色性能和吸水性,毛巾的强力保留率提高、失重率下降,毛巾洗涤后起毛起球数量下降,产生的废水COD下降,深色毛巾皂洗时可节省2道高温皂洗。该工艺省时、节能、节水,提高生产效率,降低劳动负荷。

摘要： 为了提高打磨抛光效率与质量,降低环境污染对人体的伤害,研制一套自动打磨抛光机器人集成控制系统。控制系统以PLC作为主控单元,机器人与打磨抛光末端执行器作为执行单元,与主控单元建立Profinet通信,并基于Qt编程环境设计了上位机人机交互界面和数据库。全面介绍了该套控制系统硬件框架、自动加工控制流程、集成控制系统方案、控制系统通信关键技术、上位机人机交互界面设计及数据库管理设计。经实物验证,该套控制系统打磨效率高,性能可靠且人机友好操作简单。

摘要： 针对深孔内壁光整加工效率低且成本高的技术难题,提出采用自主研制的针式形磁性复合流体(Magnetic Compound Fluid, MCF)抛光工具头对深孔零件进行光整加工。采用COMSOL Multiphysics对永磁铁结构进行建模仿真,设计磁场分布均匀的针式形抛光工具头结构;建立MCF深孔抛光的磁场模型和流场模型,并对其进行耦合仿真,分析流体流动特性。以黄铜H62工件为抛光对象,开展工艺试验,并对抛光前后工件的表面微观形貌、表面粗糙度以及材料去除率进行研究。试验结果表明:当针式抛光工具头转速为1400 r/min,抛光间隙为1 mm时,获得较好的抛光效果,有效改善了深孔内壁表面质量。同时试验结果验证了该方法的有效性,为实现MCF深孔抛光技术奠定研究基础。

摘要： 通过对砂皮种类、目数、研磨材料硬度等方面进行分析,确定适合瓷器修复的砂皮,从而使修复的瓷器达到陈列的要求。实验以玻璃砂砂皮、氧化铝砂皮、氧化硅砂皮作为常见的瓷器修复材料,针对瓷器修复中不同的修复步骤对应的不同打磨要求来确定相应的砂皮种类、对应目数、打磨手法、打磨效果等。实验表明玻璃砂砂皮可以应用于瓷器清洗、打磨,碳化硅砂皮可以应用于粗打磨,氧化铝砂皮适用于打磨和作色。

摘要： 介绍了中性酶8000L抛光染色一浴工艺的大生产实践，并与常规抛光染色工艺进行对比。采用中性抛光酶8000L，可使抛光工艺和染色工艺在一浴中进行，节省一道抛光工序。生产实践表明，应用抛光染色一浴工艺可达到常规二浴抛光的效果，且大幅降低了水、电、蒸汽等能源消耗，缩短了工艺时间，达到高效节能的目的。

摘要： 本文分析了全抛釉面砖的特点和釉面抛光对抛光磨具的要求，研制了对釉面砖进行仿形全抛光和半抛光高效加工的树脂基弹性金刚石磨块，研究了全抛釉树脂基弹性金刚石磨块的结构、制备工艺及性能，并展望了其发展前景。

摘要： 超光滑表面在现代工业和国防领域的应用越来越多,但由于其对加工工艺和环境以及设备的要求苛刻,使得超光滑表面的获得还存在较大难度。针对激光陀螺反射镜常用微晶玻璃的加工工艺,本文介绍了一种较为成熟的超光滑表面加工方法——定偏心浸液式抛光,采用这种方法进行多次微晶玻璃超光滑表面的工艺实验,稳定地获得了埃量级的超光滑表面,精度可达平面度0.041mP-V/Φ60mm,表面粗糙度Ra0.32nm。

摘要： 本文阐明了电流变抛光的现实意义,对抛光用电流变液进行了实验研究,利用由电流变液和微细磨料(AlO)混合配制的电流变抛光液对硬质合金试件进行了抛光实验,得到了良好的抛光效果,证明所配制的电流变抛光液应用于电流变抛光加工是完全可行的。

摘要： 本文通过对金属工件表面在不同电流强度及扫描速度的处理结果,分析其原件和处理后的表面粗糙度.介绍了一种表面处理技术--等离子体抛光技术,并对其机理、优点、应用等相关内容作了简要阐述.

摘要： 本文主要介绍电解铜箔用阴极辊对电解铜箔的影响、钛的物理化学特性、腐蚀原因、钛辊研磨与抛光的几种方法和基本要求。

摘要： 本文将对特种材料(以抗氢钢为例)挤压珩磨原理、珩磨质量影响因素进行系统的分析，通过工艺实验及数据的综合分析对珩磨效果进行评价．对挤压珩磨代替手工抛光的可行性进行探讨，以最终达到提高抛光效率，降低抛光难度，解决特种材料抛光难题的目的。

摘要： 为了获得具有平整Si面的SiC晶片,使用线切割和机械磨抛的方法对6H-SiC(0001)晶锭进行加工.本文采用SEM和AFM对加工后获得的SiC晶片样品进行测试分析,结果表明:根据初步的加工工艺参数,可以使样品Si面的粗糙度小于0.4μm.结合切割和磨抛机理,本文还提出进一步改善加工效率和精度的方法,包括切割时x轴向进给速度上限、晶锭自转和研磨主盘转速下限和改善金刚石粒度均匀性.

摘要： 石英晶体谐振器电阻是—个比较复杂的参数,它表征晶体谐振器特性的好坏,电阻小,振荡活力大,电阻大,振荡活力弱,甚至在电路中不能被激起。谐振器的电阻与其内摩擦及加工条件所造成的的耗损等因素有关。谐振器的内摩擦与晶体的内部结构缺陷以及振动频率有关。加工条件所造成的的耗损主要包括表面耗损、装架等。主要以三次泛音SC切10M晶体谐振器为例浅谈影响SC切晶体谐振器电阻的因素。

摘要： 石英晶体谐振器电阻是—个比较复杂的参数,它表征晶体谐振器特性的好坏,电阻小,振荡活力大,电阻大,振荡活力弱,甚至在电路中不能被激起。谐振器的电阻与其内摩擦及加工条件所造成的的耗损等因素有关。谐振器的内摩擦与晶体的内部结构缺陷以及振动频率有关。加工条件所造成的的耗损主要包括表面耗损、装架等。主要以三次泛音SC切10M晶体谐振器为例浅谈影响SC切晶体谐振器电阻的因素。

摘要： 本发明提供作为具有席夫碱的二醇或其衍生物的含席夫碱的扩链剂，另外，还提供使用其制造的聚氨酯及其改性方法、包含聚氨酯的抛光层、使用了该抛光层的抛光方法。

摘要： 本发明公开了一种用于利用单个抛光设备来实现多种类型的抛光的抛光垫。根据一个实施方案的抛光垫包括：面向抛光构件和支撑构件中的一者的第一外层；面向抛光构件和支撑构件中的另一者的第二外层；定位在第一外层与第二外层之间的内层；以及形成于第二外层中、内层能够进入的多个空间。内层的硬度既低于第一外层的硬度又低于第二外层的硬度。

摘要： 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

摘要： 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

摘要： 本发明公开了一种圆孔的抛光方法及其抛光系统、抛光装置和抛光设备，圆孔的抛光方法，包括：控制待抛光的圆孔沿平行或重合于所述圆孔的轴线旋转；控制抛光棒伸入待抛光的所述圆孔中；控制所述抛光棒沿所述抛光棒的轴线旋转，并控制所述抛光棒的轴线和所述圆孔的轴线重合，以使所述抛光棒对所述圆孔的内壁进行抛光。上述圆孔的抛光方法，利用圆孔的旋转，使抛光棒能够与圆孔的内壁的整圈充分接触打磨，降低了对抛光棒的技术要求，提高了打磨抛光的品质和品质稳定性。

摘要： 本发明公开了一种用于利用单个抛光设备来实现多种类型的抛光的抛光垫。根据一个实施方案的抛光垫包括：面向抛光构件和支撑构件中的一者的第一外层；面向抛光构件和支撑构件中的另一者的第二外层；定位在第一外层与第二外层之间的内层；以及形成于第二外层中、内层能够进入的多个空间。内层的硬度既低于第一外层的硬度又低于第二外层的硬度。

摘要： 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

摘要： 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

摘要： 透明窗板(31)装配在制造于抛光垫(21)中的孔中。透明窗板(31)的上部与用作抛光垫(21)的抛光表面的上部之间存在距离a。抛光时,支撑晶片的抛光头借助于加压机构压到抛光垫上,抛光垫(21)和透明窗板(31)被压缩。然而,所说距离a在一基准值之上保持恒定。透明窗板(31)的上部从抛光体(21)的上部凹下,因此,在修整期间,透明窗板(31)的表面不会被划伤,所以可以延长抛光垫的寿命。

摘要： 本发明提供一种晶片抛光头的制造方法，该方法包括以下步骤：将由多个层构成的导向环联结到基底基板的边缘；将导向环的边缘倒圆；通过涂覆在导向环的已倒圆表面上形成第一涂层；将橡胶卡盘固定在基底基板上；以及在粘合剂和粘合剂材料的外周表面上通过从橡胶卡盘到第一涂层涂覆而形成第二涂层。