带隙

摘要： 为进一步优化压电声学超材料分流电路设计,提出了一种基于零极点配置的主动控制电路,总结出零极点配置的一般规律,直接通过调节零点和极点设计相关传递函数,并利用微控制器加以实现。由于数字控制器能够利用计算机进行远程控制,因此可以更灵活地调节超材料带隙。该方法降低了模拟电路的复杂度,摆脱了模拟电路需要手动调整参数的限制,为超材料的智能控制提供了新的思路,更便于实际应用。实验结果表明,压电超材料在低频模态范围内均有超过14 dB的衰减,由此证明了结构所用主动控制电路的有效性。

摘要： 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究不同翘曲度下锗烯的电子结构及光学性质,分析翘曲度对电子结构及光学性质的影响。采用六种不同的近似方法对锗烯的几何结构进行优化,得到最稳定的结构体系,在此基础上选取不同的翘曲度,并对翘曲度的稳定性进行论证得到三种较稳定的翘曲结构。通过翘曲度的调节打开锗烯的带隙,并且通过调节翘曲度实现锗烯带隙在间接带隙和直接带隙之间的转化,通过分析态密度解释了能带结构的调控机制,以及翘曲度对锗烯光学性质的影响。研究表明翘曲度能够有效地调控锗烯的电子结构和光学性质,提高光电子利用效率。

摘要： 针对使用第一性原理计算获得高精度带隙的方法耗时长、效率低,并且在系统地测量大量材料系统带隙时难度大的弊端,结合机器学习中常用的岭回归、Lasso回归、支持向量回归(SVR)和随机森林算法,提出利用已知物理特征预测多元化合物带隙的机器学习方法.最后通过实验给出了基于成分信息特征集对各种模型的比较结果,分析各方法的性能、优势和不足.通过机器学习方法能够实现精准地预测多元化合物带隙,降低研究成本.

摘要： 在地球中传播的地震波主要有体波和表面波,而表面波中Rayleigh波对建筑物造成的破坏最为强烈。针对Rayleigh波的振动控制,提出一种田字形超材料结构。相比于传统的地震超材料,这种超材料屏障是由外部口字形框体内部嵌套十字形柱体组成,形成4个可填充区域,其外部框体采用部分埋入的方式,具有高强度、强稳定性、填充方式灵活的特点。应用有限元法计算了田字形超材料的能带结构和传输特性,并通过分析带隙边界处模态振型可知,带隙的打开是由于柱体的局域共振。结合带隙机理可知,柱体结构中土壤填充量不同可改变柱体的质量,形成不同的谐振频率,产生甚低频带隙。为进一步拓宽带隙,设计研究了正、负梯度的质量填充方式,均可得到3.3~13.1 Hz甚低频宽带隙,在谐振频率范围内两者的隔震方式分别为Rayleigh波彩虹捕获和Rayleigh波到体波的转化。最后,采用EI-Centro地震波对填充屏障进行了时程验证,加速度最大幅值衰减超过80%,为地震超材料在减震隔震方面应用提供了新的设计思路和方法。

摘要： 为更好探究弹性波在有砟轨道结构中的传播特性,建立基本元胞平面波倒格矢下的多层有砟轨道波动方程,得到无限周期结构模型的频散曲线及各阶带隙,分别为:0~57.4 Hz、72.14 Hz~122.2 Hz、141.9 Hz~243.5 Hz。通过参数分析,得出结构中的局域共振带隙主要受到扣件、轨枕、道床刚度等轨下支撑的影响;Bragg带隙主要受到扣件刚度及元胞长度的影响。同时,建立有限周期数的多层有砟轨道模型求解结构的振动传递系数dB,得到在各阶带隙范围内dB值小于0,即弹性波明显衰减,验证了带隙的存在及计算的正确性。为探寻带隙机理,模拟多层有砟轨道的集中质量模型,推导出各阶带隙的边界频率计算公式及振动模式。最后,提取位于带隙范围内的60 Hz、90 Hz、200 Hz以及位于通带范围内的70 Hz、150 Hz、2 000 Hz下的钢轨及道床位移分布,对于带隙范围内的频率,钢轨及道床位移会沿着弹性波波动方向快速衰减,表现出带隙特性,且衰减速度与振动传递系数大小相符;而对于通带范围内的频率,钢轨及道床位移沿着弹性波的波动方向无明显变化或衰减,即表现出通带特性,这进一步阐释有砟轨道结构中弹性波的传播特性以及带隙对钢轨及环境振动的抑制作用。有关结论可为后续从波动角度研究轨道结构及环境振动提供新的思路及理论支撑。

摘要： 为从弹性波角度准确分析轨道结构的振动特性,采用传递矩阵法建立单层欧拉梁、单层铁木辛柯梁,双层欧拉梁、双层铁木辛柯梁四种轨道结构声子晶体理论分析模型,分析结果表明,不考虑阻尼影响时,单层欧拉梁模型与单层铁木辛柯梁模型在0~250 Hz内带隙位置无明显差异,在1 000 Hz以上时二者的带隙位置则显著不同;双层欧拉梁模型和双层铁木辛柯梁模型0~250 Hz内带隙位置有较大不同,而在250 Hz以上频段内的"带隙"位置基本相同,且与单层梁模型带隙位置有显著不同。考虑阻尼影响时,各模型均存在通带变为不完全带隙,以及禁带的频带宽度会有微小展宽的现象,禁带的中心位置受阻尼的影响可忽略不计。在低频(0~250 Hz)内的现场测试结果与理论分析结果基本吻合,因此建议采用声子晶体理论分析钢轨振动噪声控制时,250 Hz以上的中高频振动分析采用铁木辛柯梁模型更为准确,分析250 Hz以下低频振动时,无砟轨道可用单层欧拉梁模型或铁木辛柯梁模型,有砟轨道应采用双层铁木辛柯梁模型。

摘要： 硒化锑(Sb_(2)Se_(3))具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一。目前,在Sb_(2)Se_(3)的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注。采用VTD法制备Sb_(2)Se_(3)薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等。本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb_(2)Se_(3)薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征。结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响。晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小,同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长,在基底倾角为90°时,薄膜变得最为致密。近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1100 nm的范围具有最低的反射率,在该角度下制备的FTO/CdS/Sb_(2)Se_(3)/C器件获得了2.38%的转换效率。

摘要： 为抑制充液管路中轴向振动波传播,利用吸振器安装点处位移与轴向力连续条件,采用传递矩阵法建立充液管路带多个吸振器动力学耦合模型,与有限元计算结果对比,验证了该计算方法的正确性。计算分析了轴向波在吸振器前后的透射与反射系数,并进一步计算了吸振器周期排列时管路轴向振动带隙。研究结果表明:轴向波在吸振器共振频率全部反射,反射系数带宽随吸振器刚度与阻尼增大而变化;吸振器周期分布时,管路系统轴向振动同时存在局域共振型带隙与Bragg带隙,轴向波在局域共振型带隙内得到了有效的抑制。研究结果可为管路轴向减振、吸振器设计提供参考。

摘要： 利用密度泛函理论(density function theory,DFT)模拟计算了二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物(MXs:SnS、SnSe、SnTe、GeS、GeSe和GeTe)的本征结构和电子特性,重点研究了双轴应变对MXs的能带结构特点、带隙大小和费米能级的影响。发现应变对单层MXs的色散关系影响不大,但是对带隙大小的影响较大,而且压缩应变对带隙的影响大于拉伸应变。同时应变还可以调节GeSe、GeTe、SnSe和SnTe的直接带隙与间接带隙之间的转换。在应变的作用下单层MXs的费米能级随应变系数ε值的增加而降低,且压缩应变的影响大于拉伸应变的影响。采用应变工程研究二维MXs电子特性的变化趋势能为下一步实验上设计出高性能的二维半导体器件提供理论依据。

摘要： 为了研究周期性三维轨道结构中弹性波传播规律,采用波有限元方法建立结构元胞动刚度矩阵,基于Bloch定理求解结构中弹性波波数和特征向量,得到其频散曲线,进一步结合弹性波叠加方法,计算无限长三维轨道结构响应。对比平面半轨道结构模型,三维轨道结构中频散曲线数量增加一倍,出现结构非对称波模态。此外,三维轨道结构中存在明显的弹性波耦合与转换,在同一条频散曲线中,可同时存在以弯曲波或扭转波为主的波模态,并在群速度最小位置发生波模态转换。由于三维轨道结构中存在对称与非对称弹性波模态,轨枕局域共振只与其中一类行波产生单一耦合,因此无法形成完全局域共振带隙。最后,采用振动传递系数验证弹性波在轨道结构中的传播规律,阐明不同荷载激励条件下轨道结构弹性波带隙的表现行为。

摘要： 本服务研究了一种适用于太赫兹器件的二维金属光子晶体结构，该结构为正方晶格的二维铜介质柱光子晶体。首先分析了它的带隙结构，然后再分别讨论了引入点缺陷和线缺陷时所产生的一些特性，并构造了一种适合太赫兹波传输的金属光子晶体波导模型，并采用时域有限差分法（FDTD）分析模拟了太赫兹波在这种波导中的传输特性。研究结果为THz波段器件的开发及制作提供了理论依据。

摘要： 本文在弹簧振子系统中引入声子晶体理论中的局域共振带隙机理,得出其弯曲振动的带隙特性,并使系统的周期尺寸比禁带内振动波长低两个量级,成功实现了"小尺寸控制大波长"的目的.论文主要通过改变系统的弹簧和振子的参数,分析其对带隙宽度的影响.具有低频局域共振带隙的周期结构为结构减振提供一种全新的技术途径.

摘要： 机械振动一直是工程技术中迫切需要解决的问题.周期结构声子晶体在减振降噪方面的应用越来越受到人们的重视本文运用自适应智能算法对二维声子晶体的带隙宽度进行优化设计,用Rough 集的数据分类简约功能对带隙宽度难点进行了研究,去掉了多余属性的样本数据,从而使神经网络拓扑结构优化.计算结果表明,智能算法在带隙优化设计中是一个很有意义的研究方向.

摘要： 低维半导体量子材料是解决光纤通信领域光电子器件的重要因素,IN st，有必要对严重影响低维自组织半导体材料光电性能的应变分布进行研究。本文利用格林函数法研究了InGaAs/GaAs量子线宽度对应变分布的影响,根据VandeWalle的固体模型理论分析了修正应变后的带隙。沿量子线宽度方向,量子线应变的绝对值明显减小,带隙则随量子线宽度增加而逐渐减小。

摘要： 采用等离子浸没离子注入和沉积(PIII-D)方法在室温下合成了氮掺杂碳基薄膜。薄膜的厚度大约200 nm;采用路易斯酸碱对的方法深入研究了薄膜的表面能;用拉曼光谱和X射线光电子能谱分析了薄膜的成分和结构。结果表明：薄膜内氮的掺杂含量和sp2簇并不是随氮气流量增加而持续增加;带隙宽度与薄膜表面能中的酸碱分量比有较好的相关性。

摘要： 以二维铝圆柱/空气正方格子声子晶体为研究对象,通过用两列正方散射柱替换原型散射柱构造了异质结,采用平面波法结合超元胞的方法研究了该异质结的声波导特性。结果表明,当f=0.7、fd=0.5,旋转散射柱时,缺陷带出现在-45°＜θ＜45°范围内,数量、位置随旋转角变化,且缺陷带的分布关于(01)方向对称；对于给定的f=0.7,只要方形散射柱对角线在(10)方向的投影小于2.118R时,带隙中就有缺陷带出现,带隙中缺陷带的数量随fd的增加而减少；当fd很小时,缺陷柱的方位、横加面形状对声波导没有影响。

摘要： 我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard's公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe合金薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681),我们还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4～9.5 μm间的折射率.

摘要： 本文提出了一种带有两个阻带结构的改进型马刺线结构，以及嵌入到微带线中的非对称的马刺线谐振器。非对称的马刺线谐振器具有双阻带特点及慢波作用，因此可以有效抑制功放的高次谐波。为验证非对称马刺线结构对放大器影响，我们设计并制作了两个InGaP HBT功率放大器，其中一个在外部输出部分加载非对称马刺线结构，另一个则仍采用传统的50欧姆微带线。结果表明非对称马刺线结构能抑制输出端的一谐波和二谐波达27dB，并能将功率附加效率(PAE)和输出功率各提高6-8％和1-4％。

摘要： 本文提出了一种带有两个阻带结构的改进型马刺线结构，以及嵌入到微带线中的非对称的马刺线谐振器。非对称的马刺线谐振器具有双阻带特点及慢波作用，因此可以有效抑制功放的高次谐波。为验证非对称马刺线结构对放大器影响，我们设计并制作了两个InGaP HBT功率放大器，其中一个在外部输出部分加载非对称马刺线结构，另一个则仍采用传统的50欧姆微带线。结果表明非对称马刺线结构能抑制输出端的一谐波和二谐波达27dB，并能将功率附加效率(PAE)和输出功率各提高6-8％和1-4％。

摘要： 本文提出了一种带有两个阻带结构的改进型马刺线结构，以及嵌入到微带线中的非对称的马刺线谐振器。非对称的马刺线谐振器具有双阻带特点及慢波作用，因此可以有效抑制功放的高次谐波。为验证非对称马刺线结构对放大器影响，我们设计并制作了两个InGaP HBT功率放大器，其中一个在外部输出部分加载非对称马刺线结构，另一个则仍采用传统的50欧姆微带线。结果表明非对称马刺线结构能抑制输出端的一谐波和二谐波达27dB，并能将功率附加效率(PAE)和输出功率各提高6-8％和1-4％。

摘要： 本发明涉及具有启动电路(2，22)的带隙基准电路(1)以及用于启动带隙基准电路的方法。启动电路(2)在电阻器(R3)两端电压达到预置的阈值电压前协助带隙基准电路(1)启动，并在电阻器(R3)两端电压降达到预置的阈值电压时启动电路自动断开。电阻器(R3)与带隙基准电路(1)的二极管半导体(D2)串联连接。作为另一种选择，启动电路(22)在带隙基准电路(1)内一个节点(B1，B2)处的电位和带隙基准电路(1)另一节点(B0)处的电位之间的差值电压，即正比于带隙基准电路(1)的输出电压(Vout)或输出电流的电位，达到预定的阈值电压之前协助带隙基准电路(1)的启动。一旦差值电压达到阈值电压，启动电路(22)自动断开。本发明还涉及启动带隙基准电路(1)的对应方法。

摘要： 本发明涉及具有启动电路(2，22)的带隙基准电路(1)以及用于启动带隙基准电路的方法。启动电路(2)在电阻器(R3)两端电压达到预置的阈值电压前协助带隙基准电路(1)启动，并在电阻器(R3)两端电压降达到预置的阈值电压时启动电路自动断开。电阻器(R3)与带隙基准电路(1)的二极管半导体(D2)串联连接。作为另一种选择，启动电路(22)在带隙基准电路(1)内一个节点(B1，B2)处的电位和带隙基准电路(1)另一节点(B0)处的电位之间的差值电压，即正比于带隙基准电路(1)的输出电压(Vout)或输出电流的电位，达到预定的阈值电压之前协助带隙基准电路(1)的启动。一旦差值电压达到阈值电压，启动电路(22)自动断开。本发明还涉及启动带隙基准电路(1)的对应方法。

摘要： 本公开涉及一种带隙基准电路及带隙基准芯片。带隙基准电路包括：电源、嵌位电路、第一晶体管、第二晶体管、等效电阻电路和基准电压输出电路；嵌位电路的输入端与电源相连，嵌位电路的输出端分别与所述第一晶体管和第二晶体管相连，用于控制第一晶体管的输入端和第二晶体管的输入端处于虚短路状态；等效电阻电路与第二晶体管的输出端相连，用于为等效电阻电路中的第一目标晶体管和第二目标晶体管提供电流，其中，等效电阻电路中的第一目标晶体管和第二目标晶体管工作在线性区；基准电压输出电路与等效电阻电路相连，用于根据等效电阻电路的电压生成基准电压。如此，可以有效减小电阻面积，进而减小带隙基准电路的面积，节约成本。

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本申请公开了一种带隙基准电路、带隙基准芯片及电源管理芯片，该带隙基准电路包括启动电路和工作电路，启动电路包括启动支路和触发支路，启动支路包括第一启动开关管和第一NMOS管，第一启动开关管的控制端用于接收使能信号；触发支路包括第二NMOS管、第二启动开关管和第三启动开关管。当第一启动开关管收到使能信号，第一NMOS管管的漏极电压升高，触发第三启动开关管导通，进而触发第二启动开关管导通，输出端开始为工作电路充电，直至充电电流将第二NMOS管的栅漏极电压抬高，使第一NMOS管的电压降低，触发第三启动开关管关闭，工作电路进入正常工作模式。该启动电路的电路结构简洁高效，应用成本较低。

摘要： 本公开实施例公开了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：正温度系数单元、匹配单元和生成单元。其中，正温度系数单元，用于生成正温度系数电压；匹配单元分别连接正温度系数单元和生成单元，用于基于正温度系数电压生成第一初始电流，基于第一初始电流生成第二初始电流；匹配单元包括至少两个电阻；生成单元，用于基于第二初始电流生成基准电压；基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够减小电流镜的匹配误差，提高性能。

摘要： 本公开提供了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：生成单元、第一分压单元和第二分压单元。其中，生成单元，用于生成正温度系数电压和负温度系数电压；以及，基于正温度系数电压和负温度系数电压，得到正温度系数电流和负温度系数电流。第一分压单元，分别连接生成单元和第二分压单元，用于基于正温度系数电流和负温度系数电流，生成初始电流。第二分压单元，用于基于初始电流确定基准电压；第一分压单元和第二分压单元影响基准电压的分压比例；基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够调整输出的基准电压，扩大使用范围。

摘要： 本公开提供了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：正温度系数单元、电流镜单元和生成单元。其中，正温度系数单元，用于生成正温度系数电压，基于正温度系数电压得到正温度系数电流；其中，正温度系数单元包括分流子单元；分流子单元的电流的值关联于正温度系数电流的值。电流镜单元，分别连接正温度系数单元和生成单元，用于基于正温度系数电流生成镜像电流。生成单元，用于生成基准电压，基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够调整输出的基准电压，扩大使用范围。