奥地利微电子公司

摘要： 奥地利微电子公司（ams）最新推出的AS5047D、AS5147和AS5247磁性位置传感器均采用突破性的DAECTM补偿技术。可将动态角度误差几乎降低至零．在业界实现了重大突破.

摘要： 2014年7月14日，奥地利微电子公司（AMS）宣布推出新的磁性位置传感器“47系列”。据奥地利微电子公司高级市场经理Oliver Weber先生介绍，新产品采用了突破性的DAECTM补偿技术，能对高速旋转的轮轴进行极其准确的角度测量。

摘要： 奥地利微电子公司（AMS）集成光学红外非接触式手势检测和Mobeam条形码仿真技术等六种传感器功能的智能传感器系列TMG3992／3993现已量产，主要适于智能手机、平板电脑及消费类电子产品的非接触式于势控制和显示屏管理。

摘要： 奥地利微电子公司推出新的AS5601非接触式旋转位置传感器。AS5601采用奥地利微电子业经检验儿获专利的平面磁性霍尔化置传感技术。AS5601在非接触式旋转位置测量中的性能表现突出，避免了传统旋转编码器在可靠性方面的所有问题。

摘要： 奥地利微电子公司推出新的磁性位置传感器系列，新的“47系列”位置传感器包括具有DAEC（动态角度误差补偿）功能的AS5047D、AS5147、AS5247三款产品。DAEC是奥地利微电子开发的新技术，可用来消除由传播延迟导致的测量误差，该技术目前正在申请专利。

摘要： 高性能模拟IC和传感器供应商奥地利微电子公司亮相2014亚洲移动通信博览会，展示了一系列新颖的光传感器、颜色传感器、接近传感器及手势传感器，揭示移动生活新趋势。奥地利微电子的客户包括全球知名的移动设备制造商，并广受其信赖。奥地利微电子的环境光／接近检测传感器如今已被成千上万的智能手机使用，用以延长电池寿命并改善用户体验。在不同的照明条件下，这些传感器能帮助实现显示屏亮度的自动调节，并在使用者接听或拨出电话时关闭显示屏。

摘要： 奥地利微电子宣布推出集成环境光、颜色（RGB）及接近感知功能的智能显示屏管理的集成颜色传感器。该传感器专为黑玻璃覆盖下的应用进行优化，引领移动设备智能显示应用的发展。

摘要： 奥地利微电子公司推出电动助力车，电动自行车锂电池参考设计图，能在无需微控制器的情况下，对电池管理系统实施精准的电池监测和均衡。

摘要： 奥地利微电子公司日前推出的高可靠性无触点磁性位置传感器技术在汽车行业备受认可。汽车供应商大陆集团（Continental）正以奥地利微电子的磁性位置传感器AS5162为基础，推出其新型CPS系列底盘高度传感器。

摘要： 奥地利微电子公司近日宣布汽车系统制造商德国大陆（Continental）正式选用奥地利微电子的AS5134角位置传感器芯片。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥。在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。

摘要： 本发明创建了一种具有用于检测热像仪图像的传感器芯片（1）的微电子器件装置（100）。所述传感器芯片（1）具有前侧（VS）、背侧（RS）和侧面（SF），所述侧面（SF）将所述前侧（VS）与所述背侧（RS）相连。所述微电子器件装置（100）此外还包括至少一个分析电路（A1）和透镜，其中所述至少一个分析电路（A1）至少局部地以所述传感器芯片（1）的背侧（RS）和/或以所述传感器芯片（1）的侧面（SF）与所述传感器芯片（1）有接触，其中所述透镜（L1）布置在所述传感器芯片（1）的前侧（VS）上而且覆盖所述传感器芯片（1），其中所述传感器芯片（1）的侧面（SF）和/或所述分析电路（A1）的侧面（SA）以及所述透镜（L1）的侧面（SL）至少局部具有机械拆除的痕迹。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括在基底结构上方形成牺牲材料。用抗蚀刻材料替换所述牺牲材料的部分。在所述抗蚀刻材料以及所述牺牲材料的剩余部分上方形成堆叠结构。所述堆叠结构包括布置成分层的绝缘材料和另外的牺牲材料的竖直交替序列以及至少一个阶梯结构，所述至少一个阶梯结构与所述抗蚀刻材料水平重叠并且具有包括所述分层的水平端部的台阶。形成竖直地延伸穿过所述堆叠结构以及所述牺牲材料的所述剩余部分的槽。在形成所述槽后，选择性地用导电材料替换所述牺牲材料和所述另外的牺牲材料，以分别形成侧向接触结构和导电结构。

摘要： 本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括在导电屏蔽结构和水平邻近于所述导电屏蔽结构的第一介电结构上方形成导电屏蔽材料。第二介电结构形成在第一介电结构上且水平邻近于所述导电屏蔽材料。图案化所述导电屏蔽材料和所述第二介电结构以形成在第一水平方向上平行延伸的鳍片结构。所述鳍片结构中的每一个包括：两个介电末端结构，其与所述第二介电结构的剩余部分成一体；以及额外导电屏蔽结构，其在所述第一水平方向上插入在所述两个介电末端结构之间。导电线形成为在所述第一水平方向上平行延伸，且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上与所述鳍片结构水平交替。

摘要： 本申请涉及用于形成微电子装置的方法，以及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括柱结构(包括半导体材料)、与所述柱结构的上部物理接触的接触结构，以及在所述接触结构上方并与所述接触结构物理接触的导电结构。所述导电结构的每一个包括具有第一水平宽度的下部、垂直覆盖所述下部并具有大于所述第一水平宽度的第二水平宽度的上部，以及垂直插入所述下部与所述上部之间并具有弧形水平边界的附加部，所述弧形水平边界界定从接近所述下部的所述第一水平宽度变化到接近所述上部的相对较大水平宽度的附加水平宽度。还描述了存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。

摘要： 一种微电子装置包括存储器阵列区、控制逻辑区及额外控制逻辑区。所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串。所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置。所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。还描述了形成微电子装置的方法以及额外微电子装置及电子系统。