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CARRIER-SELECTIVE CONTACT JUNCTION SILICON SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

机译:载体选择性接触结硅太阳能电池和制造方法

摘要

In a carrier-selective contact junction silicon solar cell according to the present invention, a copper iodine thin film as a hole-selective contact layer is formed through low-temperature annealing so that excellent p-type semiconductor properties are maintained, and electrical conductivity and passivation properties become excellent, thereby improving photoelectric conversion efficiency.
机译:在根据本发明的载体选择性触头结硅太阳能电池中,通过低温退火形成作为空穴选择性接触层的铜碘薄膜,从而保持优异的P型半导体性能,以及电导率和电导率 钝化性能变得优异,从而提高光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号US2022005966A1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOREA INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY;

    申请/专利号US201917289730

  • 发明设计人 CHAE HWAN JEONG;KI SEOK JEON;

    申请日2019-07-22

  • 分类号H01L31/0749;H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/0376;H01L31/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:14:40

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