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FLARE PREDICTION METHOD, PHOTOMASK FABRICATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND FLARE PREDICTION PROGRAM

机译:火炬预测方法,光掩模制造方法,半导体器件制造方法和火炬预测程序

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flare prediction method capable of predicting flare with high precision and in a short computation time.;SOLUTION: There is provided a flare prediction method in a photolithography comprising: a step S14 of obtaining a pattern density distribution of a pattern layout; a step S15 of obtaining a gradient of change in the pattern density distribution; and steps S16 to S19 of performing flare computations in a plurality of division sizes which are based on the gradient of change in the pattern density distribution.;COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种能够在短的计算时间内以高精度预测耀斑的耀斑预测方法。解决方案:提供一种光刻中的耀斑预测方法,包括:步骤S14,获得光斑密度的图案分布。图案布局;步骤S15,求出图案浓度分布的变化梯度。以及步骤S16至S19,其基于图案密度分布的变化梯度以多个划分尺寸执行耀斑计算。;版权所有:(C)2012,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2012164767A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-08-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHIBA CORP;

    申请/专利号JP20110023019

  • 发明设计人 ARISAWA YUKIYASU;UNO TAIGA;

    申请日2011-02-04

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:43:52

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