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Russian Microelectronics

Russian Microelectronics

中文名称：俄罗斯微电子

ISSN：1063-7397
出版周期：-

发文量：870

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1.Memristor Based Pulse Train Generator

机译：基于椎管的脉冲火车发电机
- 作者：V. V. Rakitin;S. G. Rusakov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第4期
2.Layout Synthesis Design Flow for Special-Purpose Reconfigurable Systems-on-a-Chip

机译：用于专用可再配置系统的布局合成设计流量
- 作者：S. V. Gavrilov;D. A. Zheleznikov;M. A. Zapletina;V. M. Khvato;R. Zh. Chochaev;V. I. Enns
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第3期
3.Influence of Pulsed Laser Deposition Modes on Properties of Nanocrystalline LiNbO_3 Films

机译：脉冲激光沉积模式对纳米晶体LINBO_3薄膜性能的影响
- 作者：Z. E. Vakulov;Yu. N. Varzarev;E. Yu. Gusev;A. V. Skrylev;A. E. Panich;A. V. Miakonkikh;I. E. Klemente;K. V. Rudenko;B. G. Konoplev;O. A. Ageev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第2期
4.Atomic Layer Deposition of Y_2O_3 Using Tris(butylcyclopentadienyl)yttrium and Water

机译：使用Tris（丁基环戊二烯基）钇和水的Y_2O_3原子层沉积
- 作者：A. I. Abdulagatov;R. R. Amashaev;Kr. N. Ashurbekova;Sh. M. Ramazanov;D. K. Palchaev;A. M. Maksumova;M. Kh. Rabadanov;I. M. Abdulagatov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第1期
5.The Effect of an N_2 Additive on the GaAs Etching Rate in CF_2Cl_2 Plasma

机译：N_2添加剂对CF_2CL_2等离子体中GaAs蚀刻速率的影响
- 作者：S. A. Pivovarenok
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第4期
- Plasma;
- Etching;
- Gallium arsenide;
- Nitrogen;
- Discharge parameters;
6.Simulation the Effects of Single Nuclear Particles on STG RS Triggers with Transistors Spacing into Two Groups

机译：模拟单核颗粒对STG RS触发的影响，将晶体管间距分为两组
- 作者：V. Ya. Stenin;Yu. V. Katunin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2018年第6期
7.Magnetooptical Response of Metallized Nanostructural Arrays with a Complex Relief on the Surface of Silicon Wafers

机译：金属化纳米结构阵列的磁光响应硅晶片表面复杂浮雕
- 作者：V. A. Paporkov;A. V. Prokaznikov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第1期
8.Effect of the Built-in Surface Potential on the I-V Characteristics of Silicon MIS Structures

机译：内置表面电位对硅MIS结构I-V特性的影响
- 作者：R. K. Yafarov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第2期
9.Calculation of Transients and Parameters of the Circuit of a Voltage Doubler Based on Switched Capacitors

机译：基于开关电容的电压倍增器电路的瞬态和参数计算
- 作者：Yu. Yu. Razuvaev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2018年第7期
- voltage doubler;
- charge pump;
- switched capacitors;
- transients;
- circuit simulation;
10.Nanoscaled Profiling of Silicon Surface via Local Anodic Oxidation

机译：通过局部阳极氧化纳米型硅表面分析
- 作者：V. V. Polyakova;I. N. Kots;V. A. Smirnov;O. A. Ageev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第2期
11.Fabrication and Electrical Characteristics of Asymmetric Rings Made of HTS YBCO Films Obtained by Pulsed Laser Deposition

机译：通过脉冲激光沉积获得的HTS YBCO薄膜的不对称环的制造和电气特性
- 作者：A. I. Il’in;A. A. Ivanov;O. V. Trofimov;A. A. Firsov;A. V. Nikulov;A. V. Zotov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第2期
12.Multilevel Bipolar Memristor Model Considering Deviations of Switching Parameters in the Verilog-A Language

机译：考虑在Verilog中的切换参数偏差的多级双极映像模型 - 一种语言
- 作者：G. S. Teplov;E. S. Gornev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第3期
- Memristor simulation;
- Memristor;
- Bipolar memristor;
- Multilevel memristor;
- Verilog-A model;
- Switching parameter deviations;
13.Functional Testing of Digital Signal Processors in Radiation Experiments

机译：辐射实验中数字信号处理器的功能测试
- 作者：V. A. Marfin;P. V. Nekrasov;O. A. Kalashnikov;A. Yu. Nikiforov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第3期
14.Fractionally Quadratic Approximation and Invariant Properties of the Nickel Steel Carpenter 49 Magnetization Curve

机译：镍钢木匠49磁化曲线的分馏四次近似和不变性
- 作者：A. A. Penin;Yu. B. Sawa;A. S. Sidorenko
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第2期
- Magnetization curve;
- Nonlinear characteristic;
- Approximation;
- Active two-pole network;
- Projective transformation;
- Cross ratio;
15.CVD-Growth of CNT with the Use of Catalutic Ct-Me-N-O Thin Films Incorporated in the Technology

机译：CNT中CNT的CVD生长在技术中使用催碱CT-ME-N-O薄膜
- 作者：D. G. Gromov;S. V. Bulyarskii;S. V. Dubkov;A. A. Pavlov;S. N. Skorik;A. Yu. Trifonov;A. S. Shulyatev;Yu. P. Shaman;E. P. Kitsyuk;A. A. Dudin;A. P. Sirotina;S. A. Gavrilov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第2期
16.Nonalloyed Ohmic Contacts for High-Electron-Mobility Transistors Based on AlGaN/GaN Heterostructures

机译：基于AlGaN / GaN异质结构的高电子迁移晶体管的非合金欧姆触点
- 作者：A. Yu. Pavlov;V. Yu. Pavlov;D. N. Slapovskiy;S. S. Arutyunyan;Yu. V. Fedorov;P. P. Maltsev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第5期
17.Design of a Multielement Infrared Thermal Detector

机译：多元首红外热检测器设计
- 作者：E. Ph. Pevtsov;A. S. Sigov;A. A. Shnyakin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第7期
- Array pyroelectric IR detectors;
- Parametric correction of sensitivity nonuniformity;
18.Magnetization of Permalloy Films

机译：渗透组合薄膜的磁化
- 作者：R. D. Tikhonov;A. A. Cheremisinov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第2期
19.Ab initio Calculation of the Effective Thermal Conductivity Coefficient of a Superlattice Using the Boltzmann Transport Equation

机译：AB Initio使用Boltzmann传输方程计算超晶格的有效导热系数
- 作者：K. K. Abgaryan;I. S. Kolbin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
- Thermal conductivity coefficient;
- Superlattice;
- Semiconductor heterostructure;
20.Influence of Deposition Conditions and Ion-Plasma Treatment of Thin Cobalt Films on Their Electrical Resistivity

机译：薄钴膜对薄钴膜对电阻率的影响
- 作者：I. I. Amirov;R. V. Selyukov;V. V. Naumov;E. S. Gorlachev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
21.Spots Concept for Problems of Artificial Intelligence and Algorithms of Neuromorphic Systems

机译：斑点概念，用于神经核系统人工智能与算法的概念
- 作者：N. A. Simonov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
22.Effect of Process-Related Impurities on the Electrophysical Parameters of a MOS Transistor

机译：过程相关杂质对MOS晶体管电神耳的影响
- 作者：V. B. Odzhaev;A. N. Petlitskii;V. S. Prosolovich;V. A. Filipenya;V. Yu. Yavid;Yu. N. Yankovskii
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
- MOS transistor;
- dielectric;
- surface states;
- leakage current;
- interface;
23.Junctionless MOS-Transistor with a Low Subthreshold Current

机译：带有低亚阈值电流的连接MOS晶体管
- 作者：M. A. Korolev;A. S. Klyuchnikov;D. I. Efimova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Junctionless MOSFET;
- Subthreshold current;
- Band-to-band tunneling;
- Impurity concentration;
24.Automation of the Measurement Process of the Parameters of the Sensitive Elements of the Gas Flow Rate Sensors

机译：气体流量传感器敏感元素参数的测量过程的自动化
- 作者：V. T. Ryabov;N. A. Djuzhev;D. V. Novikov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Automated stand;
- MEMS;
- Gas flow rate;
- Flowmeter;
25.Graphene Flexible Touchscreen with Integrated Analog-Digital Converter

机译：Graphene柔性触摸屏，带集成模拟 - 数字转换器
- 作者：A. I. Vlasov;D. S. Terentev;V. A. Shakhnov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第3期
26.Computer-Aided Design Flow of Devices for Generating and Processing Signals for Satellite Navigation Systems

机译：用于为卫星导航系统产生和处理信号的设备的计算机辅助设计流程
- 作者：A. G. Chebykin;A. S. Merkutov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第7期
- Satellite navigation;
- GLONASS;
- Receiver;
- Model;
- Design flow;
27.Technology of Nanosized Metal Layers for Forming a Reliable Contact to the Drain Area of Silicon Transistors

机译：纳米金属层的技术，用于形成硅晶体管漏极区域的可靠接触
- 作者：T. A. Ismailov;A. R. Shakhmaeva;B. A. Shangereeva
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
28.Influence of the Yttria Dopant on the Structure and Properties of (ZrO_2)_(0.91-x)(Sc_2O_3)_(0.09)(Y_2O_3)_x (x = 0-0.02) Crystals

机译：yttria掺杂剂对（ZrO_2）_（0.91-x）（SC_2O_3）_（0.09）（Y_2O_3）_x（x = 0-0.02）晶体的结构和性质的影响
- 作者：D. A. Agarkov;M. A. Borik;S. I. Bredikhin;V. T. Bublik;L. D. Iskhakova;A. V. Kulebyakin;I. E. Kuritsyna;E. E. Lomonova;F. O. Milovich;V. A. Myzina;S. V. Seryakov;N. Yu. Tabachkova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第9期
- Solid electrolytes;
- Zirconia;
- Crystal growth;
- Single crystals;
- Phase transitions;
- Twins;
- Ionic conductivity;
- Mechanical properties;
29.Measurements of the Airflow Velocity Using Ultrasonic Transducers

机译：使用超声换能器测量气流速度
- 作者：A. P. Panov;A. N. Serov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Computing device;
- Airflow;
- Ultrasound;
- Measurement error;
- Control system;
30.Power Switching Transistors Based on Gallium Nitride Epitaxial Heterostructures

机译：基于氮化镓外观结构的功率开关晶体管
- 作者：E. V. Erofeev;I. V. Fedin;Y. N. Yurjev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第3期
31.Mathematical Simulation of the Influence of the Doping Concentration on the Drain Current of an SOI Field-Effect Hall Sensor

机译：掺杂浓度对SOI场效应霍尔传感器漏极电流影响的数学模拟
- 作者：A. V. Kozlov;M. A. Korolev;S. S. Petrunina
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第7期
- Silicon-on-insulator field-effect Hall sensor;
- Sentaurus TCAD;
- Doping concentration;
- Drain current;
32.Electronic Conductivity in a P~+-Ion Implanted Positive Photoresist

机译：在P〜+硫中的电子电导率植入阳性光致抗蚀剂
- 作者：A. N. Oleshkevich;N. M. Lapchuk;V. B. Odzhaev;I. A. Karpovich;V. S. Prosolovich;D. I. Brinkevich;S. D. Brinkevich
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
- Photoresist;
- Implantation;
- Electronic conductivity;
- Electron spin resonance;
- Phenoxy radicals;
33.Surface Dipole Ordering in Submicron Polydiphenylenephthalide Films

机译：亚微米多硝基苯基苯甲酸薄膜中的表面偶极排序
- 作者：D. D. Karamov;D. A. Kiselev;M. D. Malinkovich;V. M. Kornilov;A. N. Lachinov;R. M. Gadiev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第9期
- Thin polymer films;
- Surface;
- Polarization;
- Polydiphenylenephthalide;
- Dipole ordering;
34.The Special Features of Simulation of the Current-Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range

机译：电流温度范围内JFET电流电压特性模拟的特殊特征
- 作者：K. O. Petrosyants;M. R. Ismail-Zade;L. M. Sambursky
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Low-temperature electronics;
- Cryogenic temperature;
- JFET;
- SPICE compact models;
- SPICE simulation;
- Extraction of model parameters;
35.Thermal Activation of Getters in Magnetron Production Technology

机译：磁控管生产技术中的吸管热激活
- 作者：A. A. Polunina;V. S. Petrov;I. F. Khanbekov;I. P. Li;A. I. Gaidar;D. N. Loktev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
36.Low-Noise Amplifier for the Range of 57-64 GHz with Grounding Holes through Photolake Layer

机译：低噪声放大器的范围为57-64 GHz，通过光漆层接地孔
- 作者：D. V. Krapukhin;P. P. Maltsev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第5期
37.Study of Transient Processes in a p-i-n Photodetector Using the Nonstationary Physical-Topological Model

机译：使用非营养性物理拓扑模型研究P-I-N光电探测器的瞬态过程
- 作者：E. A. Ryndin;I. V. Pisarenko
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第3期
38.Effect of Diamond Dicing of SiC Device Wafers on the Technical and Operational Parameters of Monolithic Integrated Circuits

机译：SiC器件晶片钻石切割对单片集成电路技术和操作参数的影响
- 作者：S. A. Gamkrelidze;A. A. Trofimov;N. V. Shchavruk
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第5期
39.A Method for Calculating the Thermal Characteristics of Silicon TVS-Diodes in the Pulse Mode

机译：一种计算脉冲模式中硅TVS-二极管热特性的方法
- 作者：F. I. Grigoriev;A. B. Aleksandrova;V. A. Gafurov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第7期
- TVS-diode;
- Current pulse;
- Critical temperature;
- Heat resistance;
- Current density;
- Transient heat resistance;
- Avalanche breakdown;
- Thermal breakdown;
- Pulse duration;
40.Numerical Simulation of Cryogenic Etching: Model with Delayed Desorption

机译：低温蚀刻的数值模拟：延迟解吸模型
- 作者：M. K. Rudenko;A. V. Myakon’kikh;V. F. Lukichev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
- mathematical simulation;
- plasma etching;
- deep etching of silicon;
- cryogenic etching;
- ion-stimulated etching;
41.Influence of Gate Dielectrics of Field-Effect Graphene Transistors on Current-Voltage Characteristics

机译：现场效应石墨烯晶体管对电流 - 电压特性的影响
- 作者：I. I. Abramov;N. V. Kolomeitseva;V. A. Labunov;I. A. Romanova;I. Yu. Shcherbakova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第2期
42.Study of SOI Field-Effect Hall Sensors in the Partial Depletion Mode

机译：SOI场效应霍尔传感器在部分耗尽模式下的研究
- 作者：M. A. Korolev;V. N. Mordkovich;A. V. Leonov;S. S. Devlikanova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
43.Amorphization of Vanadium Oxides during the Reversible Insertion of Lithium

机译：锂可逆插入过程中钒氧化物的杂种
- 作者：A. M. Skundin;A. A. Mironenko;A. S. Rudyi;I. S. Fedorov;S. V. Vasiliev;L. A. Mazaletsky;Yu. S. Tortseva;O. E. Kuznetsov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
44.Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate

机译：用不对称周边栅极建模SOI CMOS纳米晶体管的特性
- 作者：N. V. Masal’skii
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第5期
- SOI CMOS nanotransistor;
- asymmetric gate;
- 3D potential distribution;
- current–voltage characteristics;
- inverter;
- low supply voltage;
45.Simulation of Impact of the HCP on the CNT-Nanosensor by the Molecular Dynamics Method

机译：分子动力学方法模拟HCP对CNT纳米传感器的影响
- 作者：A. V. Sogoyan;D. V. Boychenko;A. V. Demidova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2017年第3期
46.Development and Research of MIS Varicaps with Charge Transfer

机译：电荷转移的MIS伤害的开发与研究
- 作者：Yu. V. Surin;A. B. Spiridonov;S. V. Litsoev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2016年第7期
- MIS varicap;
- Varicap;
47.Effect of Point Defects on the Electromigration Rate at the Interface of Joined Materials

机译：点缺陷对连接材料界面电迁移率的影响
- 作者：T. M. Makhviladze;M. E. Sarychev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
48.Charge Transport Mechanism in a Formless Memristor Based on Silicon Nitride

机译：基于氮化硅的无形映射器中的电荷运输机制
- 作者：O. M. Orlov;A. A. Gismatulin;V. A. Gritsenko;D. S. Mizginov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第5期
49.Microwave Characteristics of Amplifiers on Nanoheterostructures of Gallium Nitride in the 80-100 GHz Frequency Range

机译：80-100GHz频率范围内氮化镓纳米氮化镓纳米能结构放大器的微波特征
- 作者：D. L. Gnatyuk;R. R. Galiev;A. V. Zuev;S. L. Krapukhina;M. V. Maitama;P. P. Maltsev;O. S. Matveenko;Yu. V. Fedorov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
- Millimeter wavelength range;
- Monolithic integrated circuits;
- Amplifier;
- Gallium nitride;
- Silicon carbide;
- Communication;
- Radar;
50.Issues of Implementing Neural Network Algorithms on Memristor Crossbars

机译：在忆阻器交叉栏上实施神经网络算法的问题
- 作者：A. Yu. Morozov;K. K. Abgaryan;D. L. Reviznikov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
- Memristor;
- Crossbar;
- Accuracy;
- Neural network;
- Convolution;
- MNIST;
- CIFAR_10;
51.Active Processor Hardware Stack

机译：主动处理器硬件堆栈
- 作者：A. A. Semenov;D. A. Usanov;A. S. Dronkin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Microprocessors;
- Microcontrollers;
- Hardware stack;
- RISC architecture;
- Productivity increase;
- Performance;
52.Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle

机译：从单个粒子的轨道切换和收集电荷时，模拟多数门中的瞬态
- 作者：V. Ya. Stenin;Yu. V. Katunin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第5期
- noise pulse;
- majority gate;
- simulation;
- nonstationary state;
- single particle;
- charge collection;
- track;
53.Simulating and Ensuring the Reliability of the Elements and Joints of Three-Dimensional Microelectronics Modules

机译：模拟并确保三维微电子模块的元素和关节的可靠性
- 作者：A. I. Pogalov;G. A. Blinov;E. Y. Chugunov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
54.Spectrophotometric Monitoring of Chloride Electrolyte for the Electrochemical Deposition of Permalloy

机译：杂合金电化学沉积氯化物电解质的分光光度法监测
- 作者：R. D. Tikhonov;S. A. Polomoshnov;D. V. Kostuk
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Chloride electrolyte;
- Permalloy films;
- Electrodeposition;
- Spectrophotometric control;
55.Metallization of Vias in Silicon Wafers to Produce Three-Dimensional Microstructures

机译：硅晶片中的通孔金属化以产生三维微观结构
- 作者：A. I. Vorobjova;V. A. Labunov;E. A. Outkina;D. V. Grapov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
56.Multiangle Spectrophotometric Methods of Reflection for Determining Refractive Coefficients

机译：多聚分光光度法测定折射系数的反射方法
- 作者：E. V. Zabelina;N. S. Kozlova;Zh. A. Goreeva;V. M. Kasimova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
57.Development of an Area Image Sensor Pixel for an X-Ray Detector

机译：开发X射线检测器的区域图像传感器像素
- 作者：D. A. Suponnikov;A. N. Putilin;E. A. Tatarinova;Z. G. Zhgunev;A. R. DabagoV
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Photocell;
- Pixel;
- CMOS;
- Quantum efficiency;
- Fill factor;
- Modulation-transfer function;
58.Biosensor Based on Ion-Sensitive Nanowire Field-Effect Transistor Using the Minimum Contact to the Floating Gate

机译：基于离子敏感纳米线场效应晶体管的生物传感器，使用与浮栅的最小接触
- 作者：O. V. Gubanova;E. V. Kuznetsov;E. N. Rybachek;A. N. Saurov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Biosensor;
- SOI structure;
- Floating gate;
- Sensitivity;
- ISFET;
- Ta_2O_5;
59.4F ₈ + O ₂ + Ar Mixture]]>

机译：<！[CDATA [CDATA [体积和异质过程的动力学在C _{4 f _{8 + O _{2 + ar混合物]]] >}}}
- 作者：A. M. Efremov;D. B. Murin;A. M. Sobolev;K.-H. Kwon
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
60.Mathematical Simulation of Electronic Structure, and Synthesis and Application of IrSi Nanoparticles

机译：电子结构的数学仿真，以及IRSI纳米粒子的合成与应用
- 作者：A. G. Gasanov;E. A. Kerimov;S. N. Musaeva
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
- Mathematical simulation;
- Quantum mechanical methods;
- Photoreceiver;
- Orbitals;
- Semiconductor;
61.Arrays of Carbon Nanotubes in a Field of Continuous Laser Radiation

机译：连续激光辐射领域的碳纳米管阵列
- 作者：S. A. Afanasev;I. O. Zolotovsky;A. S. Kadochkin;S. G. Moiseev;V. V. Svetukhin;A. A. Pavlov;S. V. Bulyarsky
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
62.Stability of the Emission Characteristics of Thermal and Cold-Field Cathodes Operating in a Vacuum

机译：在真空中操作的热敏和冷场阴极发射特性的稳定性
- 作者：R. K. Yafarov;A. V. Storubley
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第2期
63.Investigation of the Effects of Random Vibration on the Characteristics of Micromechanical Accelerometers

机译：随机振动对微机械加速度计特性的研究
- 作者：Aung Thura;B. M. Simonov;S. P. Tymoshenkov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
64.Determining the Junction-to-Case Thermal Resistance of a Semiconductor Device from Its Cooling Curve

机译：从其冷却曲线确定半导体器件的结型与壳体热阻
- 作者：N. L. Evdokimova;V. V. Dolgov;K. A. Ivanov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Junction-to-case thermal resistance;
- Structure function;
- Thermal capacitance;
65.Kinetics and Mechanisms of Reactive-Ion Etching of Si and SiO_2 in a Plasma of a Mixture of HBr+O_2

机译：在HBr + O_2混合物中的血浆中的Si和SiO_2反应离子蚀刻的动力学和机制
- 作者：A. M. Efremov;V. B. Betelin;K.-H. Kwon
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
66.Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level

机译：提高逻辑设计级别模拟CMOS电路延迟和峰值电流的准确性的方法
- 作者：G. A. Ivanova;D. I. Ryzhova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
67.Histogram Measurement of ADC Nonlinearities by Using Incomplete-Scale Sine Waves

机译：使用不完整级正弦波的ADC非线性的直方图测量
- 作者：A. A. Rybakov;N. E. Reznichenko
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- ADC;
- Histogram method;
- Incomplete scale;
- DNL;
- INL;
68.Formation of an Individual Modeling Environment in a Hybrid High-Performance Computing System

机译：在混合高性能计算系统中形成个体建模环境
- 作者：K. I. Volovich;S. A. Denisov;S. I. Malkovsky
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
- Algorithm;
- Base image;
- High-performance computing system;
- Hybrid architecture;
- Graphics accelerator;
- Individual modeling environment;
- Container;
69.Carbon Solubility in a Nickel Catalyst with the Growth of Carbon Nanotubes

机译：碳纳米管生长镍催化剂中的碳溶解度
- 作者：S. V. Bulyarskiy;E. P. Kitsyuk;A. V. Lakalin;A. A. Pavlov;R. M. Ryazanov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
70.Influence of Resist Spreading during Its Dry Electron-Beam Etching on a Lateral Resolution

机译：抗蚀剂在横向分辨率上的干电子束蚀刻过程中的影响
- 作者：A. G. Isaev;F. A. Sidorov;A. E. Rogozhin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
- lithography;
- dry electron beam etching of the resist (DEBER);
- polymethyl methacrylate (PMMA);
71.Simulation of a Normally-off HEMT Transistor Based on a GaN/AlGaN with a p-Gate

机译：基于GaN / AlGan的P栅极仿真常关半晶体管
- 作者：V. I. Egorkin;V. E. Zemlyakov;V. V. Kapaev;O. B. Kukhtyaeva
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第6期
72.Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions

机译：锑离子植入重氮醌 - 酚醛清漆光致抗蚀剂薄膜的改性
- 作者：S. D. Brinkevich;D. I. Brinkevich;V. S. Prosolovich
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
- frustrated total internal reflection spectrum;
- diazoquinone-novolac photoresist;
- implantation;
- adhesion;
- silicon;
73.Domain Wall Precession in a Narrow Magnetic Nanowire

机译：窄磁纳米线中的域壁进隙
- 作者：O. S. Trushin;N. I. Barabanova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
74.Study of the Relaxational Polarization Dynamics of the LiPON Solid Electrolyte

机译：Lipon固体电解质的放松偏振动力学研究
- 作者：A. S. Rudyi;M. E. Lebedev;A. A. Mironenko;L. A. Mazaletskii;V. V. Naumov;A. V. Novozhilova;I. S. Fedorov;A. B. Churilov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第5期
75.Developing the Guard Ring Topology of Power Silicon Diodes with a Blocking Voltage of up to 6.7 kV

机译：开发电源硅二极管的保护环拓扑，阻塞电压高达6.7 kV
- 作者：O. V. Sopova;T. B. Kritskaya
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Breakdown voltage;
- High-voltage diodes;
- Instrumental process simulation;
76.Study of the Magneto-Optical Properties of Structures on Curved Surfaces for Creating Memory Elements on Magnetic Vortices

机译：弯曲表面上结构磁光性能的研究
- 作者：A. V. Prokaznikov;V. A. Paporkov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第5期
77.Charge Properties of the MOS Transistor Structure with the Channel Made from a Two-Dimensional Crystal

机译：用二维晶体制成的通道的MOS晶体管结构的电荷特性
- 作者：T. I. Makovskaya;A. L. Danilyuk;A. V. Krivosheeva;V. L. Shaposhnikov;V. E. Borisenko
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Two-dimensional (2D) crystal;
- Transistor structure;
- Quantum capacitance;
- Transfer characteristic;
- Steepness;
- Voltage gain;
78.Single Photon Detectors Based on SPADs: Circuit Solutions and Operating Modes

机译：基于SPAD的单光子探测器：电路解决方案和操作模式
- 作者：A. V. Losev;V. V. Zavodilenko;A. A. Koziy;Yu. V. Kurochkin;A. A. Gorbatsevich
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第2期
79.Studying the Influence of Temperature on the Operation of a Resonator of a Frequency Micromechanical Accelerometer

机译：研究温度对频率微机械加速度计谐振器的影响
- 作者：Aung Thura;B. M. Simonov;S. P. Timoshenkov;V. F. Shilov;Kyaw Myo Aung
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
80.Analysis of Carbon and Carbon-Containing Materials by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

机译：X射线光电子能谱分析碳和含碳材料
- 作者：V. P. Afanasev;A. I. Popov;A. D. Barinov;Yu. N. Bodisko;G. S. Bocharov;A. S. Gryazev;A. V. Eletskii;P. S. Kaplya;I. N. Miroshnikova;O. Yu. Ridzel
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
81.Finite Element Modeling of the Membrane Module

机译：膜模块的有限元建模
- 作者：V. V. Amelichev;D. M. Grigoryev;A. A. Reznev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Finite element modeling;
- Dielectric membrane;
- Membrane module;
- Amplitude-frequency response;
- Front chamber;
- Back chamber;
- Residual stresses;
- Buckling;
82.A study of the Composition of Tellurium Vapor by the Static Method

机译：静态法研究碲蒸汽的研究
- 作者：E. N. Vigdorovich
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Zero-pressure gauge;
- Vapor composition;
- Tellurium;
- Equilibrium constant;
83.Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide

机译：模拟具有各种掩埋氧化物配置的MOSFET的自热效果
- 作者：K. O. Petrosyants;D. A. Popov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
84.Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range

机译：在延长温度范围内研究部分耗尽的亚微米SOI CMOS晶体管的电热特性
- 作者：S. V. Rumyantsev;A. S. Novoselov;N. V. Masalskii
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
85.A New Generation of Nanocomposite Materials Based on Carbon and Titanium for Use in Supercapacitor Energy Storage Devices

机译：基于碳和钛的新一代纳米复合材料，用于超级电容器能量存储装置
- 作者：V. V. Sleptsov;L. V. Kozitov;A. O. Diteleva;D. Yu. Kukushkin;A. A. Nagaev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
86.Effect of a Mixture’s Composition on the Electrophysical Parameters and Emission Spectra of Hydrogen Chloride Plasma with Chlorine and Helium

机译：混合物组合物对氯和氦的氯化氢等离子体电神理参数和发射光谱的影响
- 作者：S. A. Pivovarenok;D. B. Murin;D. V. Sitanov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
- plasma;
- electrophysical parameters;
- spectra;
- hydrogen chloride;
- chlorine;
- helium;
87.Precision L-ssand Analog-Digital Phase Shifter with a 0°-360° Phase Change

机译：精密L-SSAND模拟数字移液器，具有0°-360°相变
- 作者：A. G. Efimov;E. O. Kuptsov;V. P. Martynova;A. B. Spiridonov;Yu. V. Surin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- MIS varicap;
- Capacitance overlap coefficient;
- Phase shifter;
- Microcontroller;
- DAC;
- Interface;
88.Thermal Stabilization of the Geometric Parameters of an Array of Silver Nanoparticles Obtained by Vacuum-Thermal Evaporation on an Unheated Substrate

机译：通过真空蒸发在未加热的基材上获得的银纳米粒子阵列的热稳定
- 作者：D. G. Gromov;S. V. Dubkov;G. S. Eritsyan;A. I. Savitsky;V. A. Bykov;Yu. A. Bobrov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Nanoparticles;
- Silver;
- Vacuum-thermal evaporation;
- Annealing;
- Scanning probe microscopy;
89.Implementation of Memory in a System on a Chip with Built-In Self-Testing and Self-Healing

机译：内置自检和自我修复的芯片系统中的内存的实现
- 作者：V. G. Ryabtsev;S. V. Volobuev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Algorithmic generator;
- Project verification;
- Built-in self test;
- Fault tolerant internal memory;
- Self-healing;
- Chip system;
90.Factors Determining the Relevance of Creating a Research Infrastructure for Synthesizing New Materials in Implementing the Priorities of Scientific and Technological Development of Russia

机译：确定为综合新材料创造研究基础设施的相关性的因素在实施俄罗斯科技发展的优先事项中
- 作者：A. A. Zatsarinny;K. K. Abgaryan
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
91.Applying Numerical Simulation for the Investigation of Memristor Structures Based on Oxides and Chalcogenides

机译：基于氧化物和硫胺化物的忆耳结构研究应用数值模拟
- 作者：V. V. Sirotkin;N. A. Tulina
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
92.Nonlinear Dynamic Approach in Analyzing the Instability of Memristor Parameters

机译：非线性动态方法分析Memristor参数的不稳定性
- 作者：I. V. Matyushkin
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
- Memristor;
- Nonlinear dynamics;
- Connectionism;
- Compact model;
- Cycling;
93.Experimental Study of the Influence of the Porosity of Thin-Film Silicon-Based Anodes on Their Charge-Discharge Characteristics

机译：薄膜硅基阳极孔隙率对其电荷 - 放电特性影响的实验研究
- 作者：T. L. Kulova;L. A. Mazaletskii;A. A. Mironenko;A. S. Rudyi;A. M. Skundin;Yu. S. Tortseva;I. S. Fedorov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第1期
94.Kinetics of Reactive Ion Etching of Si, SiO_2, and Si_3N_4 in C_4F_8+O_2+Ar Plasma: Effect of the C_4F_8/O_2 Mixing Ratio

机译：C_4F_8 + O_2 + AR血浆中Si，SiO_2和Si_3N_4的反应离子蚀刻的动力学：C_4F_8 / O_2混合比的影响
- 作者：A. M. Efremov;K.-H. Kwon
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第2期
95.Determination of the Operating Time to Failure of a Sub-100-nm MOS Transistor Gate Dielectric Using Accelerated Tests

机译：使用加速测试确定子100-NM MOS晶体管栅极电介质的运行时间
- 作者：A. S. Sivchenko;E. V. Kuznetsov;A. N. Saurov
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第7期
- Gate dielectric;
- MOS transistor;
- Reliability;
- Operating time to failure;
- Monitoring of technological parameters of process;
96.Managing the Magnetic Properties of NiCo/C Nanocomposites

机译：管理Nico / C纳米复合材料的磁性
- 作者：E. V. Yakushko;L. V. Kozhitov;D. G. Muratov;D. Yu. Karpenkov;A. V. Popkova
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第8期
- Nanocomposites;
- Magnetic nanoparticles;
- Nanomaterials;
- NiCo;
- IR heating;
- Polymer nanomaterials;
97.Radio-Wave Method of Control of the Heterogeneity of the Electrophysical Parameters of Dielectrics Using a Scanning Microstrip Line

机译：使用扫描微带线控制电介质电神法参数的异质性的无线电波方法
- 作者：A. A. Baranov;V. A. Sergeev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Planar dielectric;
- Parameter heterogeneity;
- Control;
- Radon transform;
- Microstrip line;
- Phase of transmission coefficient;
98.Condenser MEMS Microphone

机译：冷凝器MEMS麦克风
- 作者：D. M. Grigoriev;S. S. Generalov;S. A. Polomoshnov;S. V. Nikiforov;V. V. Amelichev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2020年第1期
- MEMS microphone;
- Amplitude-frequency characteristic;
- Frequency response;
- Finite element modeling;
- ANSYS;
- Sensitivity;
- Signal-to-noise ratio;
- NDC;
- Collapse voltage;
- Resonance frequency;
99.Photonic Molecule with Mechanical Frequency Tuning for the Optical Measurements of a Semiconductor Charge Qubit

机译：具有机械频率调谐的光子分子，用于半导体电荷量子位的光学测量
- 作者：A. V. Tsukanov;I. Yu. Kateev
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2021年第2期
- Quantum dot;
- Charge qubit;
- Microcavity;
- Microdisk;
- Photonic molecule;
- Measuring contrast;
100.Absorbing Elements Based on a Uniform Resistive Film for the Implementation of a Wide Range of Radio Signal Power Attenuations

机译：基于均匀电阻膜的吸收元件，以实现广泛的无线电信号功率衰减
- 作者：V. D. Sadkov;K. S. Fomina;A. V. Pilkevich
- 期刊名称：《Russian Microelectronics》 | 2019年第7期
- Attenuators;
- Absorbing elements;
- Uniform resistive film;
- Wide attenuation range;

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