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GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法

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摘要

本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm^-2以下。

公开/公告号CN101404248B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人日立电线株式会社;
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申请/专利号CN200810100724.8
发明设计人大岛佑一;柴田真佐知;
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申请日2008-05-20
分类号H01L21/205(20060101);H01L33/00(20060101);C30B29/40(20060101);C30B25/02(20060101);C30B25/16(20060101);
代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人钟晶
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:05:15

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-30

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 登记生效日:20160310 变更前: 变更后: 申请日:20080520

专利申请权、专利权的转移
2015-09-02

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更前: 变更后: 登记生效日:20150813 申请日:20080520

专利申请权、专利权的转移
2015-01-07

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更前: 变更后: 登记生效日:20141222 申请日:20080520

专利申请权、专利权的转移
2010-08-18

授权

授权
2009-06-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-04-08

公开

公开

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1. GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P] . 中国专利： CN101404248B . 2010.08.18
2. GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置 [P] . 中国专利： CN101517134A . 2009-08-26
3. GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, LIGHT EMITTING ELEMENT FORMED ON GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [P] . 日本专利： JP2006151805A . 2006-06-15

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5. Method of growing single crystal GaN, method of making single crystal GaN substrate and single crystal GaN substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1304749B1 . 2008-08-20

机译：生长单晶GaN的方法，制造单晶GaN衬底的方法和单晶GaN衬底