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步云英; 谢礼丽; 张玲; 孙德海; 于秉华; 王皎瑜;
中国电子学会;
GaN材料; 蓝宝石单晶; 单晶生长; 衬底片; 制备工艺;
机译:掺有铁调制和无意掺杂GaN缓冲的蓝宝石上生长的GaN / AlGaN / AlN / GaN HEMT的比较:材料生长和器件制造
机译:GaN /蓝宝石,Ru /蓝宝石和Ru / GaN /蓝宝石衬底上的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的结构和电学性质
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:通过在HVPE GaN晶种上的氨热技术和在蓝宝石晶种上的升华技术生长的GaN单晶层的X射线表征
机译:土工合成材料粘土衬层在覆盖层,地下屏障和基础衬层应用中的性能。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过si离子注入蓝宝石,改变GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置。 II。电子能量损失光谱研究
机译:氢气载流子对蓝宝石上GaN形貌演变及材料性能的影响
机译:球形氧化铝,单晶蓝宝石,基于GaN的半导体衬底,基于GaN的半导体器件,用于液晶投影仪的透明板以及液晶投影仪
机译:用于半导体装置的单晶蓝宝石基板及其制造方法,使用其基板的GaN半导体发光装置以及GaN半导体白光发光装置
机译:半导体元件的单晶蓝宝石基板,其制造方法和GaN系统半导体发光元件以及采用该基板的GaN系统半导体白光元件
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