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公开/公告号CN113117606B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学技术大学;
申请/专利号CN202110592242.4
发明设计人 王兴安;武福燕;
申请日2021-05-28
分类号B01J3/04;B01J19/12;
代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人李晓莉
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2022-09-06 00:34:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
授权
发明专利权授予
机译: 光学单元例如该透镜,处理装置在真空室中具有离子束源,并且枢转装置与源一起绕着枢转轴线枢转,其中该装置和源在移动方向上相对于彼此进行调节
机译: 用于在真空下进行离子束刻蚀期间溅射材料的收集装置,包括布置在要刻蚀的基板两侧的离子束源,以及将离子源产生的束反射向基板的表面积
机译: 离子源中的束辐照电极的膜去除装置,装有该离子束的离子源以及膜束辐照电极的膜去除装置
机译:演示ITER中性束系统中真空绝缘束源的1 MV绝缘
机译:铯对原型ITER中性束注入器负离子源的调节过程中对等离子体参数和源性能的影响
机译:具有多组分阴极的真空电弧离子源中的离子束产生
机译:通过在JT-60负离子源上调节真空绝缘距离来加速500keV负离子束
机译:从电子回旋共振离子源提取离子束,以及随后的低能束流传输。
机译:散裂中子源处基本中子物理束线的束线性能模拟
机译:用于引导离子束串联质谱实验的电喷雾电离源和真空界面的开发:18-冠-6的氨基酸分子识别中的结构和能量效应
机译:智能X射线束位置监测系统,采用人工智能方法,用于高级光子源插入装置光束线