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公开/公告号CN113117606A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学技术大学;
申请/专利号CN202110592242.4
发明设计人 王兴安;武福燕;
申请日2021-05-28
分类号B01J3/04(20060101);B01J19/12(20060101);
代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人李晓莉
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2023-06-19 11:54:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
授权
发明专利权授予
机译: 光学单元例如该透镜,处理装置在真空室中具有离子束源,并且枢转装置与源一起绕着枢转轴线枢转,其中该装置和源在移动方向上相对于彼此进行调节
机译: 一种分析中子源束射束监测器的初级中子束的方法,用于检查在中子源中产生的初级中子束
机译: 用于在真空下进行离子束刻蚀期间溅射材料的收集装置,包括布置在要刻蚀的基板两侧的离子束源,以及将离子源产生的束反射向基板的表面积
机译:演示ITER中性束系统中真空绝缘束源的1 MV绝缘
机译:在高真空下使用纯离子液体电喷雾的新型二次离子束质谱(SIMS)离子束源
机译:从宽束真空电弧金属等离子体源中提取电子束
机译:带状电子束的前真空等离子体源,用于产生束等离子体
机译:一种新的冷分子源:缓冲气体冷却的分子束。
机译:开发用于高通量束源的高效能量分辨率的位置敏感中子探测器
机译:用于同时包含正电子和电子束的正电子位置测量的高级光子源直线加速器束位置监视器的校准
机译:用于EBIs(电子束离子源)应用的HCD(空心阴极放电)等离子体中稳态电子束的提取