公开/公告号CN113675083B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 江山季丰电子科技有限公司;上海季丰电子股份有限公司;
申请/专利号CN202111237524.9
申请日2021-10-25
分类号H01L21/311(20060101);H01L21/3213(20060101);C30B29/06(20060101);C30B33/10(20060101);G01N23/04(20180101);G01N23/207(20060101);G01N23/2251(20180101);
代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人刘建荣
地址 324199 浙江省衢州市江山市文教西路15号科技孵化中心5楼
入库时间 2022-08-23 12:58:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/311 专利号:ZL2021112375249 变更事项:专利权人 变更前:江山季丰电子科技有限公司 变更后:江山季丰电子科技有限公司 变更事项:地址 变更前:324199 浙江省衢州市江山市文教西路15号科技孵化中心5楼 变更后:324199 浙江省衢州市江山市双塔街道文教西路15号 变更事项:专利权人 变更前:上海季丰电子股份有限公司 变更后:上海季丰电子股份有限公司
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)晶体管器件和FDSOI本体暴露区域中的自对准有源区
机译: 完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)晶体管器件和FDSOI本体暴露区域中的自对准有源区
机译: 半导体器件失效分析的包装及其使用的半导体器件失效分析方法