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一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法及装置

摘要

本发明涉及一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法,包括如下步骤:步骤一,清洗受体基底和供体基底;步骤二,在所述供体基底表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷层;步骤三,在聚二甲基硅氧烷层上旋涂金属纳米粒子溶液;步骤四,在激光束关闭的情况下,将目标金属纳米粒子移动到激光焦点下方,将受体基底目标沉积位置移动到激光束焦点上方;步骤五,通过聚焦激光束照射金属纳米粒子。本方法能够将单个纳米级金属颗粒转移到硅衬底上,并且具有较高的定位精度。

著录项

  • 公开/公告号CN112520690B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东工业大学;

    申请/专利号CN202011415540.8

  • 申请日2020-12-07

  • 分类号B81C1/00(20060101);B82Y15/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44379 佛山市禾才知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱培祺;单蕴倩

  • 地址 510062 广东省广州市越秀区东风东路729号

  • 入库时间 2022-08-23 12:21:02

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