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公开/公告号CN112520690B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 广东工业大学;
申请/专利号CN202011415540.8
发明设计人 陈云;董善坤;丁树权;施达创;侯茂祥;陈新;高健;
申请日2020-12-07
分类号B81C1/00(20060101);B82Y15/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构44379 佛山市禾才知识产权代理有限公司;
代理人朱培祺;单蕴倩
地址 510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
入库时间 2022-08-23 12:21:02
机译: 利用金属辅助化学刻蚀法制造垂直型纳米结构的方法,制造该方法的垂直硅纳米结构以及包括垂直型硅纳米结构的装置
机译: 金属辅助化学刻蚀制备硅纳米管的方法
机译: 束状硅纳米棒复合材料的金属离子辅助化学刻蚀方法及其在锂二次电池负极材料中的应用
机译:通过简便的金属辅助化学刻蚀方法制备硅纳米棒阵列
机译:单晶硅金属辅助化学刻蚀过程中像硅丝和多孔纳米层的光谱表征
机译:金属辅助化学刻蚀形成晶圆级硅中介层的硅通孔
机译:一种采用金属辅助化学刻蚀的新型晶片切割方法
机译:通过金属辅助化学蚀刻产生的多孔硅的材料表征,图案化和吸附物诱导的光调制。
机译:使用两步金属辅助化学刻蚀方法由冶金级硅粉形成硅纳米线填充膜
机译:海上井喷情况下的井控。用于井喷控制,重型球,外部进水装置,堵塞装置,防火切割装置,辅助半潜式,平台设计功能,Flare snuf的封盖和相关方法