一种在弱酸溶液中采用金属辅助湿法化学刻蚀黑硅的新方法

摘要

为降低黑硅材料的成本,将太阳电池级单晶硅片浸入含有氯金酸（HAuCl4）的草酸/氢氟酸（H2C2O4/HF）混合水溶液中做刻蚀.利用扫描电子显微镜（SEM）和紫外—可见—近红外分光光度计对表面形貌和反射光谱进行了表征与测量.结果表明：样品表面具有网格状陷光结构,在350-2 500nm波段平均反射率约为11.3%.