具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法

摘要

本公开提供了一种具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法，包括多个第一CSL电流输运层和多个第二CSL电流输运层；第一CSL电流输运层上有选择性P⁺⁺‑SiC区域环，P⁺⁺‑SiC区域环上是与之对应的凹槽结构，凹槽结构上有肖特基接触电极；第二CSL电流输运层上直接是肖特基接触电极；肖特基接触电极外围设有多个P⁺‑SiC保护环和一个N⁺场截止环；肖特基接触电极边缘的设有SiO₂钝化层。本公开采用凹槽技术加上P⁺⁺深注入的综合技术降低芯片表面电场，减小肖特基势垒的降低效应，抑制漏电流，并优化配合CSL传输层结构大大增加电流导通能力，降低器件电学特性的温度依赖性和敏感性，在反向击穿特性不受影响下的情况下，获得高温大电流SiC电力电子器件，工艺简单、可重复。