公开/公告号CN105428228B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201510756005.1
申请日2009-12-23
分类号H01L21/285(20060101);H01L21/768(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/778(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/80(20060101);H01L29/165(20060101);H01L29/51(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人张伟;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 10:35:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-18
授权
授权
2016-04-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20091223
实质审查的生效
2016-04-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20091223
实质审查的生效
2016-03-23
公开
公开
2016-03-23
公开
公开
机译： 具有由共形再生源极/漏极金属和源极/漏极产生的单轴应变的量子阱沟道MOSFET
机译： 量子阱MOSFET通道具有与金属源极/漏极晶格失配以及共形再生长源极/漏极的晶格失配
机译： 由金属源 /漏极和共形再生源 /漏极产生的具有单轴应变的量子阱MOSFET通道
