首页> 中国专利> LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统

LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统

摘要

一种LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统,所述自热效应评价系统包括LDMOS晶体管和温度感应器件,所述温度感应器件加载有一预设电流,用于使所述温度感应器件的电压与温度具有对应关系;根据温度测量单元,能够得到温度感应器件的温度;自热效应评价单元根据温度测量单元得到的温度感应器件的温度作为所述LDMOS晶体管的温度,并能够根据所述LDMOS晶体管的温度以及所述LDMOS晶体管的源漏电流值、信号电压,得到LDMOS晶体管的源漏电流值与信号电压、温度之间的关系。因此,本发明能够模拟自热效应对LDMOS晶体管I‑V曲线的影响,在后续电路设计中,可以将自热效应作为影响LDMOS晶体管的源漏电流值的参考量,从而使得LDMOS晶体管的设计性能更接近实际性能。

著录项

  • 公开/公告号CN106526442B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201510570375.6

  • 发明设计人 甘正浩;冯军宏;

    申请日2015-09-09

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人高静;吴敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-28

    授权

    授权

  • 2017-04-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20150909

    实质审查的生效

  • 2017-04-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20150909

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    公开

    公开

  • 2017-03-22

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号