容许工艺条件变动而制备无缺陷硅晶体的工艺

摘要

一种生长具有一个基本上无团聚本征点缺陷的轴向对称区单晶硅锭的工艺。单晶硅锭一般是按照左克拉斯基方法生长；可是，该锭从固化温度冷却到超过约900℃的一个温度被控制得容许有本征点缺陷的扩散以使在此轴向对称区内无团聚缺陷形成。是以，V/Go比由于V或Go的变化被容许在此区域之内轴向地变动至少5%于一个最小值和一个最大值之间。