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Advances in resist materials and processing technology XXX
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1.
Optimization of a virtual EUV photoresist for the trade-off between throughput and CDU
机译:
优化虚拟EUV光刻胶以在生产能力和CDU之间进行权衡
作者:
Mark D. Smith
;
John Biafore
;
Chao Fang
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
2.
Application specific ratings for lithography process filters
机译:
光刻工艺过滤器的特定应用额定值
作者:
Toru Umeda
;
Shuichi Tsuzuki
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Adsorption;
Quantification;
Filtration;
Nylon 6,6;
Palladium;
Nanoparticle;
Microbridge;
3.
Post-Litho Line Edge/Width Roughness Smoothing by Ion Implantations
机译:
离子注入后的光刻后线边缘/宽度粗糙度平滑
作者:
Tristan Y. Ma
;
Peng Xie
;
Ludovic Godet
;
Patrick M. Martin
;
Chris Campbell
;
Jun Xue
;
Liyan Miao
;
Yongmei Chen
;
Huixiong Dai
;
Christopher Bencher
;
Chris S. Ngai
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
LER;
LWR;
ion implantation;
plasma;
smoothing;
pattern transfer;
etch;
4.
Precuring implant photoresists for shrink and patterning control
机译:
预固化注入光刻胶以控制收缩和图案
作者:
Gustaf Winroth
;
Erik Rosseel
;
Christie Delvaux
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Implantation;
photoresist;
shrink;
curing;
pretreatment;
5.
RECTIFICATION OF EUV-PATTERNED CONTACT HOLES USING DIRECTED SELF-ASSEMBLY
机译:
使用直接自组装校正EUV接触孔
作者:
Roel Gronheid
;
Arjun Singh
;
Todd R. Younkin
;
Paulina Rincon Delgadillo
;
Paul Nealey
;
Boon Teik Chan
;
Kathleen Nafus
;
Ainhoa Romo Negreira
;
Mark Somervell
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Contact Hole Rectification;
Directed Self-Assembly;
grapho-epitaxy;
chemo-epitaxy;
EUV;
CDU;
6.
Process variability of self-aligned multiple patterning
机译:
自对准多重图案的工艺可变性
作者:
Kenichi Oyama
;
Shohei Yamauchi
;
Arisa Hara
;
Sakurako Natori
;
Hidetami Yaegashi
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
self aligned multiple patterning;
SADP;
SAQP;
gridded design rule;
DTD;
7.
Feasibility Study of Resist Slimming for SIT
机译:
SIT抵制甩脂的可行性研究
作者:
Nicole Saulnier
;
Chiew-seng Koay
;
Matthew Colburn
;
Dave Hetzer
;
Michael Cicoria
;
Jonathan Ludwicki
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Resist slimming;
double patterning;
sidewall-image transfer (SIT);
self-aligned double patterning (SADP);
8.
In situ dissolution analysis of half-pitch line and space patterns at various resist platforms using high speed atomic force microscopy
机译:
使用高速原子力显微镜对各种抗蚀剂平台上的半节距线和空间图案进行原位溶解分析
作者:
Julius Joseph Santillan
;
Toshiro Itani
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Resist dissolution;
half pitch;
lines and spaces;
PHS;
hybrid;
high-speed atomic force microscopy;
9.
Progress in Directed Self-Assembly Hole Shrink Applications
机译:
定向自组装孔收缩应用的进展
作者:
Todd R. Younkin
;
Roel Gronheid
;
Paulina Rincon Delgadillo
;
Boon Teik Chan
;
Nadia Vandenbroeck
;
Steven Demuynck
;
Ainhoa Romo-Negreira
;
Doni Parnell
;
Kathleen Nafus
;
Shigeru Tahara
;
Mark Somervell
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Directed Self-Assembly;
DSA;
contact hole;
blend;
block copolymer;
BCP;
PS-b-PMMA;
shrink;
rectification;
electrical testing;
etch;
wet development.;
10.
Sub-20nm Lithography Negative Tone Chemically Amplified Resists using Cross-Linker Additives
机译:
使用交联剂添加剂对低于20nm光刻的负色调化学放大的抗蚀剂
作者:
Prashant K. Kulshreshtha
;
Ken Maruyama
;
Sara Kiani
;
Scott Dhuey
;
Pradeep Perera
;
JamesBlackwell
;
Deirdre Olynick
;
Paul D. Ashby
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Chemically amplified resist;
molecular resist;
High resolution;
cross-linker;
Z-factor;
EUV exposure;
developer kinetics;
negative tone.;
11.
Investigation of Trench and Contact Hole Shrink Mechanism in the Negative Tone Develop Process
机译:
负音发展过程中沟槽和接触孔收缩机理的研究
作者:
Sohan Singh Mehta
;
Craig Higgins
;
Vikrant Chauhan
;
Shyam Pal
;
Hui Peng Koh
;
Jean RaymondFakhoury
;
Shaowen Gao
;
Lokesh Subramany
;
Salman Iqbal
;
Jeon Bumhwan
;
Pedro Morrison
;
ChrisKaranikas
;
Yayi Wei
;
David R Cho
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Time link delay;
post exposure bake;
solvent developer;
illumination;
negative tone develop;
12.
Advanced electron beam resist requirements and challenges
机译:
先进的电子束抗蚀剂要求和挑战
作者:
Andrew Jamieson
;
Bennett Olson
;
Maiying Lu
;
Nathan Wilcox
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Electron beam lithography;
resists;
photomask;
requirements;
LER;
sensitivity;
resolution.;
13.
New Spin-on Metal Hardmask Materials for Lithography Processes
机译:
用于光刻工艺的新型旋涂金属硬掩模材料
作者:
Huirong Yao
;
Salem Mullen
;
Elizabeth Wolfer
;
Dalil Rahman
;
Clement Anyadiegwu
;
Douglas Mckenzie
;
Alberto Dioses
;
Joonyeon Cho
;
Munirathna Padmanaban
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Underlayer;
Spin-on;
metal oxide;
hardmask;
etch resistance;
trilayer;
shelf-life;
defects;
reflectivity;
lithography;
IRT;
rework;
wet-etching;
14.
Development of KrF Hybrid Resist for a Dual Isolation Application
机译:
用于双重隔离的KrF混合电阻的开发
作者:
Sen Liu
;
Steven Holmes
;
Kuang-Jung Chen
;
Wu-Song Huang
;
Ranee Kwong
;
Greg Breyta
;
Bruce Doris
;
Kangguo Cheng
;
Scott Luning
;
Maud Vinet
;
Laurent Grenouillet
;
Qing Liu
;
Matthew Colburn
;
Chung-Hsi Wu
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
hybrid resist;
frequency doubling;
dual isolation;
15.
Novel Patternable and Conducting Metal-Polymer Nanocomposites: a step towards advanced multifunctional materials
机译:
新型可图案化和导电的金属聚合物纳米复合材料:迈向先进多功能材料的一步
作者:
Pedro J. Rodriguez-Canto
;
Mariluz Martinez-Marco
;
Rafael Abargues
;
Victor Latorre-Garrido
;
Juan P. Martinez-Pastor
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Nanocomposite;
Conducting Polymer;
Plasmonics;
Electron Beam Lithography.;
16.
Effects on electron scattering and resist characteristics using assisting underlayers for e-beam direct write lithography
机译:
使用电子束直接写入光刻的辅助底层对电子散射和抗蚀剂特性的影响
作者:
Xaver Thrun
;
Kang-Hoon Choi
;
Norbert Hanisch
;
Christoph Hohle
;
Katja Steidel
;
DouglasGuerrero
;
Thiago Figueiro
;
Johann W. Bartha
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
assisting underlayer;
e-beam direct write;
proximity effect correction;
trilayer process;
RLS tradeoff;
17.
The evaluation of photo/e-beam complementary grayscale lithography for high topography 3D structure
机译:
高地形3D结构的光/电子束互补灰度光刻评估
作者:
Liya Yu
;
Richard J. Kasica
;
Robert N. Newby
;
Lei Chen
;
Vincent K. Luciani
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
3D structure;
grayscale;
complementary lithography;
mix and match;
e-beam;
direct write;
spray coating;
high topography;
18.
LWR study on resist formulation parameters
机译:
LWR研究抗蚀剂配方参数
作者:
Kyoungyoung Cho
;
Shinji Tarutani
;
Naoki Inoue
;
Hideaki Tsubaki
;
Mark Neisser
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Line width roughness;
EUV resist;
formulation parameters;
19.
Release of MEMS devices with hard-baked polyimide sacrificial layer
机译:
推出具有硬质聚酰亚胺牺牲层的MEMS器件
作者:
Javaneh Boroumand Azad
;
Imen Rezadad
;
Janardan Nath
;
Evan Smith
;
Robert E. Peale
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
ProLift;
hard-baked;
sacrificial layer;
MEMS;
cantilever;
etch;
RIE;
release;
20.
High Chi polymer development for DSA applications using RAFT technology
机译:
使用RAFT技术开发用于DSA应用的高Chi聚合物
作者:
Michael T. Sheehan
;
William B. Farnham
;
Hoang V. Tran
;
J. David Londono
;
Yefim Brun
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
RAFT;
photoresist;
block copolymer;
DSA;
directed self-assembly;
high chi;
21.
Point-of-use filter membrane selection, start-up, and conditioning for low-defect photolithography coatings
机译:
低缺陷光刻涂料的使用点滤膜选择,启动和调节
作者:
Nick Brakensiek
;
Michael Cronin
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
defect;
hardmask;
spin-on carbon;
carbon underlayer;
trilayer;
BARC;
underlayer;
filtration;
filter priming;
pump priming;
membrane;
22.
EUV lithography using water-developable resist material derived from biomass
机译:
使用源自生物质的可水显影抗蚀剂材料进行EUV光刻
作者:
Satoshi Takei
;
Akihiro Oshima
;
Tomoko G. Oyama
;
Takumi Ichikawa
;
Atsushi Sekiguchi
;
Miki Kashiwakura
;
Takahiro Kozawa
;
Seiichi Tagawa
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV lithography;
water-developable;
water solubility;
high sensitivity;
biomass;
resist;
23.
New negative resist design with novel photo-base generator
机译:
新型负性抗蚀剂设计和新颖的光碱发生器
作者:
Wen-Yun Wang
;
Cheng Han Wu
;
Yu-Chang Su
;
Chen-Hao Wu
;
Ya-Hui Chang
;
Ching-Yu Chang
;
Yao-Ching Ku
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
24.
Fabrication of optical film derived from biomass using eco-friendly nanoimprint lithography
机译:
使用环保的纳米压印光刻技术来制造生物质衍生的光学薄膜
作者:
Satoshi Takei
;
Gaku Murakami
;
Yuto Mori
;
Takumi Ichikawa
;
Atsushi Sekiguchi
;
Tsutomu Obata
;
Yoshiyuki Yokoyama
;
Wataru Mizuno
;
Junji Sumioka
;
Yuji Horita
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
nanoimprint lithography;
resist material;
biomass;
replica template;
25.
Positive Tone Resists Based On Network Depolymerization of Molecular Resists
机译:
基于分子抗蚀剂网络解聚的正色调抗蚀剂
作者:
Richard A. Lawson
;
Jing Cheng
;
Ameneh Cheshmehkani
;
Laren M. Tolbert
;
Clifford L. Henderson
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
molecular resist;
thermal cross-linking;
acid catalyzed depolymerization;
solvent development;
26.
Polarization Selective Photoresist Based on Reactive Liquid Crystals Doped with a Dichroic Photoinitiator
机译:
基于掺杂有二色性光引发剂的反应性液晶的偏振选择性光致抗蚀剂
作者:
My-Phung Van
;
Cees W.M. Bastiaansen
;
Dirk J. Broer
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
reactive liquid crystal;
aligned dichroic photoinitiator;
selective polymerization;
polarization holography;
pattern;
structure;
27.
Electron Dose Reduction Through Improved Adhesion by Cationic Organic Material with HSQ Resist on an InGaAs Multilayer System on GaAs Substrate
机译:
通过在GaAs衬底上的InGaAs多层系统上通过具有HSQ抵抗力的阳离子有机材料改善的粘附力来减少电子剂量
作者:
Erfurth Wilfried
;
Thompson Andrew
;
UEnal Nezih
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
28.
Study of swelling behavior in ArF resist during development by the QCM method (3): Observations of swelling layer elastic modulus
机译:
用QCM方法研究ArF抗蚀剂在显影过程中的溶胀行为(3):溶胀层弹性模量的观察
作者:
Atsushi Sekiguchi
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
QCM development analysis method;
ArF resist;
swelling;
TMAH;
TBAH;
elastic modulus;
29.
Monitoring the evolution of Line Edge Roughness during resist development using an analog of quenched flow kinetics
机译:
使用淬灭流动动力学的类似物监控抗蚀剂显影过程中线边缘粗糙度的演变
作者:
M.I. Sanchez
;
L.K. Sundberg
;
G.M. Wallraff
;
W.D. Hinsberg
;
L.D. Bozano
;
H.D. Truong
;
K. Petrillo
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
LER;
dissolution;
development;
aerial image contrast;
flowcell;
30.
Study on Dissolution Behavior of Polymer-bound and Polymer-blended Photo-acid Generator (PAG) Resists
机译:
聚合物键合和光混合的光酸发生剂的溶解行为研究
作者:
Hiroki Yamamoto
;
Takahiro Kozawa
;
Seiichi Tagawa
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Extreme Ultraviolet lithography (EUVL);
Chemically amplified resist;
swelling;
KrF lithography;
dissolution behavior;
31.
Extendibility of self-aligned type multiple patterning for further scaling
机译:
自对准型多重图案的可扩展性,可进一步扩展
作者:
Shohei Yamauchi
;
Arisa Hara
;
Kenichi Oyama
;
Sakurako Natori
;
Masatoshi Yamato
;
Hidetami Yaegashi
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
32.
Theoretical study of deprotonation of polymer radical cation for EUV Resist
机译:
极紫外抗性聚合物自由基阳离子去质子化的理论研究
作者:
M. Endo
;
S. Tagawa
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV;
lithography;
resist;
polymer;
deprotonation;
quantum chemical calculation;
33.
Photoresist film analysis to investigate LWR generation mechanism
机译:
光刻胶膜分析以研究LWR产生机理
作者:
Shinichi Nakamura
;
Kenji Mochida
;
Tooru Kimura
;
Kana Nakanishi
;
Naohiko Kawasaki
;
Naoki Man
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
LWR;
photoresist;
GCIB;
TOF-SIMS;
TEM;
EDS;
nanometer order distribution;
34.
Analysis of acid-generating action of PAG in an EUV resist using acid-sensitive dyes
机译:
使用酸敏染料分析EUV抗蚀剂中PAG的产酸作用
作者:
Atsushi Sekiguchi
;
Yoko Matsumoto
;
John J. BIAFORE
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Chemically amplified resist;
Photo acid generator;
Quenching rate parameter;
Acid sensitive dyes;
Coumarin;
EUV open frame exposure tool;
35.
The Evolving Complexity of Patterning Materials
机译:
图案材料的复杂性
作者:
Tsutomu Shimokawa
;
Yoshi Hishiro
;
Yoshikazu Yamaguchi
;
Motoyuki Shima
;
Tooru Kimura
;
Yoshio Takimoto
;
Tomoki Nagai
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Photoresist;
Scaling;
Hardmask;
EUV;
DSA;
Slimming;
Process trick;
36.
Sustainable scaling technique on Double-patterning process
机译:
双图案工艺的可持续缩放技术
作者:
Hidetami Yaegashi
;
Kenichi Oyama
;
Arisa Hara
;
Sakurako Natori
;
Shohei Yamauchi
;
Masatoshi Yamato
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
SADP;
SAQP;
core-pattern;
LER;
Resist hardening;
37.
Dry Development Rinse Process (DDRP) and Material (DDRM) for Novel pattern collapse free process
机译:
干显影冲洗工艺(DDRP)和材料(DDRM)用于新型无图案塌陷工艺
作者:
Rikimaru Sakamoto
;
Yasushi Sakaida
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Pattern collapse;
Supercritical drying method;
Dry development rinse process(DDRP);
Dry development rinse material (DDRM);
38.
The novel solution for negative impact of out-of-band and outgassing by top coat materials in EUVL
机译:
EUVL中的面漆材料带外和脱气的负面影响的新颖解决方案
作者:
Noriaki Fujitani
;
Rikimaru Sakamoto
;
Takafumi Endo
;
Ryuji Onishi
;
Tokio Nishita
;
Hiroaki Yaguchi
;
Bang-Ching Ho
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV lithography;
resist;
outgassing;
Out-of-Band;
Outgassing Out-of-Band protection layer (OBPL);
39.
Novel EUV Resist Materials and Process for 20 nm Half Pitch and Beyond
机译:
新型EUV抗蚀剂材料和工艺适用于20 nm半间距及更高
作者:
Ken Maruyama
;
Ramakrishnan Ayothi
;
Yoshi Hishiro
;
Koji Inukai
;
Motohiro Shiratani
;
Tooru Kimura
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV;
15 nm hp;
Tg;
Absorption;
Under-layer;
Top-coat.;
40.
20nm VIA BEOL Patterning Challenges
机译:
20nm VIA BEOL图案化挑战
作者:
Chien-Hsien S. Lee
;
Sohan Singh Mehta
;
Wontae Hwang
;
Hui Husan Tsai
;
Michael Anderson
;
Yayi Wei
;
Matthew Herrick
;
Xiang Hu
;
Bumhwan Jeon
;
Shyam Pal
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Double patterning (DP);
LELE;
Critical Via;
Negative Tone Development (NTD);
BEOL (Back-End-Of-Line) interconnect;
Immersion lithography;
logic;
41.
Combining Physical Resist Modeling and Self-Consistent Field Theory for Pattern Simulation in Directed Self-Assembly
机译:
结合物理抵抗模型和自洽场理论进行定向自组装的模式仿真
作者:
Michael Reilly
;
Valeriy Ginzburg
;
Mark D. Smith
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
SCFT;
DSA;
lithography;
resist simulation;
42.
Bottom-up/Top-down High Resolution, High Throughput Lithography using Vertically Assembled Block Bottle Brush Polymers
机译:
自下而上/自上而下的高分辨率,高通量光刻技术,使用垂直组装的块状瓶刷聚合物
作者:
Peter Trefonas
;
James W. Thackeray
;
Guorong Sun
;
Sangho Cho
;
Corrie Clark
;
Stanislav V.Verkhoturov
;
Michael J. Eller
;
Ang Li
;
Adriana Pavia-Jimenez
;
Emile A. Schweikert
;
Karen L.Wooley
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV;
e-beam lithography;
EBL;
directed self assembly;
DSA;
lithography;
block copolymer;
43.
Advances in Directed Self Assembly Integration and Manufacturability at 300 mm
机译:
定向自组装集成和300mm可制造性方面的进展
作者:
Benjamen Rathsack
;
Mark Somervell
;
Makato Muramatsu
;
Keiji Tanouchi
;
Takahiro Kitano
;
Eiichi Nishimura
;
Koichi Yatsuda
;
Seiji Nagahara
;
Hiroyuki Iwaki
;
Keiji Akai
;
Mariko Ozawa
;
Ainhoa Romo Negreira
;
Shigeru Tahara
;
Kathleen Nafus
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
directed self-assembly;
block copolymer;
anneal bake;
double patterning;
44.
Process Development of the EUVL Negative-tone Imaging at EIDEC
机译:
EIDEC的EUVL负像成像技术开发
作者:
Toshiya Takahashi
;
Ryuji Onishi
;
Toshiro Itani
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV;
negative-tone development;
resist;
underlayer;
dissolution;
LWR;
45.
EUV lithography performance of negative-tone chemically amplified fullerene resist
机译:
负化学放大富勒烯抗蚀剂的EUV光刻性能
作者:
A. Frommhold
;
D.X. Yang
;
A. McClelland
;
X. Xue
;
R.E. Palmer
;
A.P.G. Robinson
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV lithography;
molecular resist;
fullerene;
chemically amplified resist;
46.
Negative Tone Imaging (NTI) with KrF: Extension of 248nm IIP Lithography to under sub-20nm Logic Device
机译:
具有KrF的负色调成像(NTI):将248nm IIP光刻技术扩展到低于20nm的逻辑器件
作者:
Tae-Hwan Oh
;
Tae-Sun Kim
;
Yura Kim
;
Jahee Kim
;
Sujeong Heo
;
Bumjoon Youn
;
Jaekyung Seo
;
Kwang-Sub Yoon
;
Byoung-il Choi
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Negative Tone Imaging;
KrF exposure;
sub 20nm logic device;
47.
Non-aqueous negative-tone development of inorganic metal oxide nanoparticle photoresists for next generation lithography
机译:
用于下一代光刻的无机金属氧化物纳米颗粒光致抗蚀剂的非水负性显影
作者:
Christine Y. Ouyang
;
Yeon Sook Chung
;
Li Li
;
Mark Neisser
;
Kyoungyong Cho
;
Emmanuel P. Giannelis
;
Christopher K. Ober
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Inorganic resists;
e-beam lithography;
EUV lithography, negative-tone development, nanoparticles;
48.
Novel photoresist thin films with in-situ photoacid generator by molecular layer deposition
机译:
通过分子层沉积的具有原位光致产酸剂的新型光刻胶薄膜
作者:
Han Zhou
;
Stacey F. Bent
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
molecular layer deposition;
acid-labile groups;
in-situ polymer-bound PAG;
49.
METAL-POLYMER NANOCOMPOSITE RESIST: A STEP TOWARDS IN-SITU NANOPATTERNS METALLIZATION
机译:
金属-聚合物纳米复合材料抗蚀剂:迈向原位纳米陶瓷金属化的一步
作者:
R. Abargues
;
M. L. Martinez-Marco
;
P. J. Rodriguez-Canto
;
J. Marques-Hueso
;
J. P.Martinez-Pastor
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Plasmonics;
Metallization;
Nanocomposite;
50.
Sub-14 nm HSQ Line Patterning by E-beam Dose Proximity Effect Correction Assisted with Designed Line CD/Pitch Split
机译:
通过设计的线CD /间距分割辅助电子束剂量邻近效应校正的亚14 nm HSQ线图案
作者:
Wei-Su Chen
;
Chu-Ya Yang
;
Chiung Yu Lo
;
Hung-Wen Wei
;
Frederick T. Chen
;
Tzu-Kun Ku
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
E-beam Lithography;
TMAH;
HSQ;
Proximity Effect Correction;
Shape Modulation;
51.
Negative tone imaging process and materials for EUV lighography
机译:
负色调成像工艺和EUV光刻材料
作者:
Shinji Tarutani
;
Wataru Nihashi
;
Shuuji Hirano
;
Natsumi Yokokawa
;
Hiroo Takizawa
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Negative tone imaging;
EUV resist;
52.
Underlayer and Rinse Materials for Improving EUV Resist Performance
机译:
底层和冲洗材料,以提高抗紫外线性能
作者:
Munirathna Padmanaban
;
JoonYeon Cho
;
Takanori Kudo
;
Salem Mullen
;
Huirong Yao
;
Go Noya
;
Yuriko Matsuura
;
Yasuaki Ide
;
Jin Li
;
Georg Pawlowski
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
EUV Underlayer;
LWR improvement;
FIRM~® EXTREME™ rinse solution;
collapse margin improvement.;
53.
Progress in Resolution, Sensitivity and Critical Dimensional Uniformity of EUV Chemically Amplified Resists
机译:
EUV化学增强型抗蚀剂的分辨率,灵敏度和临界尺寸均匀性方面的进展
作者:
James Thackeray
;
James Cameron
;
Vipul Jain
;
Paul LaBeaume
;
Suzanne Coley
;
Owendi Ongayi
;
Mike Wagner
;
Aaron Rachford
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Photoresist;
chemical amplification;
polymer-bound PAG;
acid diffusion;
photo-decomposable base.;
54.
Strategy for yield improvement with sub-10 nm photochemical filtration
机译:
低于10 nm的光化学过滤提高产量的策略
作者:
J. Braggin
;
C. Brodsky
;
M. Linnane
;
P. Klymko
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Point-of-use filtration;
yield learning;
single-line open;
defectivity;
microbridging;
55.
The effects of reduced resist consumption process conditions on total raw defects, line and space defects and single line open defects at the 20nm node
机译:
减少抗蚀剂消耗工艺条件对20nm节点处的总原始缺陷,线和空间缺陷以及单线开口缺陷的影响
作者:
Christos F. Karanikas
;
Jeong Soo Kim
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
RRC;
SLO;
defects;
56.
Effects of dispense equipment sequence on process start-up defects
机译:
点胶设备顺序对工艺启动缺陷的影响
作者:
Nick Brakensiek
;
Michael Sevegney
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
bubbles;
defects;
dispense;
filter;
pump;
start-up;
57.
Development of new xanthendiol derivatives applied to the negative-tone molecular resists for EB/EUVL
机译:
开发新的黄原二醇衍生物,用于EB / EUVL的负性分子抗蚀剂
作者:
Masatoshi Echigo
;
Masako Yamakawa
;
Yumi Ochiai
;
Yu Okada
;
Takashi Makinoshima
;
Masaaki Takasuka
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
xanthendiol;
molecular resist;
negative-tone;
EB;
lithography;
LER;
58.
High Scan Speed EBL Containing Contact Hole Resists with Low Defectivity
机译:
包含接触孔的高扫描速度EBL具有低缺陷性
作者:
Tsung Ju Yeh
;
Lian Cong Liu
;
Yeh-Sheng Lin
;
Wei-Sheng Chen
;
Che-Yi Lin
;
Chia Hung Lin
;
Chun Chi Yu
;
Deyan Wang
;
Mingqi Li
;
Chunfeng Guo
;
Rick Hardy
;
Tom Estelle
;
Chengbai Xu
;
George Barclay
;
Peter Trefonas
;
Kathleen OConnell
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
59.
Line edge roughness of high deprotection activation energy photoresist by using sub-millisecond post exposure bake
机译:
亚毫秒级曝光后烘烤的高去保护活化能光刻胶的线边缘粗糙度
作者:
Jing Jiang
;
Byungki Jung
;
Michael O. Thompson
;
Christopher K. Ober
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
chemically amplified resist;
laser spike annealing;
post exposure bake;
reaction kinetics;
diffusion;
activation energy;
line width roughness.;
60.
PEB to Development Delay Influence on Contact Patterning by Negative Tone Development Process
机译:
PEB对负音显影过程中显影延迟对接触图案的影响
作者:
C.K. Chen
;
C.H. Lin
;
C.H. Huang
;
Elvis Yang
;
T.H. Yang
;
K.C. Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
Negative tone development;
NTD;
post exposure bake to development delay;
PEBDD;
61.
Novel ArF Photoresist Polymer to Suppress the Roughness Formation in Plasma Etching Processes
机译:
新型ArF光致抗蚀剂聚合物可抑制等离子蚀刻工艺中的粗糙度形成
作者:
Keisuke Kato
;
Atsushi Yasuda
;
Shin-ichi Maeda
;
Takuji Uesugi
;
Takeru Okada
;
Akira Wada
;
Seiji Samukawa
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
ArF photoresist polymer;
plasma etching process;
surface roughness;
LER;
acrylic copolymer;
62.
Light scattering by organic crosslinking material using nanomorphology of polymer blends
机译:
使用聚合物共混物的纳米形态,通过有机交联材料进行光散射
作者:
SatoshiTakei
;
Naoya Kubo
;
Takumi Ichikawa
;
Kazuki Maekawa
;
Yoshiyuki Yokoyam
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
light-scattering film;
nano structured pattern;
self-assembly;
thermal cross-link material;
liquid crystal display;
light emitting diode;
63.
High Absorbing Resists Based on Trifluoromethacrylate-Vinyl Ether Copolymers for EUV Lithography
机译:
基于三氟甲基丙烯酸酯-乙烯基醚共聚物的EUV光刻胶的高吸收性
作者:
Matthew D. Christianson
;
Matthew M. Meyer
;
Owendi Ongayi
;
David Valeri
;
Michael Wagner
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
fluorinated resists;
EUV resists;
trifluoromethacrylates;
fluorinated polymers;
64.
Evaluation of sensitivity for positive tone non-chemically and chemically amplified resists using ionized radiation: EUV, X-ray, electron and ion induced reactions
机译:
使用电离辐射(EUV,X射线,电子和离子诱导的反应)评估非化学和化学放大正性抗蚀剂的灵敏度
作者:
Akihiro Oshima
;
Tomoko Gowa Oyama
;
Masakazu Washio
;
Seiichi Tagawa
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
resist sensitivity;
ionizing radiation;
non-chemically and chemically amplitude resists;
LET;
radiation chemistry;
positive-tone;
65.
Pattern wiggling investigation of self-aligned double patterning for 2x nm node NAND Flash and beyond
机译:
2x nm节点NAND Flash及其以后的自对准双图案的图案摆动研究
作者:
You-Yu Lin
;
Chun-Chi Chen
;
Chia-Yu Li
;
Zih-Song Wang
;
Ching-Hua Chen
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
wiggling;
SADP(Self-aligned double patterning);
amorphous carbon;
etch selectivity.;
66.
Process requirement of self-aligned multiple patterning
机译:
自对准多重图案的工艺要求
作者:
Sakurako Natori
;
Shohei Yamauchi
;
Arisa Hara
;
Masatohi Yamato
;
Kenichi Oyama
;
Hidetami Yaegashi
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
193;
EUV;
self aligned multiple patterning;
Dry cleaning;
67.
Capability study and challenges to sub-2x nm node contact hole patterning
机译:
亚2x nm节点接触孔构图的能力研究和挑战
作者:
Wan-Lin Kuo
;
Ya-Ting Chan
;
Meng-Feng Tsai
;
Yi-Shiang Chang
;
Chia-Chi Lin
;
Ming-Chien Chiu
;
Chun-Hsun Chen
;
Hung-Ming Wu
;
Mao-Hsing Chiu
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
SADP;
contact hole;
NAND FLASH;
ArF lithography;
68.
Calculating development parameters for chemically amplified resists by the film-reducing method
机译:
用减膜法计算化学放大抗蚀剂的显影参数
作者:
Atsushi SEKIGUCHI
;
Yoshihisa SENSU
会议名称:
《Advances in resist materials and processing technology XXX》
|
2013年
关键词:
ABC parameter;
development parameters;
film-reducing amount;
DRM;
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