一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法

摘要

本发明提出了一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法，针对SiGe BiCMOS工艺中CMOS栅多晶硅氧化层SPACER大面积的刻蚀时，在干法刻蚀设备性能较差，刻蚀工艺菜单优化不是很好情况下，SiGe HBT待SiGe基区外延表面容易受到刻蚀损伤，致使SiGe HBT面临失去功能或者降低性能，降低成品率的情况下，本发明提供了一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法来克服这个困难。相对于通常SiGe BiCMOS工艺增加了一张特别设计的光刻版，增加了工艺加工余度，放宽了SiGe HBT有源区的工艺窗口，降低了对干法刻蚀设备性能的苛刻要求，提高SiGe BiCMOS中SiGe HBT工艺稳定性和成品率，间接降低工艺成本，提高了工艺效益。