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基材与DLC膜之间形成的中间层的形成方法、DLC膜形成方法、以及基材与DLC膜之间形成的中间层

摘要

一种中间层形成方法,其为通过PVD法来形成中间层的中间层形成方法,所述中间层形成在基材与DLC膜之间,其具有在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和在Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序,Ti层成膜工序中,向装载基材的腔室内供给Ar气体,以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成Ti层,TiC层成膜工序中,向前述腔室内供给Ar气体和CH4气体,以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力,对基材施加偏置电压比Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于‑100V的第二偏置电压,从而形成TiC层。

著录项

  • 公开/公告号CN105705675B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同和热处理技术株式会社;

    申请/专利号CN201480060930.4

  • 申请日2014-11-06

  • 分类号C23C14/34(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/14(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/50(20060101);

  • 代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇;李茂家

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-01

    授权

    授权

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20141106

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

    公开

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