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DLC膜形成方法及DLC膜

摘要

本发明提供一种在低温环境下仍具有良好密着性的DLC膜及能形成该DLC膜的DLC膜形成方法。此外,提供一种初期相容性良好的DLC膜及能形成该DLC膜的DLC膜形成方法。在本发明中,与外离合器板(15)的基材(30)中的内离合器板相对的第1相对面(31)由DLC膜(26)覆盖。此外,基材(30)的表层部形成有处理层(33)。处理层(33)通过将直流脉冲电压施加在基材(30)上、在含有氩气及氢气的环境中生成等离子体来形成。

著录项

  • 公开/公告号CN102803554B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社捷太格特;

    申请/专利号CN201080027342.2

  • 发明设计人 铃木雅裕;齐藤利幸;山川和芳;

    申请日2010-06-09

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人金世煜

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-07

    授权

    授权

  • 2013-01-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20100609

    实质审查的生效

  • 2012-11-28

    公开

    公开

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