体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法。该器件在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构，使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧，因此提升了隧穿电流的产生率；对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿电流增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管的具体制造方法，该方法与现有集成电路工艺完全兼容，并利用普通体硅晶圆作为器件衬底，在保证器件具有优秀性能的同时，节约生产成本。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。