公开/公告号CN103182838B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 北大方正集团有限公司;北京北大方正电子有限公司;
申请/专利号CN201110460439.9
发明设计人 卢秀琴;
申请日2011-12-31
分类号B41F33/16(20060101);
代理机构11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司;
代理人黄志华
地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
入库时间 2022-08-23 09:26:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-03
授权
授权
2013-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):B41F 33/16 申请日:20111231
实质审查的生效
2013-07-03
公开
公开
机译: 一种半导体装置的制造方法,该方法可通过去除两个硅化物阻挡层工序之一而应用于双硅化物工序和双应力衬里工序
机译: 溶解工序自动生成装置及溶解工序自动生成方法
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