用于显示器的高密度等离子体CVD微晶或非晶Si膜

摘要

在一个实施方式中，提供了一种用于形成非晶含硅层或微晶含硅层的工艺，包括：将基板引入基板处理腔室的处理区域，所述基板在基板支撑件上；使处理气体流入所述基板处理腔室内的一个或多个气体容积中，所述处理气体包括含硅气体；在等离子体条件下从所述处理气体形成激励的处理气体，所述等离子体条件包括至少约1.0×1011个离子/cm3的等离子体密度；使所述激励的处理气体流入所述处理区域中；在所述基板上沉积非晶含硅层或微晶含硅层，同时将所述基板支撑件维持在约350℃或更低的温度下，所述非晶含硅层或微晶含硅层具有约2.5×1021个原子/cc或更低的氢量。还描述了TFT结构和用于形成TFT结构的工艺。