公开/公告号CN113990372A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 电力荡半导体有限公司;
申请/专利号CN202111239841.4
发明设计人 大卫·A·霍夫曼;
申请日2016-07-26
分类号G11C11/419(20060101);G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人李晔;石海霞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 14:01:55
机译: 使用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元
机译: 使用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元
机译: 使用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元