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采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元

摘要

一种SRAM单元包括第一反相器,所述第一反相器具有经由第一电阻器耦接到第二反相器的输入引线的输出引线。第二反相器的输出引线通过第二电阻器耦接到第一反相器输入引线。第一写位线经由第一开关耦接到第一反相器输入引线,第二写位线经由第二开关耦接到第二反相器输入引线。由于电阻器的原因,驱动写位线的电路在向单元写入数据时不必使反相器过负荷。单元是包括几列SRAM单元的阵列的一部分,每列耦接到一对写位线。谐振振荡器用正弦波驱动写位线。这减少了SRAM阵列消耗的功率。

著录项

  • 公开/公告号CN113990372A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电力荡半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111239841.4

  • 发明设计人 大卫·A·霍夫曼;

    申请日2016-07-26

  • 分类号G11C11/419(20060101);G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);

  • 代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人李晔;石海霞

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

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