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于洋; 赵骞; 邵志标;
西安交通大学电子科学与技术系;
SRAM/SOI; 存储单元; 白体偏压; 低压低功耗;
机译:用于低功耗65 nm FD-SOI / SON CMOS技术的高速减少泄漏的SRAM存储单元设计技术
机译:通过设计电路和器件来实现超低压工作SRAM:使用非对称MOSFET和正向体偏置技术开发0.5V 100MHz PD-SOI SRAM
机译:通过设计电路和器件来实现超低压操作SRAM-使用非对称MOSFET和正向体偏置技术开发0.5V 100MHz PD-SOI SRAM
机译:使用D2G-SOI的动态Vt,双电源SRAM单元用于低功耗SoC应用
机译:面向未来超低功耗微电子的新型8-T CNFET SRAM单元设计。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:用于sOI CmOs技术的高速图像数据压缩的低功耗VLsI神经处理器设计
机译:基于SOI技术的基于无结晶体管的6-T SRAM单元的布局设计
机译:超低功耗SRAM单元设计
机译:控制设备,用于在全交流电压下初始化负载设备并在降低的电压下连续运行,而不会在电压再现期间损失线与负载之间的连续性,一种在全线电压下启动隐藏灯的有效方法以及连续使用低压灯工作电压的有效方法在降低功耗的情况下运行,而不会中断线与隐藏灯之间的连续性以及模块化高强度放电路灯插头控制单元
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