一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法

摘要

本发明提供了一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法，属于微电子器件领域，岛状低阻通路忆阻功能层材料包括硒化物层和在硒化物层上由硒化物原位氧化获得的氧化产物层，氧化产物层中具有硒的三方晶体团簇，硒的三方晶体团簇在氧化产物层中呈岛状分布，氧空位导电细丝连通硒的三方晶体团簇和未被氧化的剩余的硒化物部分。忆阻器包括顶电极、底电极、硒化物层、氧化产物层和二维材料层，底电极设置在硒化物层上，二维材料层层叠在氧化产物层上，顶电极设置在二维材料层上，二维材料层能改善氧化产物层与顶电极的接触特性，形成欧姆接触。本发明还提供了忆阻器的制备方法。本发明能提升忆阻器阈值电压一致性的同时降低阈值电压的数值。