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基于列数据分割的低功耗可重构SRAM结构及数据存取方法

摘要

本发明提供一种基于列数据分割的低功耗可重构SRAM结构及数据存取方法,所述数据存取方法包括:提取每一个数据段的数据特征,并根据每一个数据段的数据特征配置对应的标志位,其中,数据存储阵列中的每一列数据被划分为多段形成多个数据段;根据每一个数据段的标志位,配置每一个数据段的工作模式;按照对应的工作模式从数据存储阵列中读取数据。本发明在不改变数据存储阵列每列数据中数据单元数量的条件下,对数据进行更细粒度的特征统计,将一列中的数据划分为多个段,对每一数据段进行数据特征的读取,并且分别配置每个段的工作模式,按照对应的工作模式读取数据,降低了整个数据存储阵列中数据读取的功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN112242162A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201910649227.1

  • 发明设计人 许晗;乔飞;李子儒;杨华中;

    申请日2019-07-18

  • 分类号G11C11/413(20060101);G11C7/10(20060101);G11C8/10(20060101);

  • 代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人苗晓静

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-20

    授权

    发明专利权授予

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