退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN108811517A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;
申请/专利号CN201780002979.8
发明设计人 M.乔杜里;A.林;J.卡伊;张艳丽;J.阿尔斯梅尔;
申请日2017-11-20
分类号H01L29/08(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/49(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址 美国得克萨斯州
入库时间 2023-06-19 07:14:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/08 申请日:20171120
实质审查的生效
2018-11-13
公开
机译: 具有横向延伸的栅极电介质的高压场效应晶体管及其制造方法
机译: 具有高击穿电压的横向金属氧化物半导体场效应晶体管具有根据最大电势梯度指定的栅极氧化物膜厚度
机译: 由栅极电介质层横向约束的带状通道的多栅极垂直场效应晶体管及其制造方法
机译:具有三元Hf_xMo_yN_z金属栅极和Gd_2O_3高K栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压可调性
机译:具有高偶极矩溶剂沉积的聚甲基丙烯酸甲酯栅极电介质溶液的低工作电压和稳定的有机场效应晶体管
机译:具有高k交联的氰乙基化支链淀粉聚合物栅极电介质的低工作电压有机场效应晶体管
机译:在超薄车身平面上的3-D三栅极静电改善量子阱场效应晶体管,具有高k栅极电介质和缩放栅极到漏/栅极与源分离
机译:开发了用于多阈值电压应用的n-MOS到p-MOS可调谐单金属栅极/高kappa绝缘体器件的创新制造方法。
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管用于透明柔性可穿戴生物传感器
机译:具有不同覆盖角度的高k栅极电介质对栅极 - 全场场效应晶体管电特性的影响:仿真研究
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)