退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张邦维;
湖南大学应用物理系;
电介质材料; 高k电介质; 物理和电性能; 纳米晶体管;
机译:考虑栅极电介质厚度缩放的InAs纳米线晶体管周围栅极的高K电介质的TCAD性能分析
机译:使用Ashby法,VIKOR法和TOPSIS法研究纳米晶硅(nc-Si)顶栅薄膜晶体管(TFT)中栅极电介质的材料选择
机译:将HRTEM-EELS纳米分析与电容电压测量相结合,以评估沉积在Si和Ge上的高K薄膜,作为未来栅极电介质的候选材料
机译:纳米 0.3 INF>为具有高k栅极电介质的纳米线环绕栅极晶体管,Si衬底
机译:新型有机半导体和用于有机薄膜晶体管的高电容栅极电介质。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。
机译:适用于Si,SiGe和应变硅方案的高K栅极电介质和较小的栅极到栅极空间的无垫片晶体管集成方案
机译:适用于SI,SIGE和STRING硅方案的高K栅极电介质和小栅极到栅极空间的无间距晶体管集成方案
机译:适用于Si,SiGe应变硅方案的高k栅极电介质和较小的栅极到栅极空间的无垫片晶体管集成方案
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。