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一种提高FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法

摘要

一种提高FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法,属磁电子学和磁记录技术领域。一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法,属磁电子学和磁记录技术领域。它包括以下步骤:(1)、沉积制作FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜;(2)、利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备,进行离子辐照改性,离子辐照的剂量为5×10

著录项

  • 公开/公告号CN101794658A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN200910164871.6

  • 发明设计人 周广宏;王寅岗;李子全;陈建康;

    申请日2008-05-09

  • 分类号H01F10/32;H01F41/18;H01F41/14;

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人唐小红

  • 地址 210016 江苏省南京市白下区御道街29号

  • 入库时间 2023-12-18 00:31:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L43/12 授权公告日:20111019 终止日期:20150509 申请日:20080509

    专利权的终止

  • 2011-10-19

    授权

    授权

  • 2010-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F10/32 申请日:20080509

    实质审查的生效

  • 2010-08-04

    公开

    公开

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