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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
召开年:
2001
召开地:
兰州
出版时间:
2001-07-01
主办单位:
中国物理学会
会议文集:
第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议论文集
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1.
利用ROTMOKE测量磁性超薄膜样品的特性
田传山
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
2.
不均匀场中的静磁波传输功率和导波光衍射效率分析
刘公强
;
张文康
;
邹志强
;
郑平浩
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文理论分析和计算了垂直不均匀磁场情况下,磁光薄膜波导中由静磁波与导波光相互作用导致的导波光衍射效应.理论分析表明,与均匀场相比,分布适当的不均匀场可使静磁波振幅和导波光衍射效率明显提高.定量计算进一步表明,静磁波的比振幅R和导波光的比衍射效率η<,r>的大小与不均匀场的起始位置和所在位置处的磁场值有关,而与不均匀场变化的路径无关.这一理论结果为设计不均匀场和有效提高导波光衍射效率提供了有益的依据.
静磁波;
导波光;
衍射效率;
静磁场;
磁光波导;
3.
抗EMI磁性材料及器件
姬海宁
;
兰中文
;
张怀武
;
王豪才
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文综述了抗电磁干扰的材料及器件,给出了具体的应用,并指出进一步发展的方向.
抗电磁材料干扰材料;
软磁铁氧体;
4.
圆筒形多层磁屏蔽计算机辅助设计
王永庆
;
何俊发
;
刘光斌
;
李晓建
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文通过对单层及双层圆筒形磁屏蔽进行计算机辅助优化设计,给出单层磁屏蔽材料设计不宜过厚,双层结构比单层结构屏蔽效能由明显的提高的结论.并且给出双层之间空气层厚度的最佳取值范围.
屏蔽性能;
优化设计;
磁屏蔽材料;
计算机辅助设计;
5.
介观磁学与纳米磁性材料
李国栋
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文论述了介观磁学的来源和意义,介观磁性的主要特点,纳米磁性材料与介观磁性的关系,纳米磁性材料的种类和应用.
磁学;
纳米磁性材料;
介观磁性;
6.
(Fe1-xCox)84Zr3.5Nb3.5B8Cu1铁磁共振研究
侯碧辉
;
李志伟
;
姚琨
;
高琛
;
郭慧君
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文在对纳米结构的系列(Fe<,1-x>Co<,x>)<,84>Zr<,3.5>Nb<,3.5>B<,8>Cu<,1>合金薄带的静态磁性及磁电阻特性全面研究的基础上,用通用的ERS谱仪对样品的动态磁特性进行研究,发现由于磁化率X随磁场强度H非线性变化,在低场样品的非共振信号强度与铁磁共振信号相当,并且在薄带上观测到了明显的巴克豪森跳跃,薄带样品的FMR是各向异性的.
铁磁共振;
磁化率;
磁场强度;
7.
慢正电子技术在表面及薄膜科学中的应用
王宝义
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
慢正电子束流技术通过测量不同深度正电子湮没的γ光子的能谱或寿命,可以得到不同深度的微结构的特征及分布,是测量固体中缺陷类型及浓度、相变等十分有效的方法.本文在简单介绍慢正电子技术的基础上,通过分析一些典型的研究工作,就慢正电子技术在表面科学及薄膜材料中的应用研究工作进行了简单综述.
慢正电子技术;
薄膜材料;
薄膜科学;
8.
X射线异常散射技术研究界面元素分布
罗光明
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
9.
Fe-Ni纳米线阵列膜的结构、磁性和穆斯堡尔效应研究
刘青芳
;
王建波
;
曹兴忠
;
薛德胜
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文用交流电化学沉积方法在阳极氧化铝模板上成功地制备了直径约16nm,长度4μm的Fe<,1-x>Ni<,x>(0≤x≤0.32)合金纳米线阵列.利用X射线衍射、透射电子显微镜对其结构、形貌进行了表征.宏观磁测量的结果表明样品存在很强的磁各向异性.穆斯堡尔谱的研究表明样品内Fe原子磁矩取向一致,均沿着纳米线轴向排布,超精细磁场随着镍含量的增加缓慢变化.
Fe-Ni纳米线;
磁性;
穆斯堡尔效应;
交流电化学法;
显微结构;
10.
FeMnC/FeMn中的交换耦合和双偏置现象
赵宏武
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
11.
BiFeO3纳米微粉的磁性
何海英
;
李建功
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
采用溶胶-凝胶法,制备了BiFeO<,3>纳米微分.分析发现,所制BiFeO<,3>纳米微米具有菱方钙钛矿型结构,晶胞棱长随可颗粒尺寸减小而增大,棱间夹角随颗粒尺寸减小而减小.微粉无团聚,基本为单晶颗粒,较小的颗粒呈球形或类球形,较大的颗粒呈多面体.磁性测量表明,BiFeO<,3>纳米微粉为反铁磁结构的弱铁磁性.随颗粒尺寸减小,磁化率增大,磁化强度也增大.
纳米微粉;
溶胶-凝胶法;
磁性特点;
12.
Y1-xTbxMn6Sn6(x=0-1.0)化合物的磁性与输运性质研究
张绍英
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
13.
高压纳米Fe3O4的磁输运特性研究
王海
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
14.
钙钛矿锰氧化合物的结构稳定性对居里温度的影响分析
张栋杰
;
蒋晓龙
;
王飞
;
都有为
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
测定了A<,1>A<,2>(MnB)O<,3>钙钛矿化合物在不同组成时的巨磁电阻的居里温度变化,利用晶体结构稳定性原理对其进行了定性分析,结果与理论一致.
钙钛矿化合物;
巨磁电阻;
居里温度;
高子掺杂;
15.
铁磁钙钛矿中双交换、超交换及各向异性对磁性的影响
李庆安
;
李润伟
;
成昭华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
引入了包括双交换、超交换及磁各向异性理论模型,用自旋算符的Schwinger boson表示及Hartree-Fock解耦法导出了超大磁电阻材料(CMR)材料中的自旋波激发及描述材料磁性的平均场方程组.发展了一种自恰扩展高斯法,解出了平均场方程组,计算了不同磁各向异性系数下磁化强度随温度的变化曲线.所向曲线及居里温度与J.Park等人得出实验结果符合很好.
磁电阻材料;
双交换作用;
磁各向异性;
超交换;
铁磁钙钛矿;
16.
La0.85Na0.15MnO3的磁电性质和电子结构
李志青
;
姜恩永
;
任世伟
;
白海力
;
刘新典
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
实验研究了La<,0.85>Na<,0.15>MnO<,3>薄膜和多晶块体的磁电性质和电子结构,发现,随着晶粒尺寸的减小,La<,0.85>Na<,0.15>MnO<,3>的磁转变温度区域逐渐变宽,并且,金属-半导体转变温度向低温区移动.非晶薄膜、晶粒为83.2nm的多晶薄膜及多晶块体的XPS价带谱基本一致,这表明,小极化子在居里温度下已经形成.
La,0.85Na,0.15MnO,3薄膜;
磁电性质;
电子结构;
射频溅射法;
17.
La0.67Pb0.33MnO3的磁性及输运特性
韩立安
;
肖春涛
;
赵俊慧
;
H.Kunkel
;
G.Williams
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
采用固相反应烧结法制备了La<,0.67>Pb<,0.33>MnO<,3>单相多晶样品.研究了其结构、磁性及输运特性.结果表明,样品呈菱面相结构.在T=360K左右,发生顺磁-铁磁转变,导电特性由半导体特征向金属特征过渡.磁电阻在居里点附近达到极大.H=1.6T时,磁电阻的极大值为14.5﹪,当H=0.8T时,磁电阻的极大值为9﹪.
钙钛石型锰氧化物;
固相反应烧结法;
磁性质;
输运性质;
磁电阻效应;
18.
LaFe11.375Al1.625化合物的磁熵变与磁电阻研究
胡凤霞
;
孙继荣
;
王光军
;
成昭华
;
沈保根
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
在Fe基立方NaZn<,13>型化合物LaFe<,11.375>Al<,1.625>中发现连续的二次相变,181K处顺磁到反铁磁的转变以及140K处反铁磁到铁磁的转变,前者相变性质为二级,后相相变性质为一级.研究了与这两次相变相关的磁熵变与磁电阻行为.结果表明,在很宽的温区表现出大的恒定的磁熵变行为.在反铁磁至铁磁的一级相变点附近,发现电阻的陡峭变化.磁电阻研究表明,在反铁磁区域,磁场诱发的反铁磁至铁磁的转变伴随有大的磁阻效应,0.7T下的磁电阻为3.6﹪.
金属间化合物;
磁熵变;
磁电阻效应;
19.
超薄膜的铁磁共振研究
翟亚
;
眭云霞
;
龙建国
;
杜军
;
鹿牧
;
陆祖宏
;
翟宏如
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
20.
Ni81Fe19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)效应
王志明
;
倪刚
;
徐庆宇
;
桑海
;
都有为
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
利用射频溅射的方法制备了Ni<,81>Fe<,19>薄膜,研究了不同厚度、不同基片温度、不同真空退火温度对AMR的影响.当膜厚小于300A时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于800A时,膜厚对AMR的影响逐渐减小.基片温度、真空退火温度对AMR值的提高至关重要,适当到选择这两个温度能使薄膜内的晶粒变大,晶界面积变小,晶界对传导电子的散射减小,从而电阻率下降,AMR效应提高.我们还研究了缓冲层对AMR的影响,发现某些缓冲层能有效地提高AMR效应.
Ni,81Fe,19薄膜;
磁电阻效应;
薄膜厚度;
基片温度;
21.
纳米晶软磁薄膜及应用研究
张怀武
;
刘颖力
;
钟智勇
;
石玉
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
文章报道了纳米软磁薄膜材料的制备方法,给出了光源闪烁纳米晶化的最佳工艺参数,同时还分析了铁基和钴基薄膜纳米晶化后磁导率的频谱特性,发现其截止频率向高频端移动.
纳米软磁薄膜;
磁导率;
频谱特性;
磁控溅射法;
制备工艺;
22.
Co1-xMnx合金在GaAs(001)表面外延生长的结构和磁性研究
吴义政
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
23.
自旋阀多层膜微结构的表征
刘翠秀
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
24.
Ta/Cu/NiFe/FeMn多层膜中Cu的表面偏聚
李明华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
25.
巨磁电阻自旋阀(GMR-SV)传感器用CoCrTa永磁体膜(PM)的初步研究
宋庆山
;
方光旦
;
尹林
;
G.Pan
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
报道了巨磁电阻自旋阀传感器的CoCrTa永磁体(PM)膜制备工艺的初步研究结果,即基板负偏压、靶溅射功率密度、膜厚及溅射工作气体Ar分压等制备参数对Cr/CoCrTa膜矫顽力Hc的影响.
永磁体膜;
制备工艺;
巨膜电阻自旋阀传感器;
制备参数;
26.
Co/CoO系列中反铁磁钉扎效应的研究
游彪
;
潘明虎
;
赵艳玲
;
盛雯婷
;
杜军
;
鹿牧
;
胡安
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
我们用磁控溅射方法制备了Co/CoO(t<,1>,t<,2>)的双层膜,利用成膜时所加的磁场使Co层产生单轴各向异性,在其难轴方向上加以不同的磁场,使铁磁层处于不同的磁化状态进行场冷,在100K处测量其垂直、平行方向上的磁滞回线,得到双层膜的钉扎场He,矫顽场Hc和矩形比随场冷磁场的变化关系.
Co/CoO(t1t2)双层膜;
反铁磁钉扎效应;
磁滞回线;
27.
双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿磁电阻
谢征微
;
李伯臧
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
对W-G最近提出拓零偏压下具有甚高隧穿磁电阻的双自旋过滤隧道结,针对磁电阻元件研制与应用的需要,计算了此种隧道结的隧穿磁电阻随偏压,铁磁绝缘层厚度以及势垒高度的变化.
双自旋过滤隧道结;
隧穿磁电阻;
有限偏压;
28.
100Gb/in2以上超高记录分立比特信息存储薄膜的磁性质
韦丹
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
未来几年内,计算机硬盘的数据存储密度的增长会遇到磁颗粒的超顺磁性的限制.新一代的分立比特信息存储薄膜有可能突破超顺磁性极限的限制,使信息存储密度达到100Gb/in<'2>以上.本文将用微磁学模拟计算的方法研究密度为258Gb/in<'2>和717Gb/in<'2>由圆柱形单磁畴纳米颗粒组成的垂直记录分立比特薄膜的性质.静磁相互作用和磁晶各向异性对磁性质的影响也将在文中做详细讨论.
信息存储薄膜;
微磁学模拟法;
磁性质;
29.
铁磁介质的非线性偶极交换表面自旋波
徐岩
;
薛德胜
;
李发伸
;
苏刚
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
研究了具有非均匀交换各向异性偶极交换铁磁体的非线性表面自旋波.在弱非线性近似下,导出了偶极交换表面自旋波的线性和非线性色散关系,给出了自旋波包络振幅所遵从的一维非线性薛定谔方程及其孤立子解.
铁磁介质;
非线性表面自旋波;
偶极交换自旋波;
30.
铁磁介质的非线性表面自旋波理论
徐岩
;
李发伸
;
薛德胜
;
陈子瑜
;
苏刚
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
针对具有非均匀交换各向异性的纯交换铁磁介质的非线性表面自旋波的性质和行为作了较为系统的理论研究.基于Akhiezer等所给出的铁磁体自由能的表达式,我们引入了对应于正交晶系的非均匀交换各向异性项,利用该项导出了弱非线性近似下铁磁体的Landau-Lifshitz方程,得到了纯交换铁磁介质非线性表面自旋波的色散关系,并首次获得了自旋波包络振幅所遵从的二维非线性Schrodinger方程,结果表明铁磁体磁化强度振幅随时空变化的性质是由二维非线性Schrodinger方程决定的.因此,我们预言铁磁介质的表面非线性激发应该是二维孤立波的形式.对于弱非线性表面自旋波,我们对二维非线性Schrodinger方程存在孤立子形式解的可能性作了详细讨论.
铁磁介质;
非线性表面自旋波;
边界条件;
色散关系;
薛定谔方程;
31.
Fe1-xPdx合金电子结构和磁性的理论研究
施一生
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
32.
超分辨磁光记录介质研究
赵艳玲
;
王世奇
;
鹿牧
;
翟宏如
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文对用作磁光记录材料的Glass/SiN/GdFeCo/GdFeCoSi/TbFeCo/SiN三层膜以及组成以三层膜的双层及单层材料进行了一些静磁测量及研究.
磁光记录材料;
静磁测量;
信息存储技术;
33.
红条毛肤石鳌齿舌中的磁性纳米片状粒子
钱霞
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
34.
铂纳米线的制备及其光学性质的研究
高铁仁
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
35.
新型纳米磁性半导体颗粒膜的研究进展
刘发民
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
36.
表面磁光效应中控温样品架装置的制作
王美芳
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
37.
振动样品磁强计的系统优化
何睿华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
38.
Ni单晶表面的超快磁动力学现象的研究
高春雷
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
39.
巨磁电阻和自旋转移
翟宏如
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文将介绍磁电子学的一些新进展.包括读出磁头和自旋阀和磁性隧道结为基的随机存储器.金属隧道结及纳米(点)接触巨磁电阻和自旋转移.
巨磁电阻;
自旋转移;
磁电子学;
磁性隧道结;
随机存储器;
40.
非晶多层FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应
萧淑琴
;
代由勇
;
刘宜华
;
高汝伟
;
张林
;
陈延学
;
梅良模
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
研究了多层Fe<,73.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,13.5>B<,9>薄膜结构的巨磁阻抗效应.这种多层结构在制备态即具有显著的巨磁阻抗效应.当外加直流磁场平行及垂直于交变电流方向(分别称为纵向及横向巨磁阻抗)时获得的最大磁阻抗变化率分别为50﹪和34﹪.纵向阻抗变化率随磁场的变化具有明显的双峰结构,在1.6kAm<'-1>达到最大值,在0~1.6kAm<'-1>磁阻抗变化率随磁场变化的灵敏度为0.03﹪/Am<'-1>,而横向磁阻抗变化率随磁场变化几乎是单峰结构.另外,我们发现阻抗随磁场的变化存在磁滞.
FeCuNbSiB薄膜;
非晶多层薄膜;
巨磁阻抗效应;
射频溅射法;
41.
纳米线阵列的制备与性质
李发伸
;
彭勇
;
薛德胜
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文详细介绍了阳极氧化铝模板的制备,并以透射电子显微镜,扫描电子显微镜,X射线衍射仪作为测试手段,研究了电化学实验条件对阳极氧化铝模板各参数的影响,分析了其形成过程.
阳极氧化铝膜板;
纳米线阵列;
纳米结构制备;
42.
La-Ca-Mn-O巨磁电阻材料Mossbauer研究--局域晶格畸变和Jahn-Teller效应研究.
成昭华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
43.
外延La2/3Sr1/3MnO3薄膜和Ag掺杂的La2/3Sr1/3MnO3薄膜的显微结构研究
贺连龙
;
詹倩
;
于荣
;
李斗星
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
对La<,2/3>Sr<,1/3>MnO<,3>和Ag掺杂的La<,2/3>Sr<,1/3>MnO<,3>薄膜的微观结构进行TEM,HREM及EDS分析.两种薄膜均厚度均匀,界面明锐.掺杂的Ag原子不能替代进入LSMO晶格中,而可能偏聚于晶界并在随后的沉积和退火过程中重新蒸发.
La,2/3Sr,1/3MnO,3薄膜;
磁性能;
显微结构;
44.
机械合金化制备的Fe-SiO2纳米复合材料的磁谱研究
倪刚
;
蒋晓龙
;
尚雷
;
王锦辉
;
王志明
;
桑海
;
都有为
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
我们用机械合金化的方法制备了一系列不同组分的Fe-SiO<,2>纳米复合材料,我们研究了其在不同频率(500-1.8GHz)下的交流磁导率,发现在Fe含量较高的样品中,磁谱呈现典型的弛豫型谱线,且其共振频率f<,r>(μ")随着Fe含量的减少逐渐往高频方向移动,我们还用XRD等手段观察了其微结构形貌,并研究了微结构与磁谱的关系.
纳米复合材料;
显微结构;
磁谱;
机械合金化法;
45.
Fe-Al2O3纳米复合材料的溶胶-凝胶制备
黄跃龙
;
周平衡
;
马跃
;
牛紫平
;
薛德胜
;
李发伸
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
以Fe(NO<,3>)<,3>和Al(OC<,3>H<,7>)<,3)为起始原料,利用溶胶-凝胶技术成功制备了Fe-Al<,2>O<,3>纳米复合材料.分别用X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对样品进行了测试表征.XRD测试结果显示,得到了纯相的Fe-Al<,2>O<,3>纳米复合材料.TEM测量结果表明,Fe颗粒粒度分布窄,均匀地镶嵌在纳米Al<,2>O<,3>基体中.将样品在200℃进行氧化处理结果表明,镶嵌在Al<,2>O<,3>基体中的纳米Fe颗粒具有很好的抗氧化性能.
纳米复合材料;
溶胶-凝胶法;
抗氧化性能;
46.
锰掺杂钴铁氧体纳米晶薄膜和粉末的结构与磁性研究
周彪
;
张亚文
;
程福祥
;
廖春生
;
严纯华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
利用溶胶-凝胶法分别制备了CoFe<,2-x>Mn<,x>O<,4>(x=0~2.0)纳米晶薄膜和粉末样品,并对其结构和磁性进行了研究.结果表明,随着Mn<'3+>的掺入,薄膜和粉末样品都会发生由立方相到四方相的转变,对于薄膜样品,转变发生在x=1.5时,而对于粉末样品则在x=1.3时.样品饱和磁化强度和矫顽力均随着Mn<'3+>掺杂量的增加而降低;但在转变点附近,亚稳相存在时的结构应力导致了矫顽力的增强.
纳米晶薄膜;
溶胶-凝胶法;
磁性质;
磁化强度;
47.
颗粒膜中的磁畴及磁性颗粒的互作用
桑海
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
48.
Co38(MgF2)62纳米颗粒膜的巨磁电阻效应研究
池俊红
;
刘春明
;
李成贤
;
葛世慧
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
利用射频共溅射方法制备了Co<,38>(MgF<,2>)<,62>纳米颗粒膜,系统的研究了薄膜的微结构、磁性和隧道磁电阻(TMR)效应.X射线衍射结果显示,颗粒膜是由3nm左右的Co颗粒均匀地镶嵌在晶态的MgF<,2>绝缘介质中而形成;通过测量不同外磁场下薄膜的零场冷却和场冷却曲线可知,薄膜的颗粒间存在着较强的相互作用;颗粒膜的TMR值室温下为-8﹪,液氮温度下为-9.3﹪,TMR~H曲线可用Inoue理论并考虑颗粒尺寸分布很好地拟合.
纳米颗粒膜;
射频共溅射法;
隧道磁电阻效应;
磁性;
薄膜结构;
49.
衬底温度对Co38(MgF2)62颗粒膜磁电阻效应的影响
池俊红
;
刘春明
;
李成贤
;
葛世慧
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co<,38>(MgF<,2>)<,62>颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应的影响.发现随衬底温度增加,膜中颗粒逐渐长大,颗粒间距也逐渐增大.薄膜的磁电阻值随衬底温度从573K降低首先增加,在室温下制备的样品中磁电阻值达到最大-8﹪,而当衬底温度降低到液氮温度时,其TMR值反而减小.表明只有合适的衬底温度才能有较大的TMR值,并不是衬底温度越低越好.
纳米颗粒薄膜;
磁电阻效应;
衬底温度;
射频共溅射法;
50.
氧化铝模板中Co纳米线磁性的研究
马骁
;
黎超
;
王新伟
;
李成贤
;
葛世慧
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
在直径为15nm、50nm、100nm的Al<,2>O<,3>模板中,利用电化学交流沉积制备了Co纳米线.振动样品磁强计测量结果表明;随着模板直径的减小,在测量磁场垂直于模板时,矫顽力(Hc)从550Oe增大到1400Oe,Mr/Ms从0.10增大到0.94;即垂直各向异性增大.以上变化可以从形状各向异性的增强及线间相互作用的减弱来解释.提出了一种计算线间相互作用的模型,计算了样品中的线间相互作用,较好的解释了实验结果.
Co纳米线;
氧化铝模板;
磁性;
交流电化学法;
51.
电化学纳米线沉积中外加磁场对其结构和磁性的影响
马骁
;
黎超
;
王新伟
;
李成贤
;
葛世慧
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
用电化学方法在多孔聚碳酸酯膜内制备了不同直径的Co、Fe、Ni纳米线阵列,研究了沉积中外加磁场对纳米线的结构和磁性的影响.结果表明对直径为400nm的Co纳米线阵列沉积时外加纵向磁场(平行于线轴)使Co颗粒的c轴沿线轴生长,导致了大的垂直膜面各向异性,且矫顽力和矩形比在大大提高,而沉积时外加磁场对直径小的Co纳米线和Fe、Ni线的垂直磁各向异性影响不大.
纳米线;
外加磁场;
磁性;
交通电化学法;
矫顽力;
52.
磁超分辨磁光记录介质研究
赵艳玲
;
王世奇
;
龙建国
;
鹿牧
;
翟宏如
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文介绍了磁超分辨磁光存储技术的基本原理.并报道了构成磁超分辨(MSR)RAD磁光盘介质三层膜GdFeCo(40nm)/GdFeCoSi(40nm)/TbFeCo(50nm)j及各个单层,双层膜和三层膜的磁滞回线和铁磁共振测量结果.
磁光存储技术;
磁光记录原理;
磁光记录材料;
53.
Fe(B)和Co(B)纳米胶囊中的交换偏置
张志东
;
赵新国
;
刘伟
;
董星龙
;
I.Skorvanek
;
李志杰
;
金寿日
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
研究了Fe(B)和Co(B)纳米胶囊的结构和磁性,测量了Fe(B)和Co(B)纳米胶囊在不同温度下的磁滞回线,发现在这两类纳米胶囊中均存在交换偏置现象.随着温度的降低,交换偏置现象增加.由于在纳米胶囊的壳核界面附近可能有自旋磁矩的复杂排列,这种交换偏置与纳米胶囊的壳核结构导致的磁性交换各向异性有关.研究发现Fe(B)纳米胶囊在室温存在交换偏置,可能与Fe<,3>O<,4>相的存在有关.而相比之下,Co(B)纳米胶囊在低温的较强的交换偏置可归结为CoO相的存在.
纳米胶囊;
交换偏置;
磁滞回线;
磁性;
54.
机械合金化制备的高矫顽力TbMn6Sn6纳米永磁材料
赵鹏
;
张健
;
张绍英
;
张宏伟
;
沈保根
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文通过对机械化合金的方法制备的纳米尺寸TbMn<,6>Sn<,6>材料的研究,讨论了制备工艺对其永磁性的影响,以及矫顽力随温度变化的关系.
纳米永磁材料;
机械合金化方法;
制备工艺;
矫顽力;
55.
纳米复合永磁材料的微结构与磁性
成昭华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
56.
La2/3Sr1/3MnO3纳米颗粒的表面磁性研究
朱涛
;
孙继荣
;
赵宏武
;
詹文山
;
沈保根
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
利用溶胶凝胶方法制备了La<,2/3>Sr<,1/3>MnO<,3>纳米颗粒,通过SQUID测量发现在纳米La<,2/3>Sr<,1/3>MnO<,3>中存在着一层类自旋玻璃的表面层,该表面类自旋玻璃层的形成原因可能是表面的对称性破缺后导致表面的磁结构和颗粒体内的有很大不同,随着颗粒尺寸的增加,如当颗粒尺寸大于50nm后就不再能观测到该表面磁结构.
纳米材料;
表面磁性;
磁结构;
57.
氧含量对钻氧化物薄膜电子输运性质的影响
孙继荣
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
58.
锰位掺杂纳米微晶La0.7Ca0.3Mn0.9M0.1O3的低场磁电阻效应
李晓航
;
黄云辉
;
王哲明
;
廖春生
;
严纯华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
利用溶胶-凝胶法制备了La<,0.7>Ca<,0.3>Mn<,0.9>M<,0.1>O<,3>(M=Cr,Fe,Mn,Ni,Cu)纳米微晶样品,对其进行了结构、成分、微观形貌的表征及磁输运性质的测试.结果表明,锰位替代对体系的低场磁电阻具有明显的影响,其中M=Fe和Ni时,低场灵敏度有明显增强.锰位掺杂不同的低场磁电阻效应可能与不同的电子结构导致自旋极化隧穿的差异有关.
纳米材料;
磁电阻效应;
溶胶-凝胶法;
输运性质;
59.
La0.7Ca0.3MnO3-Ag纳米复合体系磁相转变和金属-绝缘体转变的增强效应
黄云辉
;
黄科峰
;
陈省
;
王哲明
;
廖春生
;
严纯华
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
采用软化学手段制备了La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>(LCMO)-Ag纳米复合体系,考察了复合对体系磁性和输运性质的影响.研究表明Ag掺入后,LCMO的磁相转变温度增加,10wt﹪的Ag加入后可使LCMO的T<,c>由272K增至290K,同时伴随着金属-绝缘体转变温度的明显增加.认为所观察到的增强现象与晶界效应及晶化程度的改善有关.
纳米复合材料;
磁性;
输运性质;
增强效应;
磁相转变;
金属-绝缘体转变;
60.
La0.7Sr0.3MnO3/CoFe2O4复合体系的化学制备及磁电阻效应
罗锋
;
黄云辉
;
王哲明
;
廖春生
;
严纯化
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
采用粉末包覆sol-gel方法制备了La<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>(LSMO)/CoFe<,2>O<,4>(CF)复合体系,通过XRD和SEM可以清晰地辨明两相的存在,实验数据表明CF复合以后,LSMO体系的磁电阻效应以及低场灵敏度都具有明显的增强.铁磁性绝缘体氧化物CF的介入,除了改变LSMO颗粒间电子隧穿的路径和势垒外,强烈的磁散射和导致的磁不均匀性也将对磁输运性质产生影响.
纳米复合材料;
化学制备;
磁电阻效应;
输运性质;
61.
掺杂铁氧体微粉对La2/3Sr1/3Mn0.97Cu0.03O3磁电阻的影响
唐贵德
;
姚宁
;
刘力虎
;
杨连祥
;
陈伟
;
严振庄
;
潘成福
;
邬鸿彦
;
聂向富
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
在La<,2/3>Sr<,1/3>Mn<,0.97>Cu<,0.03>O<,3>中掺杂20﹪的ZnFe<,2>O<,4>.发现掺杂后的电阻率要远大于未掺杂样品的电阻率.掺入铁酸锌后,样品的磁电阻值明显大于未掺杂的样品.在1.5T,263K时,掺杂20﹪的ZnFe<,2>O<,4>的MR为15﹪,而La<,2/3>Sr<,1/3>Mn<,0.97>Cu<,0.03>O<,3>的MR在同样条件下仅为5﹪.
磁电阻材料;
磁电阻效应;
铁氧体;
溶胶-凝胶法;
62.
La1-xSrxMnO3(0.5≤x≤0.8)的结构,磁性,和输运性质
李润伟
;
李庆安
;
孙继荣
;
张绍英
;
成昭华
;
沈保根
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
通过x-ray衍射、电子自旋共振(ESR)、电性以及磁性测量,对La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>(LSMO0.5≤x≤0.8)的结构、磁性和输运性质进行了系统地研究.结果表明,与低掺杂的情况不同,当x>0.5时,LSMO在250K附近发生了正交-准四方结构转变.x≥0.5的样品从5K到400K一直表现为绝缘性.磁性和ESR测量结果表明,在0.5≤x≤0.6区间内,LSMO是相分离的(低温下,铁磁相和反铁磁相共存).当0.6≤x≤0.8时,LSMO具有均匀的倾斜的反铁磁结构.基于以上研究,La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>的磁相图被扩展到了x=0.8.
磁性材料;
显微结构;
磁性;
输运性质;
63.
不同厚度的La2/3Sr1/3MnO3多晶薄膜输运性质研究
蒋晓龙
;
徐庆宇
;
桑海
;
都有为
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
运用磁控溅射的方法,在表面氧化的Si(100)基片上制备了一系列不同厚度的La<,2/3>Sr<,1/3>MnO<,3>多晶薄膜.根据对输运的研究,发现存在一个厚度73nm,当t>73nm的时候,薄膜呈现出与块体类似的输运特点,而当t<73nm的时候,薄膜的电阻太大以至于薄膜的金属-绝缘体转变温度(T<,p>)变得不可测量.X射线衍射(XRD)结果显示:在t=73nm附近存在一个结构的转变.这表明La<,2/3>Sr<,1/3>MnO<,3>不同厚度多晶薄膜的输运性质的不同或许来自结构的转变.
多晶薄膜;
薄膜厚度;
输运性质;
磁控溅射法;
64.
Nd0.52Sr0.48MnO3薄膜内的磁性团簇及其物理特性
任世伟
;
姜恩永
;
金英进
;
李志青
;
白海利
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文利用Wagner等人提出的物理模型对Nd<,0.52>Sr<,0.48>MnO<,3>薄膜内的磁性团簇及其物理特性进行了研究.分析了Nd<,0.52>Sr<,0.48>MnO<,3>薄膜中MR等物理量与团簇尺寸之间的联系.通过对MR在不同温区所遵循规律的分析,发现伴随Nd<,0.52>Sr<,0.48>MnO<,3>由铁磁向顺磁的相变存在于该化合物内的磁性团簇的尺寸发生了一个突变,对起因进行了初步分析.
磁性团簇;
物理特性;
Nd,0.52Sr,0.48MnO,3薄膜;
输运性质;
65.
Cu及Cu1-xFex合金在GaAs(001)表面外延生长的结构和磁性研究
田真
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
66.
THICKNESS DEPENDENCE OF COERCIVITY IN LEAD-ZIRCONIUM-TITANATE FILM
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
67.
Co/ZnO/FeNi磁性多层膜中的垂直(CPP)磁电阻效应
陈延学
;
郝晓涛
;
任妙娟
;
萧淑琴
;
刘宜华
;
梅良模
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文研究了Co/ZnO/FeNi磁性多层膜的垂直磁电阻特性.利用多靶磁控溅射系统和光刻技术在Si(100)衬底上制备出微米尺寸的(Co/ZnO/FeNi/ZnO)<,2>多层膜样品.在77K温度下对其磁电阻进行了测量,样品电阻为几个欧姆,磁电阻可达3.3﹪.
磁性多层膜;
磁控溅射;
光刻技术;
磁电阻效应;
输运性质;
68.
Fibonacci准周期Co/Cu多层膜的结构和磁电阻
谭伟石
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
69.
表面活化剂Bi对自旋阀钉扎场的影响
姜宏伟
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
70.
镜面反射自旋阀及其读出传感器
方光旦
;
宋庆山
;
卢正启
;
Dr.G.Pan
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
计算机硬盘的面记录密度以每年100~150﹪的速率快速地增长,随着记录密度的提高,作为读出磁头关键技术之一的巨磁电阻自旋阀(GMR SV)材料,围绕着提高灵敏度和稳定性,在传统自旋阀基础上出现了不少新结构,如双自旋阀、混合自旋阀、合成自旋阀、自旋滤波器以及镜面反射自旋阀结构等,本文主要介绍我们在纳米氧化层镜面反射自旋阀材料及其读出传感器方面的一些研究结果.
镜面反射自旋阀;
磁性材料;
读出磁头传感器;
71.
层间扩散对NiO/FeNi交换耦合的影响
徐庆宇
;
倪刚
;
桑海
;
都有为
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
采用多靶离子束溅射技术制备了NiO(110A)/FeNi(t<,F>A)/Cu(24A)/FeNi(t<,F>A)自旋阀结构的样品,钉扎的FeNi层的交换偏置场H<,E>随t<,F>的减小而增大,但当t<,F><70A,H<,E>随t<,F>的减小而减小.样品磁带回线的测量表明钉扎层的磁矩小于自由层的磁矩,当t<,F>=20A时,钉扎层的磁矩消失,说明NiO和FeNi间有大约20A的扩散.NiO和FeNi间的扩散可能是导致当t<,F><70A H<,E>随t<,F>的减小而减小的原因.
磁性材料;
自旋阀结构;
磁滞回线;
层数扩散;
钉扎层;
交换偏置;
多靶离子束溅射;
72.
楔形绝缘层磁性隧道结偏压特性的研究
杜军
;
游彪
;
盛雯婷
;
张维
;
鹿牧
;
翟宏如
;
胡安
;
G.Landry
;
X.H.Xiang
;
J.Q.Xiao
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO<,x>/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(tunneling magmetoreistance)比值将很快地下降[1].测量表明MR-U曲线在过氧化区域是不对称的,而在全氧化及欠氧化区域都是对称的,且在欠氧化区域,随Al层厚度增加,样品表现出越来越强的偏压特性,即随偏压的增加,TMR比值衰减得越来越快.我们试用化学势劈裂(chemical potential splitting)模型[2]解释以上结果.
磁性隧道结薄膜;
偏压性质;
化学势劈裂模型;
73.
作用于低能原子团簇沉积固体表面的多体相互作用效应:分子动力学模拟
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
74.
分子动力学模拟晶格表面上的原子扩散系数:相互作用的多体效应
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
75.
超分辨磁光记录原理及进展
赵艳玲
;
王世奇
;
鹿牧
;
翟宏如
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文介绍了磁光存储技术的基本原理及其最新进展.
磁光存储技术;
磁光记录原理;
76.
硬磁性Nd60Al10Fe20Co10大块金属玻璃的磁畴结构
张臻蓉
;
韩宝善
;
魏炳忱
;
汪卫华
;
郑德娟
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
|
2001年
摘要:
本文运用磁力显微镜对不同热处理状态Nd<,60>Al<,10>Fe<,20>Co<,10>大块金属(BMG)的磁畴结构进行了研究.在铸态样品上观测到了黑白磁斑相邻的磁畴结构,平均磁畴周期约为0.36μm,表明了材料中很大范围内的尺度只有约2nm短程有序磁性团簇在强烈的交换耦合作用下已处于一致的磁化方向,从而导致了Nd<,60>Al<,10>Fe<,20>Co<,10> BMG的硬磁性.在715K下退火样品的磁力图上仍然观察到了交换耦合畴,但存在一些尺度为1-2μm的非磁性区域.结合电镜和成分分析,解释了退火后材料饱和和磁化强度和矫顽力基本不变的原因.而完全晶化的材料的磁力图表明材料的基本呈顺磁性,但在顺磁性基体中存在少量的低矫顽力的铁磁相.
金属玻璃;
磁畴结构;
硬磁性;
磁力图;
77.
Spin-states of Coion in charge-ordered YBaCo2O5
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》
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大气条件下的VSM的设计与制作
殷立锋
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2001年
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