公开/公告号CN101673712A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-03-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN200910196472.8
申请日2009-09-25
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-17 23:44:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/8238 申请公布日:20100317 申请日:20090925
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8238 申请日:20090925
实质审查的生效
2010-03-17
公开
公开
机译: N沟道钳位,用于自对准硅化CMOS工艺中的ESD保护
机译: N沟道钳位,用于自对准硅化CMOS工艺中的ESD保护
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