在硅或砷化镓基底上制备反射防止膜的方法

摘要

本发明涉及一种含有氧化钛和氧化锆的蒸镀用的氧化钇组成物，及用这种组成物作为蒸镀材料制造用于如硅或GaAs那样的III-V族化合物半导体用的反射防止膜，该反射防止膜能使被蒸镀物上的表面反射率几乎为零。而且，由于时效变化小，动作时间可以延长。